發(fā)布時間：2024-02-27 03:07

　　現(xiàn)代顯示技術(shù)在飛速發(fā)展,人們對高分辨率、高幀數(shù)的需求不斷提高,所以顯示器對驅(qū)動器件性能的需求也不斷提高。目前顯示行業(yè)中使用的最新型薄膜晶體管(TFT)是銦鎵鋅氧(In Ga Zn O、IGZO)TFT,其中In元素提高材料中的電子濃度,Ga元素降低材料中的電子濃度,遷移率可達(dá)10 cm²/Vs以上。為了獲得更高遷移率的TFT,我們將Ga元素替換為Sn元素,在保證原子最外層軌道半徑差不多的情況下,不對電子濃度進(jìn)行進(jìn)一步抑制,僅靠Zn元素控制材料中的電子濃度,制作了銦錫鋅氧(In Sn Zn O、ITZO)TFT。之后對材料進(jìn)行Li元素?fù)诫s,增強材料對氧的親和性,適量減少薄膜中的氧空位,制作了鋰摻雜的銦錫鋅氧(In Sn Zn O:Li、ITZO:Li)TFT。最后,進(jìn)行更進(jìn)一步的嘗試,將Li摻雜改為直接替換Zn為Ga,進(jìn)一步減少了薄膜中的氧空位,制作了銦鎵錫氧(In Ga Sn O、IGTO)TFT。主要研究內(nèi)容如下:(1)采用磁控濺射制備了In_0.13Sn_0.01Zn_1.0O、In_0.34...

【文章頁數(shù)】：110 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖1-1TFT-LCD單像素的等效電路圖

引言11引言1.1薄膜晶體管的應(yīng)用進(jìn)入21世紀(jì)，新型顯示技術(shù)成為繼軟件、集成電路之后的電子信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),是戰(zhàn)略性高新科技的基礎(chǔ)和最具活力的電子信息產(chǎn)業(yè)[1]。平板顯示技術(shù)目前分為液晶顯示（LCD）、等離子體顯示（PDP）、有機發(fā)光二極管顯示（OLED）、量子點顯示（QLED....

圖1-2AMOLED單像素的等效電路圖

北京交通大學(xué)博士畢業(yè)論文2圖1-2AMOLED單像素的等效電路圖Figure1-2theequivalentcircuitofasub-pixelofAMOLED上圖是有源矩陣驅(qū)動有機發(fā)光二極管顯示（AMOLED）的單像素簡化等效驅(qū)動電路，與TFT-LCD驅(qū)動電路的區(qū)別在于它是2....

圖2-1ITZO薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖

北京交通大學(xué)博士畢業(yè)論文10圖2-1ITZO薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖Figure2-1thestructurediagramoftheITZOTFTs首先，我們采用磁控濺射法在Si/SiO2基底上制備薄膜晶體管的ITZO有源層，Si基底為重度P型摻雜，SiO2是用熱氧化法生長在Si....

圖2-2不同有源層厚度的In0.13Sn0.01Zn1.0OTFT器件輸出曲線：（a）10nm、（b）20nm、（c）30nm、（d）40nm、（e）50nmFigure2-2theoutputcurvesoftheIn0.13Sn0.01Zn1.0OTFTswithdifferentthicknessoftheactivelayer:(a)10nm,(b)

ITZO薄膜晶體管的制備與研究11圖2-2不同有源層厚度的In0.13Sn0.01Zn1.0OTFT器件輸出曲線：（a）10nm、（b）20nm、（c）30nm、（d）40nm、（e）50nmFigure2-2theoutputcurvesoftheIn0.13Sn0.01Zn1....

本文編號：3912283