隨著半導體技術的飛速發(fā)展,半導體器件的特征尺寸變得越來越小,集成電路的結構也變得越來越復雜。因此,在半導體芯片生產過程中,起關鍵作用的等離子體刻蝕技術需要進行更加精確的控制,以期達到小于5 nm特征線寬的刻蝕。然而,等離子體刻蝕工藝帶來的難題也亟需解決,如電荷積累效應造成的旁刻等。為此,人們提出了脈沖調制射頻感性耦合等離子體。這是因為在脈沖調制射頻感性耦合放電條件下,在脈沖關閉階段,基片臺上方的鞘層坍塌,負離子能夠運動到基片表面,中和刻蝕溝槽底部積累的正電荷,從而能夠減弱電荷積累效應,降低異�？涛g。此外,脈沖調制射頻感性耦合等離子體不僅能夠提供脈沖頻率和脈沖占空比這兩個新的可控參數(shù),還能夠靈活控制等離子體中的電子密度、電子溫度、活性基團數(shù)密度、離子能量以及離子通量等,進而提高等離子體刻蝕的選擇性、刻蝕速率、刻蝕均勻性等。盡管脈沖調制射頻感性耦合等離子體具有很多優(yōu)勢,但其內在物理化學機制也變得更為復雜,特別是對于等離子體刻蝕工藝中使用的電負性氣體（O2、CxFy、SF6、C12、HBr等）放電。在工業(yè)上,為了精確控制等離子體刻蝕工藝的性能,需要充分理解脈沖調制射頻感性耦合等離子體的特性。... 

【文章來源】：大連理工大學遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：126 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?ＩＣＰ源的線圈結構示意圖：（ａ）盤香型線圈結構；（ｂ）柱狀線圈結構⑴

圖１．２多晶硅在射頻感性耦合Ｃｈ等離子體中的刻蝕原理示意圖［２２］

圖１．３射頻信號、脈沖信號以及脈沖調制射頻信號隨時間的演化


本文編號：3477099