作為第三代半導(dǎo)體材料,Ⅲ-Ⅴ族氮化物（AlN、GaN、InN、BN）及其混晶因其在微電子、光伏器件、自旋電子等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,引起了人們的極大興趣。目前,通過對(duì)已有優(yōu)質(zhì)材料進(jìn)行重新設(shè)計(jì),引入雜質(zhì)、缺陷,施加應(yīng)變等一系列過程去實(shí)現(xiàn)材料物性的調(diào)控,創(chuàng)造出滿足各種高性能需求的具有新物性的材料,已成為了半導(dǎo)體材料研究的主要路線。晶體摻雜的方式通常可分為替位摻雜、間隙摻雜、或吸附外來原子。本文以Ⅲ-Ⅴ族氮化物不同異構(gòu)相的塊體和表面作為摻雜改性的研究對(duì)象,采用第一性原理方法,系統(tǒng)地研究了摻雜體系的穩(wěn)定性、聲熱以及電磁等性質(zhì)。主要內(nèi)容及結(jié)果如下:1.基于密度泛函理論（DFT）,研究了Al_xGa_1-xN（0≤x≤1）混晶的幾何結(jié)構(gòu)、穩(wěn)定性、電子性質(zhì)、以及聲子和相關(guān)熱力學(xué)性質(zhì)。采用廣義梯度近似（GGA）和局域密度近似（LDA）兩種交換泛函,確定了不同組分的最佳摻雜位置及最優(yōu)結(jié)構(gòu),并揭示了Al_xGa_1-xN混晶在0≤x≤1范圍內(nèi)聲子譜的變化特征。結(jié)果表明,穩(wěn)定Al_xGa_1-x

【文章頁數(shù)】：100 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【圖文】：

納米團(tuán)簇組裝的多種MN(M=Al，Ga)低密度相結(jié)構(gòu)示意圖

贗勢(shì)方法

00K溫度下分子動(dòng)力學(xué)模擬SOD-(Al,Mn)N(a,b)和SOD-(Ga,Mn)N(c,d)的勢(shì)能和磁矩隨時(shí)間的變化


本文編號(hào)：3702719