有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器具有低成本、非破壞性讀取、高密度存儲、易于集成、大面積制備、與柔性襯底兼容等優(yōu)點(diǎn),已成為國際研究熱點(diǎn)之一。本論文以極化型和浮柵型有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器為研究對象,以優(yōu)化存儲器的核心體系為重點(diǎn)研究內(nèi)容,以提升存儲器的性能參數(shù)為研究目標(biāo),從材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制備工藝、界面調(diào)控、物理機(jī)制以及存儲性能等方面進(jìn)行了研究。研究結(jié)果不僅為提升存儲器品質(zhì)提供了新的思路和方法,而且為發(fā)展新的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器技術(shù)提供了重要的依據(jù)和策略。主要研究內(nèi)容和成果如下:1.設(shè)計(jì)并制備了以可極化的聚合物NPx作為存儲介質(zhì)的一系列有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器,分別構(gòu)建了基于NPx單層、CL-PVP/NPx雙層、NPx/PMMA雙層和CL-PVP/NPx/PMMA三層復(fù)合柵介質(zhì)層的核心體系,并研究了其與器件的存儲性能之間的關(guān)聯(lián)性。探討了聚合物NPx組分和薄膜形貌對存儲特性的影響,尋找了影響存儲性能的關(guān)鍵機(jī)理,從而建立了不同的復(fù)合柵介質(zhì)核心體系,提升了極化型有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器的性能。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明聚合物NPx中的羥基（-OH）含量越高,可逆的殘余極化越大,器件的存儲窗口越大... 

【文章頁數(shù)】：154 頁

【學(xué)位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 有機(jī)電子學(xué)與存儲技術(shù)簡介
        1.1.1 有機(jī)電子學(xué)發(fā)展概述
        1.1.2 存儲技術(shù)簡介
    1.2 有機(jī)場效應(yīng)晶體管
        1.2.1 OFET的類型
        1.2.2 OFET的器件結(jié)構(gòu)和工作原理
        1.2.3 OFET的特性曲線和性能參數(shù)
    1.3 有機(jī)場效應(yīng)晶體管存儲器
        1.3.1 OFET存儲器的類型和工作機(jī)理
        1.3.2 OFET存儲器的特性曲線和性能參數(shù)
        1.3.3 OFET存儲器的研究現(xiàn)狀及存在的主要問題
    1.4 本論文的主要內(nèi)容及各章節(jié)安排
第2章 基于復(fù)合柵介質(zhì)層提升極化型有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器保持時(shí)間研究
    2.1 研究意義
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 材料與器件制備
        2.2.2 表征與測試
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 NPx單層?xùn)沤橘|(zhì)的OFET存儲器
        2.3.2 CL-PVP/NPx雙層?xùn)沤橘|(zhì)的OFET存儲器
        2.3.3 NPx/PMMA雙層?xùn)沤橘|(zhì)的OFET存儲器
        2.3.4 CL-PVP/NPx/PMMA三層?xùn)沤橘|(zhì)的OFET存儲器
    2.4 本章小結(jié)
第3章 基于C60/TTC一體化的浮柵/隧穿層的有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器研究
    3.1 研究意義
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 材料與器件制備
        3.2.2 表征與測試
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 薄膜微結(jié)構(gòu)和形貌
        3.3.2 C60/TTC厚度組分對OFET存儲器存儲特性的影響
        3.3.3 OFET存儲器存儲機(jī)制分析
        3.3.4 C60/TTC厚度組分對OFET存儲器非易失性的影響
    3.4 本章小結(jié)
第4章 基于分子浮柵和pn異質(zhì)結(jié)的柔性有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器研究
    4.1 研究意義
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 材料與器件制備
        4.2.2 表征與測試
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 一體化浮柵/隧穿層薄膜微結(jié)構(gòu)和形貌
        4.3.2 FG-OFET-p存儲器的存儲特性
        4.3.3 FG-OFET-p存儲器的存儲機(jī)制分析
        4.3.4 FG-OFET-pn存儲器的存儲特性
        4.3.5 FG-OFET-pn存儲器的存儲機(jī)制分析
        4.3.6 FG-OFET-pn存儲器的非易失性
        4.3.7 柔性FG-OFET-pn存儲器機(jī)械彎曲耐用性
    4.4 本章小結(jié)
第5章 具有三級信息存儲和光學(xué)檢測功能的有機(jī)場效應(yīng)晶體管非易失性存儲器研究
    5.1 研究意義
    5.2 實(shí)驗(yàn)部分
        5.2.1 材料與器件制備
        5.2.2 表征與測試
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 F8BT/PS組分比例在暗室和光照環(huán)境對存儲特性的影響
        5.3.2 光照環(huán)境存儲器的存儲特性及光敏特性分析
        5.3.3 光輔助編程的三級存儲特性分析
        5.3.4 三級有機(jī)光電晶體管非易失性存儲器的應(yīng)用
    5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
    6.1 論文總結(jié)
    6.2 論文創(chuàng)新點(diǎn)
    6.3 論文展望
參考文獻(xiàn)
作者簡介及在讀期間所取得的科研成果
致謝



本文編號：3653198