基于SPiN二極管的固態(tài)等離子體可重構(gòu)天線關(guān)鍵技術(shù)研究
發(fā)布時間:2024-01-23 19:11
隨著科學技術(shù)的迅速發(fā)展,現(xiàn)代通信系統(tǒng)不斷向低功耗、寬帶化、高集成方向發(fā)展,人們對個人消費電子、智能家居以及車載信息電子的需求也越來越高,這就要求現(xiàn)代天線系統(tǒng)發(fā)展出與之相適應的靈活重構(gòu)技術(shù)、寬頻帶技術(shù)以及系統(tǒng)小型化技術(shù)。同時,雷達散射截面是現(xiàn)代天線系統(tǒng)關(guān)注的一個關(guān)鍵性能指標,如何有效的降低天線的雷達散射截面也是現(xiàn)代天線系統(tǒng)研究的重要方向。傳統(tǒng)金屬天線系統(tǒng)中,金屬作為天線主要輻射單元,重量大、設(shè)計尺寸難以改變以及具有較大的雷達散射截面,限制了通訊系統(tǒng)的向高集成多用途方向發(fā)展。等離子體可重構(gòu)天線具有工作頻段切換靈活、輻射方向范圍寬、體積小且與微電子工藝兼容等眾多優(yōu)勢,是提升雷達與通信系統(tǒng)性能的有效途徑。硅基SPiN二極管作為固態(tài)等離子體可重構(gòu)天線基本輻射單元,在實現(xiàn)等離子體天線輻射、傳輸以及接收電磁波方面起著至關(guān)重要的作用。本論文重點分析了SOI橫向SPiN二極管等離子體關(guān)鍵微波參數(shù)隨載流子濃度及其分布的變化規(guī)律,設(shè)計并優(yōu)化了SPiN二極管以及硅基高集成可重構(gòu)天線的關(guān)鍵制備工藝,制備了多種硅基高集成可重構(gòu)天線。主要研究工作及成果為:1.SPiN二極管工作機制及等離子體特性研究。研究了SPiN...
【文章頁數(shù)】:138 頁
本文編號:3883211
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圖1.1U形氣態(tài)等離子體天線
圖1.2氣態(tài)等離子體天線系統(tǒng)基本單元
圖1.3氣態(tài)等離子體天線系統(tǒng)
圖1.4可重構(gòu)單極子天線
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