60GHz通信系統(tǒng)硅基頻率綜合器關(guān)鍵技術(shù)研究與芯片設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021-11-05 16:56
60GHz通信技術(shù)是近年來(lái)無(wú)線通信領(lǐng)域研究的熱點(diǎn),該技術(shù)可廣泛應(yīng)用于無(wú)線個(gè)域網(wǎng)、影音信號(hào)傳輸、無(wú)線USB等短距離高速率數(shù)據(jù)傳輸業(yè)務(wù)。目前,國(guó)內(nèi)外各大標(biāo)準(zhǔn)化組織已提出了各種60GHz通信標(biāo)準(zhǔn),如ECMA-387、IEEE-802.15.3c、IEEE-802.11aj等,規(guī)定了相應(yīng)的載波頻率、信道帶寬等關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo);谝陨蠘(biāo)準(zhǔn)的收發(fā)機(jī)系統(tǒng)和集成電路設(shè)計(jì)已經(jīng)成為相關(guān)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。頻率綜合器作為收發(fā)機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分,其性能直接影響系統(tǒng)的傳輸速率與誤碼率。因此,研究和設(shè)計(jì)應(yīng)用于60GHz通信系統(tǒng)的頻率綜合器具有重要理論意義和應(yīng)用價(jià)值。本文基于CMOS工藝,對(duì)應(yīng)用于60GHz通信系統(tǒng)的頻率綜合器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了研究。在研究與分析的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了頻率綜合器中的關(guān)鍵模塊電路,包括壓控振蕩器、分頻器、鑒頻鑒相器、電荷泵、鎖相環(huán)和倍頻器,并進(jìn)行了流片與測(cè)試驗(yàn)證。本文討論了鎖相環(huán)頻率綜合器的結(jié)構(gòu)及原理,對(duì)鎖相環(huán)的穩(wěn)定性和頻率綜合器相位噪聲的組成進(jìn)行了分析;60GHz滑動(dòng)中頻收發(fā)機(jī)系統(tǒng)的需求,提出48GHz頻率綜合器的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方案,并建立了頻率綜合器的行為級(jí)模型;谛袨榧(jí)模型對(duì)頻率綜合器進(jìn)行相...
【文章來(lái)源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:179 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
電荷泵鎖相環(huán)相位裕度最大值與電容比b的函數(shù)關(guān)系曲線
東南大學(xué)博士學(xué)位論文56其輸出頻率范圍為23.9~25GHz,1MHz頻偏處相位噪聲小于101dBc/Hz。由仿真結(jié)果可知,該初始設(shè)計(jì)在輸出頻率范圍方面尚未達(dá)到24~26GHz的預(yù)期指標(biāo)。其主要原因是:可變電容模塊的容值變化范圍過(guò)校初始設(shè)計(jì)中可變電容模塊的容值和品質(zhì)因數(shù)曲線如圖3-24所示,其實(shí)際的品質(zhì)因數(shù)最小值為5,最大容值為47fF,最小容值為17.8fF。而最大/最小容值比約為2.7,低于預(yù)估值。圖3-23壓控振蕩器初始設(shè)計(jì)仿真結(jié)果容值品質(zhì)因數(shù)品質(zhì)因數(shù)容值(fF)VTUNE(V)圖3-24壓控振蕩器初始設(shè)計(jì)可變電容容值及品質(zhì)因數(shù)曲線為了獲得更寬的調(diào)諧范圍,需要使用變?nèi)莘秶蟮目勺冸娙。如圖3-17所示,增大AMOS管的尺寸,可獲得更大的變?nèi)莘秶,但品質(zhì)因數(shù)會(huì)降低,進(jìn)而降低諧振回路的品質(zhì)因數(shù)QT。由3.3.2中振蕩器相位噪聲模型的分析可知,相位噪聲與QT成反比。理論上,為了提高相位噪聲性能,應(yīng)盡量使QT取最大值。因此,單純地使用變?nèi)莘秶蟮腁MOS管并不是擴(kuò)展頻率調(diào)諧范圍最好的解決方式。
第3章毫米波壓控振蕩器研究與設(shè)計(jì)61圖3-31優(yōu)化后的壓控振蕩器輸出頻率仿真曲線圖3-32優(yōu)化后的壓控振蕩器1MHz頻率偏移處相位噪聲仿真曲線3.4.4版圖設(shè)計(jì)與場(chǎng)-圖聯(lián)合仿真24GHz壓控振蕩器電路版圖如圖3-33所示。該電路使用65nm低功耗CMOS工藝設(shè)計(jì),核心部分面積為220×315μm2。本文所設(shè)計(jì)的壓控振蕩器為差分結(jié)構(gòu),在版圖設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡可能保持元件、連線的對(duì)稱布局,以保證輸出信號(hào)的對(duì)稱性。由圖3-16中振蕩器的電路結(jié)構(gòu)可見(jiàn),電路中使用的成對(duì)元件較多,包括PMOS管、NMOS管、可變電容和電容陣列,且電感也是對(duì)稱結(jié)構(gòu),在進(jìn)行版圖布局時(shí)易于保證對(duì)稱性。需要注意的是,調(diào)諧電壓VTUNE會(huì)與振蕩器的節(jié)點(diǎn)A發(fā)生交叉,如圖3-34(a)所示。該交叉會(huì)在VTUNE與A點(diǎn)間引入一個(gè)寄生電容,使振蕩信號(hào)耦合到直流信號(hào)上,破壞版圖以及輸出信號(hào)的對(duì)稱性,甚至?xí)鹣辔辉肼暤膼夯榱私档托盘?hào)耦合帶來(lái)的影響,在本電路的版圖設(shè)計(jì)中,VTUNE信號(hào)線使用了0.1μm的窄
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]60GHz毫米波無(wú)線通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)綜述[J]. 彭曉明,卓蘭. 信息技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)化. 2012(12)
[2]60GHz毫米波無(wú)線通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究[J]. 卓蘭,郭楠. 信息技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)化. 2011(11)
博士論文
[1]基于CMOS工藝的射頻毫米波鎖相環(huán)集成電路關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 劉法恩.東南大學(xué) 2015
碩士論文
[1]低電壓低功耗鑒頻鑒相器與電荷泵的設(shè)計(jì)[D]. 汪偉江.東南大學(xué) 2016
本文編號(hào):3478176
【文章來(lái)源】:東南大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:179 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
電荷泵鎖相環(huán)相位裕度最大值與電容比b的函數(shù)關(guān)系曲線
東南大學(xué)博士學(xué)位論文56其輸出頻率范圍為23.9~25GHz,1MHz頻偏處相位噪聲小于101dBc/Hz。由仿真結(jié)果可知,該初始設(shè)計(jì)在輸出頻率范圍方面尚未達(dá)到24~26GHz的預(yù)期指標(biāo)。其主要原因是:可變電容模塊的容值變化范圍過(guò)校初始設(shè)計(jì)中可變電容模塊的容值和品質(zhì)因數(shù)曲線如圖3-24所示,其實(shí)際的品質(zhì)因數(shù)最小值為5,最大容值為47fF,最小容值為17.8fF。而最大/最小容值比約為2.7,低于預(yù)估值。圖3-23壓控振蕩器初始設(shè)計(jì)仿真結(jié)果容值品質(zhì)因數(shù)品質(zhì)因數(shù)容值(fF)VTUNE(V)圖3-24壓控振蕩器初始設(shè)計(jì)可變電容容值及品質(zhì)因數(shù)曲線為了獲得更寬的調(diào)諧范圍,需要使用變?nèi)莘秶蟮目勺冸娙。如圖3-17所示,增大AMOS管的尺寸,可獲得更大的變?nèi)莘秶,但品質(zhì)因數(shù)會(huì)降低,進(jìn)而降低諧振回路的品質(zhì)因數(shù)QT。由3.3.2中振蕩器相位噪聲模型的分析可知,相位噪聲與QT成反比。理論上,為了提高相位噪聲性能,應(yīng)盡量使QT取最大值。因此,單純地使用變?nèi)莘秶蟮腁MOS管并不是擴(kuò)展頻率調(diào)諧范圍最好的解決方式。
第3章毫米波壓控振蕩器研究與設(shè)計(jì)61圖3-31優(yōu)化后的壓控振蕩器輸出頻率仿真曲線圖3-32優(yōu)化后的壓控振蕩器1MHz頻率偏移處相位噪聲仿真曲線3.4.4版圖設(shè)計(jì)與場(chǎng)-圖聯(lián)合仿真24GHz壓控振蕩器電路版圖如圖3-33所示。該電路使用65nm低功耗CMOS工藝設(shè)計(jì),核心部分面積為220×315μm2。本文所設(shè)計(jì)的壓控振蕩器為差分結(jié)構(gòu),在版圖設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡可能保持元件、連線的對(duì)稱布局,以保證輸出信號(hào)的對(duì)稱性。由圖3-16中振蕩器的電路結(jié)構(gòu)可見(jiàn),電路中使用的成對(duì)元件較多,包括PMOS管、NMOS管、可變電容和電容陣列,且電感也是對(duì)稱結(jié)構(gòu),在進(jìn)行版圖布局時(shí)易于保證對(duì)稱性。需要注意的是,調(diào)諧電壓VTUNE會(huì)與振蕩器的節(jié)點(diǎn)A發(fā)生交叉,如圖3-34(a)所示。該交叉會(huì)在VTUNE與A點(diǎn)間引入一個(gè)寄生電容,使振蕩信號(hào)耦合到直流信號(hào)上,破壞版圖以及輸出信號(hào)的對(duì)稱性,甚至?xí)鹣辔辉肼暤膼夯榱私档托盘?hào)耦合帶來(lái)的影響,在本電路的版圖設(shè)計(jì)中,VTUNE信號(hào)線使用了0.1μm的窄
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]60GHz毫米波無(wú)線通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)綜述[J]. 彭曉明,卓蘭. 信息技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)化. 2012(12)
[2]60GHz毫米波無(wú)線通信技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研究[J]. 卓蘭,郭楠. 信息技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)化. 2011(11)
博士論文
[1]基于CMOS工藝的射頻毫米波鎖相環(huán)集成電路關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 劉法恩.東南大學(xué) 2015
碩士論文
[1]低電壓低功耗鑒頻鑒相器與電荷泵的設(shè)計(jì)[D]. 汪偉江.東南大學(xué) 2016
本文編號(hào):3478176
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/xxkjbs/3478176.html
最近更新
教材專著