RF MEMS器件及其集成技術研究
發(fā)布時間:2022-09-21 18:29
射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術的一個重要分支,也是一項可以對未來射頻系統(tǒng)產生重大影響的技術。經過多年的發(fā)展,RF MEMS技術取得長足進步,然而其產業(yè)化并非一帆風順,相比集成電路等技術發(fā)展還有一定差距,這主要受MEMS器件可靠性低、工藝獨特而通用性差、不易與其他系統(tǒng)集成等因素影響,所以研究高可靠性RF MEMS器件以及集成技術具有重要的理論意義和工程應用價值。本文基于國內現(xiàn)有的工藝能力,以RF MEMS開關為切入點,開展高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關、多開關集成的MEMS數(shù)控衰減器、RF MEMS開關驅動電路、IC-MEMS單片集成等方面技術研究,取得了多項研究成果。基于表面犧牲層工藝設計制作出一種具有高溫度穩(wěn)定性的直接接觸式RF MEMS開關。該開關采用熱彎曲固支梁結構,減小溫度和應力對開關下拉電壓的影響;采用高阻驅動線,實現(xiàn)微波信號與控制信號的隔離;利用輔助圖形減小電鍍圖形失真,解決高深寬比梁的制作難題。測試結果顯示,室溫下開關在DC~20GHz頻段內隔離度>25dB、插損<0.45dB,同時開關下拉電壓隨溫度變化率約為-160mV/℃。采用表面犧牲層工藝設計制作出...
【文章頁數(shù)】:130 頁
【學位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 課題背景和意義
1.2 國內外研究現(xiàn)狀
1.2.1 RF MEMS開關
1.2.2 數(shù)控衰減器
1.2.3 RF MEMS器件與IC芯片的單片集成
1.3 研究內容及難點
1.4 章節(jié)安排
參考文獻
第2章 RF MEMS技術和工藝簡介
2.1 引言
2.2 RF MEMS技術
2.2.1 RF MEMS技術的發(fā)展歷程
2.2.2 基本RF MEMS器件
2.2.3 RF MEMS子系統(tǒng)
2.3 RF MEMS工藝
2.3.1 RF MEMS體硅工藝
2.3.2 RF MEMS表面犧牲層工藝
2.4 小結
參考文獻
第3章 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關研究
3.1 引言
3.2 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關設計
3.2.1 開關機械結構設計
3.2.2 開關射頻性能設計
3.2.3 開關結構參數(shù)確定
3.3 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關性能仿真
3.4 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關芯片測試
3.4.1 射頻性能測試
3.4.2 下拉電壓溫度穩(wěn)定性測試
3.5 小結
參考文獻
第4章 MEMS數(shù)控衰減器研究
4.1 引言
4.2 MEMS數(shù)控衰減器設計
4.2.1 衰減器拓撲結構
4.2.2 RF MEMS開關設計
4.2.3 衰減單元設計
4.2.4 衰減器性能仿真
4.3 MEM數(shù)控衰減器性能測試
4.4 小結
參考文獻
第5章 RF MEMS開關驅動電路研究
5.1 引言
5.2 驅動電路工藝
5.2.1 集成電路工藝種類
5.2.2 BCD工藝
5.2.3 BCD工藝特點
5.2.4 200V SOI-BCD工藝
5.3 驅動電路原理圖設計
5.3.1 振蕩器
5.3.2 限幅放大器
5.3.3 升壓單元
5.3.4 輸出控制器
5.3.5 高壓測試單元
5.4 驅動電路版圖設計和后仿真
5.5 芯片測試
5.6 小結
參考文獻
第6章 RF MEMS開關與IC芯片集成技術研究
6.1 引言
6.2 集成方法選擇
6.3 基于類似Post-CMOS集成方法的設計
6.3.1 用于集成的RF MEMS開關結構參數(shù)確定
6.3.2 RF MEMS開關機械性能仿真
6.3.3 RF MEMS開關微波性能仿真
6.4 單片集成工藝
6.5 集成芯片性能測試
6.6 小結
參考文獻
第7章 總結與展望
7.1 總結
7.2 展望
致謝
在讀期間的成果
【參考文獻】:
期刊論文
[1]RF MEMS國內外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 焦海龍,趙廣宏,李文博,駱偉,金小鋒. 遙測遙控. 2017(05)
[2]一種MEMS開關驅動電路的設計[J]. 孫俊峰,朱健,李智群,郁元衛(wèi),錢可強. 電子器件. 2017(02)
[3]溫度對懸臂梁靜電驅動RF-MEMS開關性能的影響[J]. 張沛然,朱健,姜理利. 固體電子學研究與進展. 2014(01)
[4]微機械圓盤諧振器的結構分析[J]. 郭建來,劉暢,王建艷,林杰,郭航. 廈門大學學報(自然科學版). 2013(04)
[5]環(huán)境溫度對RF-MEMS開關閉合電壓影響研究[J]. 劉雷,張高飛,尤政. 傳感器與微系統(tǒng). 2013(05)
[6]微納機電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)前沿[J]. 李志宏. 中國科學:信息科學. 2012(12)
[7]功率半導體器件與功率集成技術的發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 孫偉鋒,張波,肖勝安,蘇巍,成建兵. 中國科學:信息科學. 2012(12)
[8]Avago推出兩款采用先進薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術的帶通濾波器[J]. 電子與電腦. 2010(09)
[9]替代晶振:解讀SiTime全硅MEMS技術[J]. 陸楠. 電子設計技術. 2009(05)
[10]薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術及其應用[J]. 何杰,劉榮貴,馬晉毅. 壓電與聲光. 2007(04)
博士論文
[1]高性能RF MEMS全硅腔/基片集成濾波器工藝及可重構技術研究[D]. 李津.電子科技大學 2017
[2]高性能升壓型電源管理芯片的研究與優(yōu)化設計[D]. 池源.西安電子科技大學 2015
[3]分布式RF MEMS移相器熱致封裝效應研究[D]. 趙成.東南大學 2015
[4]射頻MEMS可重構單片電路研究[D]. 郁元衛(wèi).南京大學 2012
[5]橫向超結功率器件的REBULF理論與新技術[D]. 王文廉.電子科技大學 2010
[6]基于左右手復合傳輸線和MEMS的新型微波器件研究[D]. 黃闖.上海交通大學 2010
碩士論文
[1]微波功率薄膜負載與衰減器的設計與制作[D]. 曾理.電子科技大學 2014
[2]基于600V BCD工藝平臺的IGBT驅動芯片設計[D]. 黎俐.電子科技大學 2013
[3]基于RF MEMS單刀多擲開關的五位數(shù)字移相器[D]. 何宗郭.電子科技大學 2013
[4]硅基MEMS濾波器的特性研究[D]. 袁艷.電子科技大學 2012
[5]AIN薄膜中頻濺射制備及體聲波諧振器研制[D]. 汪振中.電子科技大學 2011
[6]X波段五位MEMS分布式移相器研究[D]. 張曉升.電子科技大學 2010
[7]SiGe回轉器型高頻帶通濾波器的初步設計[D]. 李晶晶.天津理工大學 2010
[8]超寬帶單片五位數(shù)字衰減器的研究[D]. 文星.杭州電子科技大學 2010
[9]高效率峰值電流控制升壓DC-DC轉換器設計[D]. 萬斌.西安電子科技大學 2010
[10]X波段高精度單片五位數(shù)字衰減器的研究[D]. 李冠男.南京理工大學 2008
本文編號:3680449
【文章頁數(shù)】:130 頁
【學位級別】:博士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 課題背景和意義
1.2 國內外研究現(xiàn)狀
1.2.1 RF MEMS開關
1.2.2 數(shù)控衰減器
1.2.3 RF MEMS器件與IC芯片的單片集成
1.3 研究內容及難點
1.4 章節(jié)安排
參考文獻
第2章 RF MEMS技術和工藝簡介
2.1 引言
2.2 RF MEMS技術
2.2.1 RF MEMS技術的發(fā)展歷程
2.2.2 基本RF MEMS器件
2.2.3 RF MEMS子系統(tǒng)
2.3 RF MEMS工藝
2.3.1 RF MEMS體硅工藝
2.3.2 RF MEMS表面犧牲層工藝
2.4 小結
參考文獻
第3章 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關研究
3.1 引言
3.2 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關設計
3.2.1 開關機械結構設計
3.2.2 開關射頻性能設計
3.2.3 開關結構參數(shù)確定
3.3 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關性能仿真
3.4 高溫度穩(wěn)定性RF MEMS開關芯片測試
3.4.1 射頻性能測試
3.4.2 下拉電壓溫度穩(wěn)定性測試
3.5 小結
參考文獻
第4章 MEMS數(shù)控衰減器研究
4.1 引言
4.2 MEMS數(shù)控衰減器設計
4.2.1 衰減器拓撲結構
4.2.2 RF MEMS開關設計
4.2.3 衰減單元設計
4.2.4 衰減器性能仿真
4.3 MEM數(shù)控衰減器性能測試
4.4 小結
參考文獻
第5章 RF MEMS開關驅動電路研究
5.1 引言
5.2 驅動電路工藝
5.2.1 集成電路工藝種類
5.2.2 BCD工藝
5.2.3 BCD工藝特點
5.2.4 200V SOI-BCD工藝
5.3 驅動電路原理圖設計
5.3.1 振蕩器
5.3.2 限幅放大器
5.3.3 升壓單元
5.3.4 輸出控制器
5.3.5 高壓測試單元
5.4 驅動電路版圖設計和后仿真
5.5 芯片測試
5.6 小結
參考文獻
第6章 RF MEMS開關與IC芯片集成技術研究
6.1 引言
6.2 集成方法選擇
6.3 基于類似Post-CMOS集成方法的設計
6.3.1 用于集成的RF MEMS開關結構參數(shù)確定
6.3.2 RF MEMS開關機械性能仿真
6.3.3 RF MEMS開關微波性能仿真
6.4 單片集成工藝
6.5 集成芯片性能測試
6.6 小結
參考文獻
第7章 總結與展望
7.1 總結
7.2 展望
致謝
在讀期間的成果
【參考文獻】:
期刊論文
[1]RF MEMS國內外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 焦海龍,趙廣宏,李文博,駱偉,金小鋒. 遙測遙控. 2017(05)
[2]一種MEMS開關驅動電路的設計[J]. 孫俊峰,朱健,李智群,郁元衛(wèi),錢可強. 電子器件. 2017(02)
[3]溫度對懸臂梁靜電驅動RF-MEMS開關性能的影響[J]. 張沛然,朱健,姜理利. 固體電子學研究與進展. 2014(01)
[4]微機械圓盤諧振器的結構分析[J]. 郭建來,劉暢,王建艷,林杰,郭航. 廈門大學學報(自然科學版). 2013(04)
[5]環(huán)境溫度對RF-MEMS開關閉合電壓影響研究[J]. 劉雷,張高飛,尤政. 傳感器與微系統(tǒng). 2013(05)
[6]微納機電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)前沿[J]. 李志宏. 中國科學:信息科學. 2012(12)
[7]功率半導體器件與功率集成技術的發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 孫偉鋒,張波,肖勝安,蘇巍,成建兵. 中國科學:信息科學. 2012(12)
[8]Avago推出兩款采用先進薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術的帶通濾波器[J]. 電子與電腦. 2010(09)
[9]替代晶振:解讀SiTime全硅MEMS技術[J]. 陸楠. 電子設計技術. 2009(05)
[10]薄膜體聲波諧振器(FBAR)技術及其應用[J]. 何杰,劉榮貴,馬晉毅. 壓電與聲光. 2007(04)
博士論文
[1]高性能RF MEMS全硅腔/基片集成濾波器工藝及可重構技術研究[D]. 李津.電子科技大學 2017
[2]高性能升壓型電源管理芯片的研究與優(yōu)化設計[D]. 池源.西安電子科技大學 2015
[3]分布式RF MEMS移相器熱致封裝效應研究[D]. 趙成.東南大學 2015
[4]射頻MEMS可重構單片電路研究[D]. 郁元衛(wèi).南京大學 2012
[5]橫向超結功率器件的REBULF理論與新技術[D]. 王文廉.電子科技大學 2010
[6]基于左右手復合傳輸線和MEMS的新型微波器件研究[D]. 黃闖.上海交通大學 2010
碩士論文
[1]微波功率薄膜負載與衰減器的設計與制作[D]. 曾理.電子科技大學 2014
[2]基于600V BCD工藝平臺的IGBT驅動芯片設計[D]. 黎俐.電子科技大學 2013
[3]基于RF MEMS單刀多擲開關的五位數(shù)字移相器[D]. 何宗郭.電子科技大學 2013
[4]硅基MEMS濾波器的特性研究[D]. 袁艷.電子科技大學 2012
[5]AIN薄膜中頻濺射制備及體聲波諧振器研制[D]. 汪振中.電子科技大學 2011
[6]X波段五位MEMS分布式移相器研究[D]. 張曉升.電子科技大學 2010
[7]SiGe回轉器型高頻帶通濾波器的初步設計[D]. 李晶晶.天津理工大學 2010
[8]超寬帶單片五位數(shù)字衰減器的研究[D]. 文星.杭州電子科技大學 2010
[9]高效率峰值電流控制升壓DC-DC轉換器設計[D]. 萬斌.西安電子科技大學 2010
[10]X波段高精度單片五位數(shù)字衰減器的研究[D]. 李冠男.南京理工大學 2008
本文編號:3680449
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