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半導(dǎo)體硅和硫化鋅的位錯(cuò)芯結(jié)構(gòu)的理論研究

發(fā)布時(shí)間:2022-07-08 13:02
  結(jié)構(gòu)決定功能,硅和硫化鋅的結(jié)構(gòu)決定了他們具有一定的導(dǎo)電性,只是其導(dǎo)電性并沒有金屬強(qiáng),但是隨著溫度的升高,硅和硫化鋅的導(dǎo)電性會(huì)增強(qiáng),所以它們具有半導(dǎo)體的性質(zhì)。他們的主要用途是用來制作半導(dǎo)體器件、耐高溫材料、通信材料、電子和光電子器件等等,被廣泛應(yīng)用于航空航天、醫(yī)療等行業(yè)。雖然近幾年來,二維材料備受關(guān)注,并且擁有廣闊的應(yīng)用前景,但其還不能完全取代傳統(tǒng)三維材料的地位。在實(shí)際應(yīng)用中,硅和硫化鋅材料所處的環(huán)境不可能保持不變,而在不同的環(huán)境下,有關(guān)硅材料的脆性與韌性之間的轉(zhuǎn)化問題,以及無機(jī)半導(dǎo)體硫化鋅的塑性問題一直是研究的重點(diǎn)。由于硅和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的硫化鋅都是金剛石結(jié)構(gòu)晶體,包含兩套面心立方晶格,在{111}面上存在兩種不同類型的滑移系統(tǒng),即glide和shuffle層滑移。本文主要應(yīng)用改進(jìn)后的Peierls模型分別研究了硅和硫化鋅中的位錯(cuò)芯結(jié)構(gòu)。主要內(nèi)容有:(1)半導(dǎo)體硅中的部分位錯(cuò)考慮實(shí)驗(yàn)觀察到的在高溫的條件下,硅的glide層位錯(cuò)在塑性形變中占主導(dǎo)地位,那么,在脆性和韌性轉(zhuǎn)化的溫度下,仍然存在這樣一個(gè)問題,那就是,是否存在位錯(cuò)從一種滑移層轉(zhuǎn)化成,或者是轉(zhuǎn)化到另一種滑移層的情況,并且這之間如何轉(zhuǎn)... 

【文章頁數(shù)】:129 頁

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【文章目錄】:
中文摘要
英文摘要
1 緒論
    1.1 前言
    1.2 Peierls模型
        1.2.1 全離散Peierls模型的提出
        1.2.2 γ-勢(shì)的提出
    1.3 半導(dǎo)體硅中的位錯(cuò)
        1.3.1 90 °部分位錯(cuò)
        1.3.2 30 °部分位錯(cuò)
        1.3.3 Kink
        1.3.4 螺位錯(cuò)
    1.4 半導(dǎo)體硫化鋅中的位錯(cuò)
    1.5 模擬計(jì)算簡介
        1.5.1 電子密度泛函理論
        1.5.2 經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)
    1.6 本文的研究目的和研究內(nèi)容
        1.6.1 本文的研究目的
        1.6.2 本文的研究內(nèi)容
2 半導(dǎo)體硅中的部分位錯(cuò)
    2.1 引言
    2.2 內(nèi)稟坐標(biāo)系下的位錯(cuò)方程及其近似解
        2.2.1 部分位錯(cuò)γ-勢(shì)與位錯(cuò)方程
        2.2.2 位錯(cuò)方程的試探解
        2.2.3 應(yīng)力場(chǎng)和應(yīng)變場(chǎng)
    2.3 部分位錯(cuò)芯結(jié)構(gòu)
        2.3.1 理論預(yù)測(cè)的芯結(jié)構(gòu)
        2.3.2 芯重構(gòu)后的結(jié)構(gòu)
    2.4 部分kink與位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)
        2.4.1 Kink與部分kink
        2.4.2 位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)
        2.4.3 477-芯結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性
    2.5 本章小結(jié)
3 半導(dǎo)體硅中的螺位錯(cuò)
    3.1 引言
    3.2 非正交四葉結(jié)構(gòu)的能量泛函及其位錯(cuò)方程
        3.2.1 全位錯(cuò)γ-勢(shì)
        3.2.2 螺分量能量泛函
        3.2.3 刃分量能量泛函
        3.2.4 位錯(cuò)方程
    3.3 平衡芯結(jié)構(gòu)及其能量
        3.3.1 平衡芯結(jié)構(gòu)及其能量
        3.3.2 應(yīng)力場(chǎng)
        3.3.3 位移場(chǎng)
    3.4 本章小結(jié)
4 半導(dǎo)體硫化鋅中的位錯(cuò)
    4.1 引言
    4.2 Glide部分位錯(cuò)
        4.2.1 γ-勢(shì)和位錯(cuò)方程
        4.2.2 理論預(yù)測(cè)Peierls勢(shì)壘和Peierls應(yīng)力
    4.3 位錯(cuò)芯結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)
        4.3.1 位錯(cuò)芯結(jié)構(gòu)
        4.3.2 模擬計(jì)算Peierls勢(shì)壘和Peierls應(yīng)力
        4.3.3 Kink與部分kink
    4.4 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
    5.1 本文的主要結(jié)論與創(chuàng)新點(diǎn)
    5.2 后續(xù)研究工作的展望
參考文獻(xiàn)
附錄
    A.作者在攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
    B.作者在攻讀博士學(xué)位期間參加的學(xué)術(shù)會(huì)議
    C.作者在攻讀博士學(xué)位期間參加的科研項(xiàng)目
    E.學(xué)位論文數(shù)據(jù)集
致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]On the core structure and mobility of the〈100 〉{010} and〈100 〉 {01■} dislocations in B2 structure YAg and YCu[J]. 吳小志,王少峰,劉瑞萍.  Chinese Physics B. 2009(07)



本文編號(hào):3657079

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