石墨烯具有高載流子遷移率、寬帶吸收、透明等屬性,使其成為一種極具發(fā)展前景的光電材料,可用于開發(fā)高速可調(diào)的CMOS兼容硅基光源和調(diào)制器。本課題針對(duì)石墨烯的電光可調(diào)特性做了深入研究,并以此為基礎(chǔ)在電吸收調(diào)制器、納米天線增強(qiáng)硅波導(dǎo)調(diào)制器以及高速可調(diào)的MIS隧穿光源等方向開展了系統(tǒng)的研究工作。研究的主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)可以概括為以下幾點(diǎn):1.提出了一種新型的混合SPP波導(dǎo)調(diào)制器,與傳統(tǒng)SPP波導(dǎo)調(diào)制器相比,水平放置的波導(dǎo)結(jié)構(gòu),使得SPP波導(dǎo)中光模式的電場(chǎng)分量主要分布在石墨烯面內(nèi),實(shí)現(xiàn)光與石墨烯相互作用的增強(qiáng)。最終實(shí)現(xiàn)了400 GHz調(diào)制速率,1.6μm2緊湊尺寸的電吸收調(diào)制器。2.提出一種新型的超薄金屬貼片增強(qiáng)的電光調(diào)制器。該設(shè)計(jì)結(jié)合了波導(dǎo)TE模式與超薄金屬貼片天線的兩個(gè)邊長(zhǎng)均能有效耦合的特征,實(shí)現(xiàn)了使用較少天線個(gè)數(shù)便可提供強(qiáng)局域等離子體共振,且諧振模式的場(chǎng)分量主要分布在石墨烯面內(nèi),增強(qiáng)了光-石墨烯相互作用。最終實(shí)現(xiàn)了400 GHz調(diào)制速率,0.5 f J/bit的能耗以及500 nm的調(diào)制器長(zhǎng)度。3.提出了一種納米天線增強(qiáng)的石墨烯電極的MIS隧穿結(jié)光源,解決了因非彈性隧穿電子占比低導(dǎo)致的低內(nèi)部量...

【文章頁(yè)數(shù)】：110 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1. 研究背景
        1.1.1. 電互連面臨的挑戰(zhàn)
        1.1.2. 硅基光電集成帶來(lái)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
        1.1.3. 石墨烯在光電集成應(yīng)用中扮演的角色
    1.2. 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1. 石墨烯在光源應(yīng)用中的研究現(xiàn)狀
        1.2.2. 石墨烯在調(diào)制器應(yīng)用中的研究現(xiàn)狀
    1.3. 研究?jī)?nèi)容與行文安排
    參考文獻(xiàn)
第2章 石墨烯的建模與調(diào)控
    2.1. 引言
    2.2. 石墨烯的 2D以及 3D電磁模型
        2.2.1.2D表面阻抗模型
        2.2.2.3D介電常數(shù)以及等效折射率電磁模型
    2.3. 石墨烯的調(diào)控/摻雜方式
    參考文獻(xiàn)
第3章 石墨烯電光調(diào)制器的基礎(chǔ)研究
    3.1. 引言
    3.2. 理論基礎(chǔ)
        3.2.1. 關(guān)鍵指標(biāo)
        3.2.2. 調(diào)制機(jī)制
    3.3. 電致吸收調(diào)制器的設(shè)計(jì)
        3.3.1. 問(wèn)題描述
        3.3.2. 電光調(diào)制器結(jié)構(gòu)及尺寸
        3.3.3. 電致吸收調(diào)制器性能指標(biāo)
        3.3.4. 小結(jié)
    3.4. 超薄金屬貼片增強(qiáng)電光調(diào)制器的設(shè)計(jì)
        3.4.1. 問(wèn)題描述
        3.4.2. 器件描述以及尺寸
        3.4.3. 性能指標(biāo)
        3.4.4. 小結(jié)
    3.5. 納米金屬棒天線增強(qiáng)電光調(diào)制器的設(shè)計(jì)
        3.5.1. 問(wèn)題描述
        3.5.2. 器件描述以及尺寸
        3.5.3. 器件性能
        3.5.4. 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第4章 石墨烯在非彈性量子隧穿光源上的基礎(chǔ)研究
    4.1. 引言
    4.2. 理論基礎(chǔ)光源的性能參數(shù)
    4.3. 納米天線增強(qiáng)的MIS量子隧穿光源
        4.3.1. 問(wèn)題描述
        4.3.2. 器件描述以及尺寸
        4.3.3. 器件性能
        4.3.4. 小結(jié)
    4.4. 石墨烯電極的MIS隧穿結(jié)光源
        4.4.1. 問(wèn)題描述
        4.4.2. 器件結(jié)構(gòu)以及尺寸
        4.4.3. 器件性能指標(biāo)
        4.4.4. 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第5章 總結(jié)與展望
    5.1. 全文總結(jié)
    5.2. 未來(lái)工作展望
致謝
攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表論文與專利
攻讀博士學(xué)位期間所參加研究課題



本文編號(hào)：3744509