在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體化合物中,具有最高的電子遷移率和電子飽和漂移速度的窄帶隙材料InAs、InSb和InAsSb可以與寬帶隙材料AlSb、GaSb以及相關(guān)的三元材料形成多樣化的量子阱能帶結(jié)構(gòu),這種能帶結(jié)構(gòu)可以很好的限制量子阱中的載流子。這些材料具有的優(yōu)異性能可以制備出超高速、低功耗的電學(xué)器件,應(yīng)用于無(wú)線高頻通信、軍事雷達(dá)、便攜式移動(dòng)設(shè)備以及真空探測(cè)等領(lǐng)域。本文對(duì)InAs、InSb和InAsSb的異質(zhì)外延材料與器件進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)研究。主要的工作和創(chuàng)新成果有:（1）高遷移率異質(zhì)外延材料和器件的理論分析計(jì)算了量子阱結(jié)構(gòu)中的電子遷移率,考慮了影響遷移率的各種散射機(jī)制,尤其增加了位錯(cuò)散射對(duì)遷移率的影響。其次,采用Sentaurus軟件,對(duì)以InAs、InSb和InAsSb為溝道材料的高遷移率器件的電學(xué)特性進(jìn)行了仿真,結(jié)果得到:當(dāng)設(shè)定三種器件的柵長(zhǎng)L_g為2μm時(shí),在V_D為0.5 V,V_G為0 V時(shí),InAs、InSb和InAsSb三種器件的最大漏極電流分別為275 mA/mm、420 mA/mm和352.49 mA/mm,為后續(xù)的... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：139 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

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