1971年蔡少棠教授首次提出憶阻器的概念,2008年HP實驗室基于TiO2研制出實際的憶阻器件。憶阻器(Memristor)被認為是除電阻器(Resistor)、電容器(Capacitor)和電感器(Inductor)外的第四種電子基本元件。當神經元突觸由憶阻器構成時,該類型網絡稱為憶阻神經網絡(Memristor based Neural Networks)。本文以時滯憶阻神經網絡為研究對象,針對網絡的魯棒同步控制問題進行了研究。由于憶阻神經網絡具有右端不連續(xù)特性,本文采用微分包含和集值映射理論,在Filippov右端不連續(xù)非線性理論框架下探討了憶阻神經網絡的魯棒漸近同步、指數同步和自適應同步問題。以下是本文的主要研究內容和取得的創(chuàng)新性成果:(1)針對大部分文獻中的憶阻神經網絡中驅動系統與響應系統完全相同或者對稱的問題,考慮到實際情況將強失配特性引入到驅動和響應系統模型中,包括參數失配和時變時滯失配兩種情況。此外設計了 pinning控制器實現所有節(jié)點的一致漸近魯棒同步。誤差系統的的收斂性充分條件通過李雅普諾夫函數方法給出。最后通過數值模擬驗證了所得結論的正確性和有效性。(2)本章考...

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【學位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１－１憶阻器電流／電壓關系曲線??

Ｉ１?（ｍｅｍｒｉｓｔｏｒ），它可以描述電??荷和磁通量之間的關系。就像電阻能夠表示電壓和電流的關系，電容能夠描??述電荷與電壓之間的關系以及電感可以表示磁通量與電荷之間的關系一樣。??蔡少棠教授證明了憶阻器不能夠由其他三種基本元件來實現，一個憶阻單元??大致需要２５個晶體管來模....

圖１－２憶阻器物理結構??憶阻器可以被看成是一個動態(tài)電阻且其阻值依賴于施加的總電荷

?憶阻神經網絡的魯棒同步及其控制研究???哥雜??＾?■??鑰電扱四齡＠丨雜雖固祐電扱???＿ｊｉ〇ｙＪ｜??Ｕ＿心?＿Ｊ??圖１－２憶阻器物理結構??憶阻器可以被看成是一個動態(tài)電阻且其阻值依賴于施加的總電荷。它在??生產工藝上可以被排列為交叉陣列，其中每個憶阻器占用極小的單元，....

圖１－３基于憶阻器的神經網絡突觸??

?憶阻神經網絡的魯棒同步及其控制研究???哥雜??＾?■??鑰電扱四齡＠丨雜雖固祐電扱???＿ｊｉ〇ｙＪ｜??Ｕ＿心?＿Ｊ??圖１－２憶阻器物理結構??憶阻器可以被看成是一個動態(tài)電阻且其阻值依賴于施加的總電荷。它在??生產工藝上可以被排列為交叉陣列，其中每個憶阻器占用極小的單元，....

圖２－１憶阻神經網絡電路系統??圖２－１中７？，和Ｃ，表示電阻和電容，和是憶阻器；／；和＆是放大??

?北京科技大學博士學位論文???２系統描述和預備知識??２．１憶阻神經網絡基本模型??傳統的神經網絡電路一般使用電阻Ｂ、電容Ｃ和電感Ｌ等元器件來構建??神經網絡中的相關部件和功能。因為憶阻器在模擬神經突觸和自學習方面具??有特殊的優(yōu)勢，所以越來越多的研究人員對此領域表現出了極大的....

本文編號：3914156