隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件的特征尺寸變得越來越小,集成電路的結(jié)構(gòu)也變得越來越復(fù)雜。因此,在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中,起關(guān)鍵作用的等離子體刻蝕技術(shù)需要進(jìn)行更加精確的控制,以期達(dá)到小于5 nm特征線寬的刻蝕。然而,等離子體刻蝕工藝帶來的難題也亟需解決,如電荷積累效應(yīng)造成的旁刻等。為此,人們提出了脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體。這是因?yàn)樵诿}沖調(diào)制射頻感性耦合放電條件下,在脈沖關(guān)閉階段,基片臺(tái)上方的鞘層坍塌,負(fù)離子能夠運(yùn)動(dòng)到基片表面,中和刻蝕溝槽底部積累的正電荷,從而能夠減弱電荷積累效應(yīng),降低異�？涛g。此外,脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體不僅能夠提供脈沖頻率和脈沖占空比這兩個(gè)新的可控參數(shù),還能夠靈活控制等離子體中的電子密度、電子溫度、活性基團(tuán)數(shù)密度、離子能量以及離子通量等,進(jìn)而提高等離子體刻蝕的選擇性、刻蝕速率、刻蝕均勻性等。盡管脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體具有很多優(yōu)勢,但其內(nèi)在物理化學(xué)機(jī)制也變得更為復(fù)雜,特別是對(duì)于等離子體刻蝕工藝中使用的電負(fù)性氣體（O2、CxFy、SF6、C12、HBr等）放電。在工業(yè)上,為了精確控制等離子體刻蝕工藝的性能,需要充分理解脈沖調(diào)制射頻感性耦合等離子體的特性。... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：126 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?ＩＣＰ源的線圈結(jié)構(gòu)示意圖：（ａ）盤香型線圈結(jié)構(gòu)；（ｂ）柱狀線圈結(jié)構(gòu)⑴

圖１．２多晶硅在射頻感性耦合Ｃｈ等離子體中的刻蝕原理示意圖［２２］

圖１．３射頻信號(hào)、脈沖信號(hào)以及脈沖調(diào)制射頻信號(hào)隨時(shí)間的演化


本文編號(hào)：3477099