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膠體半導(dǎo)體納米晶消光系數(shù)的研究

發(fā)布時間:2017-05-04 10:16

  本文關(guān)鍵詞:膠體半導(dǎo)體納米晶消光系數(shù)的研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:半導(dǎo)體納米晶由于其獨(dú)特的光電性質(zhì)受到研究者的廣泛關(guān)注。在過去的幾年里,研究者主要集中在納米晶的合成與性質(zhì)研究方面。近年來,隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體納米技術(shù)愈加成熟,諸多半導(dǎo)體已經(jīng)在現(xiàn)實(shí)生活中得到了廣泛的應(yīng)用,其中最為普通的半導(dǎo)體納米晶是II-VI和III-V族。除了典型的主族半導(dǎo)體,近年來,多元組分半導(dǎo)體納米晶也走入了人們的視野。而隨著半導(dǎo)體納米晶發(fā)展越來越迅速,對半導(dǎo)體納米晶的定量已經(jīng)十分重要。而吸光光度法在半導(dǎo)體納米晶領(lǐng)域的運(yùn)用為其定量分析鋪平了道路;诖,本論文作了如下研究:1.首先研究了多元體系半導(dǎo)體納米晶的消光系數(shù)。合成了尺寸分布均一、粒徑可調(diào)的Cu In S2和Cu In Zn S3納米粒子以及單分散的Ag In S2納米粒子,通過尺寸和吸收帶邊的一一對應(yīng)關(guān)系,根據(jù)朗博比爾定律,用實(shí)驗(yàn)的方法給出了Cu In S2和Cu In Zn S3多元納米晶材料的消光系數(shù)與尺寸的關(guān)系曲線,為納米晶的定量分析提供了數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。2.以多元納米晶如Cu In S2、Cu In Zn S3和二元Cd Se納米粒子為模型體系,通過制備不同尺寸立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的Cd Se、Cu In S2和Cu In Zn S3納米粒子,根據(jù)朗博比爾定律,實(shí)驗(yàn)開展了不同晶體結(jié)構(gòu)的納米晶消光系數(shù)的研究。實(shí)驗(yàn)表明:不同晶體結(jié)構(gòu)的納米晶的消光系數(shù)顯示出微小的差別。其變化規(guī)律是在小尺寸納米晶時候,晶體結(jié)構(gòu)對消光系數(shù)影響較小。隨著納米晶尺寸增大,不同晶結(jié)構(gòu)的納米晶消光系數(shù)差別逐漸增大。3.我們對核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體納米粒子消光系數(shù)的變化規(guī)律進(jìn)行了研究。我們分別以Cd Se/Cd S和Cd Se/Zn S為模型,研究了不同殼層厚度、不同核尺寸條件下的消光系數(shù),最終得到了核殼納米粒子消光系數(shù)隨殼層厚以及核尺寸的變化規(guī)律。核殼納米晶消光系數(shù)研究,為納米晶進(jìn)一步應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支撐。4.在得到了多元半導(dǎo)體納米粒子的消光系數(shù)之后,我們對二元(Cd S和Zn S)、三元(Cu In S2)和四元(Zn Cu In S3和Cd Cu In S3)納米晶消光系數(shù)之間的關(guān)系進(jìn)行了系統(tǒng)研究。通過二元線性回歸分析將不同組成的多元納米粒子的消光系數(shù)建立起了聯(lián)系。多元納米晶消光系數(shù)之間關(guān)系研究,進(jìn)一步加深對材料物理化學(xué)性質(zhì)的理解,為多元納米材料的研究提供實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
【關(guān)鍵詞】:半導(dǎo)體納米晶 消光系數(shù) 多組分 晶體結(jié)構(gòu) 核殼結(jié)構(gòu)
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN304;TB383.1
【目錄】:
  • 內(nèi)容提要4-9
  • 第一章 前言9-42
  • 1.1 半導(dǎo)體納米晶的概述9-16
  • 1.1.1 量子尺寸效應(yīng)10-12
  • 1.1.2 表面效應(yīng)12-13
  • 1.1.3 膠體特性13
  • 1.1.4 核殼包覆13-16
  • 1.2 多元半導(dǎo)體納米晶16-18
  • 1.3 半導(dǎo)體納米晶消光系數(shù)18-27
  • 1.4 本文的立題思想與主要內(nèi)容27-29
  • 參考文獻(xiàn)29-42
  • 第二章 多元半導(dǎo)體納米晶消光系數(shù)的研究42-67
  • 2.1 引言42-43
  • 2.2 實(shí)驗(yàn)部分43-47
  • 2.2.1 試劑與藥品43
  • 2.2.2 儀器與測試43-44
  • 2.2.3 反應(yīng)前體的制備44
  • 2.2.4 CuInS_2、Ag In S2和Cu In ZnS3半導(dǎo)體納米晶的制備44-46
  • 2.2.5 樣品的提純46-47
  • 2.2.6 樣品的消解47
  • 2.3 結(jié)果與討論47-62
  • 2.3.1 樣品的光譜及TEM表征47-50
  • 2.3.2 樣品的XRD表征50-51
  • 2.3.3 確定吸收值51-53
  • 2.3.4 樣品的提純53
  • 2.3.5 溶解納米晶進(jìn)行元素分析53-54
  • 2.3.6 CuInS_2納米晶消光系數(shù)的計(jì)算54-57
  • 2.3.7 通過理論計(jì)算對納米晶消光系數(shù)的驗(yàn)證57-60
  • 2.3.8 AgInS_2納米晶消光系數(shù)的計(jì)算60-62
  • 2.4 本章小結(jié)62-63
  • 參考文獻(xiàn)63-67
  • 第三章 不同晶體結(jié)構(gòu)的納米晶消光系數(shù)研究67-82
  • 3.1 引言67-68
  • 3.2 實(shí)驗(yàn)部分68-71
  • 3.2.1 試劑與藥品68
  • 3.2.2 儀器與測試68
  • 3.2.3 閃鋅礦結(jié)構(gòu)CdSe納米晶的制備68-69
  • 3.2.4 纖鋅礦結(jié)構(gòu)CuInS_2和Cu In ZnS3納米晶的制備69-71
  • 3.3 結(jié)果與討論71-78
  • 3.3.1 樣品的表征71-76
  • 3.3.2 元素分析76-78
  • 3.4 本章小結(jié)78-80
  • 參考文獻(xiàn)80-82
  • 第四章 核殼型納米晶消光系數(shù)的研究82-98
  • 4.1 引言82-83
  • 4.2 實(shí)驗(yàn)部分83-86
  • 4.2.1 試劑與藥品83
  • 4.2.2 儀器與測試83-84
  • 4.2.3 CdSe納米晶的制備84
  • 4.2.4 CdSe納米晶的提純和樣品的消解84-85
  • 4.2.5 CdSe/CdS和CdSe/ZnS核殼納米晶的制備85
  • 4.2.6 CdSe/CdS和CdSe/ZnS納米晶的提純85-86
  • 4.3 結(jié)果與討論86-95
  • 4.3.1 樣品的光譜及TEM表征86-88
  • 4.3.2 元素分析88-89
  • 4.3.3 CdSe/CdS和CdSe/ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米晶消光系數(shù)的測定89-95
  • 本章小結(jié)95-96
  • 參考文獻(xiàn)96-98
  • 第五章 半導(dǎo)體納米晶消光系數(shù)的關(guān)系98-112
  • 5.1 引言98-99
  • 5.2 實(shí)驗(yàn)部分99-101
  • 5.2.1 試劑與藥品99
  • 5.2.2 儀器與測試99
  • 5.2.3 反應(yīng)前體的制備99-100
  • 5.2.4 ZnS納米晶的制備100
  • 5.2.5 CuInCdS_3納米晶的制備100-101
  • 5.2.6 粒子的提純和樣品的消解101
  • 5.3 結(jié)果與討論101-108
  • 5.3.1 ZnS納米晶的制備及性質(zhì)表征101-102
  • 5.3.2 ZnS納米晶的消光系數(shù)102-103
  • 5.3.3 ZnS、CuInS_2和CuInZnS_3納米晶消光系數(shù)的關(guān)系103-105
  • 5.3.4 CuInCdS_3納米晶的合成及其結(jié)果表征105-107
  • 5.3.5 CuInCdS_3納米晶的消光系數(shù)107
  • 5.3.6 CdS、CuInS_2和CuInCdS_3三種納米晶消光系數(shù)之間的關(guān)系107-108
  • 本章小結(jié)108-110
  • 參考文獻(xiàn)110-112
  • 中文摘要112-114
  • Abstract114-117
  • 就讀期間發(fā)表論文117-118
  • 致謝118

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 馮麗;梁曉娟;向衛(wèi)東;楊帆;鐘家松;;不同結(jié)構(gòu)CuInZnS_2納米晶的簡單合成及其非線性光學(xué)特性(英文)[J];稀有金屬材料與工程;2012年S3期

2 劉玉敏;俞重遠(yuǎn);任曉敏;;Approximate calculation of electronic energy levels of axially symmetric quantum dot and quantum ring by using energy dependent effective mass[J];Chinese Physics B;2009年01期


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