射頻微機(jī)電系統(tǒng)（RF MEMS）是MEMS技術(shù)的一個(gè)重要分支,也是一項(xiàng)可以對(duì)未來射頻系統(tǒng)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。經(jīng)過多年的發(fā)展,RF MEMS技術(shù)取得長足進(jìn)步,然而其產(chǎn)業(yè)化并非一帆風(fēng)順,相比集成電路等技術(shù)發(fā)展還有一定差距,這主要受MEMS器件可靠性低、工藝獨(dú)特而通用性差、不易與其他系統(tǒng)集成等因素影響,所以研究高可靠性RF MEMS器件以及集成技術(shù)具有重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。本文基于國內(nèi)現(xiàn)有的工藝能力,以RF MEMS開關(guān)為切入點(diǎn),開展高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關(guān)、多開關(guān)集成的MEMS數(shù)控衰減器、RF MEMS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路、IC-MEMS單片集成等方面技術(shù)研究,取得了多項(xiàng)研究成果�；诒砻鏍奚鼘庸に囋O(shè)計(jì)制作出一種具有高溫度穩(wěn)定性的直接接觸式RF MEMS開關(guān)。該開關(guān)采用熱彎曲固支梁結(jié)構(gòu),減小溫度和應(yīng)力對(duì)開關(guān)下拉電壓的影響;采用高阻驅(qū)動(dòng)線,實(shí)現(xiàn)微波信號(hào)與控制信號(hào)的隔離;利用輔助圖形減小電鍍圖形失真,解決高深寬比梁的制作難題。測試結(jié)果顯示,室溫下開關(guān)在DC~20GHz頻段內(nèi)隔離度＞25dB、插損＜0.45dB,同時(shí)開關(guān)下拉電壓隨溫度變化率約為-160mV/℃。采用表面犧牲層工藝設(shè)計(jì)制作出... 

【文章頁數(shù)】：130 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景和意義
    1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 RF MEMS開關(guān)
        1.2.2 數(shù)控衰減器
        1.2.3 RF MEMS器件與IC芯片的單片集成
    1.3 研究內(nèi)容及難點(diǎn)
    1.4 章節(jié)安排
    參考文獻(xiàn)
第2章 RF MEMS技術(shù)和工藝簡介
    2.1 引言
    2.2 RF MEMS技術(shù)
        2.2.1 RF MEMS技術(shù)的發(fā)展歷程
        2.2.2 基本RF MEMS器件
        2.2.3 RF MEMS子系統(tǒng)
    2.3 RF MEMS工藝
        2.3.1 RF MEMS體硅工藝
        2.3.2 RF MEMS表面犧牲層工藝
    2.4 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第3章 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關(guān)研究
    3.1 引言
    3.2 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)
        3.2.1 開關(guān)機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
        3.2.2 開關(guān)射頻性能設(shè)計(jì)
        3.2.3 開關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù)確定
    3.3 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關(guān)性能仿真
    3.4 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關(guān)芯片測試
        3.4.1 射頻性能測試
        3.4.2 下拉電壓溫度穩(wěn)定性測試
    3.5 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第4章 MEMS數(shù)控衰減器研究
    4.1 引言
    4.2 MEMS數(shù)控衰減器設(shè)計(jì)
        4.2.1 衰減器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
        4.2.2 RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)
        4.2.3 衰減單元設(shè)計(jì)
        4.2.4 衰減器性能仿真
    4.3 MEM數(shù)控衰減器性能測試
    4.4 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第5章 RF MEMS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路研究
    5.1 引言
    5.2 驅(qū)動(dòng)電路工藝
        5.2.1 集成電路工藝種類
        5.2.2 BCD工藝
        5.2.3 BCD工藝特點(diǎn)
        5.2.4 200V SOI-BCD工藝
    5.3 驅(qū)動(dòng)電路原理圖設(shè)計(jì)
        5.3.1 振蕩器
        5.3.2 限幅放大器
        5.3.3 升壓單元
        5.3.4 輸出控制器
        5.3.5 高壓測試單元
    5.4 驅(qū)動(dòng)電路版圖設(shè)計(jì)和后仿真
    5.5 芯片測試
    5.6 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第6章 RF MEMS開關(guān)與IC芯片集成技術(shù)研究
    6.1 引言
    6.2 集成方法選擇
    6.3 基于類似Post-CMOS集成方法的設(shè)計(jì)
        6.3.1 用于集成的RF MEMS開關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù)確定
        6.3.2 RF MEMS開關(guān)機(jī)械性能仿真
        6.3.3 RF MEMS開關(guān)微波性能仿真
    6.4 單片集成工藝
    6.5 集成芯片性能測試
    6.6 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第7章 總結(jié)與展望
    7.1 總結(jié)
    7.2 展望
致謝
在讀期間的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3680449