隨著新型顯示面板技術(shù)向超大面積和超高清方向的快速發(fā)展,開發(fā)低成本高性能器件印刷制備技術(shù)成為關(guān)鍵。印刷銀電極材料具有高電導(dǎo)和低成本等優(yōu)勢,結(jié)合金屬氧化物薄膜晶體管（MOS-TFT）高遷移率、低工藝溫度和大面積均勻的優(yōu)點(diǎn),可以滿足顯示行業(yè)對低成本、低阻抗和低信號延遲的迫切需求。因此,研究印刷高導(dǎo)銀電極MOS-TFT對推動顯示行業(yè)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。本論文通過薄膜表面形貌調(diào)控、器件界面設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化,突破了打印銀電極與MOS-TFT的工藝兼容和界面接觸不佳等難點(diǎn),獲得了高性能打印銀電極MOS-TFT器件,并探索了高精度電極新型打印工藝。主要研究成果如下:（1）研究了固化工藝對噴墨打印銀電極薄膜表面形貌的影響,利用銀納米顆粒對紫外（UV）光的強(qiáng)吸收作用,獲得了表面起伏小的大面積高均勻性打印銀薄膜。研究表明打印銀電極的多孔結(jié)構(gòu)易導(dǎo)致高能濺射絕緣層粒子向電極內(nèi)部擴(kuò)散,造成銀底柵器件絕緣層有效厚度減少和缺陷態(tài)增加,導(dǎo)致絕緣層沉積質(zhì)量下降。通過在柵電極和半導(dǎo)體之間引入PVP有機(jī)阻擋層,部分修復(fù)了打印銀電極表面多孔結(jié)構(gòu),減小了表面粗糙度,保證了后續(xù)絕緣層薄膜沉積質(zhì)量。制備的打印銀柵電極非晶氧化銦鎵鋅... 

【文章來源】：華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：130 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

大尺寸AMOLED面板市場預(yù)測[1]

第一章緒論3印電極制備高性能MOS-TFT展開相關(guān)研究。圖1-2傳統(tǒng)光刻工藝和印刷工藝流程對比Figure1-2Comparisonbetweentraditionalphotolithographyandinkjetprintprocesses1.2MOS-TFT介紹1.2.1氧化物薄膜晶體管的優(yōu)勢圖1-3展示了不同分辨率和刷新率條件下大面積顯示器件對TFT驅(qū)動遷移率大小的需求，可以看出，高分辨率和高刷新率顯示器件對于薄膜晶體管的遷移率提出了更高的要求。遷移率是指單位電場強(qiáng)度下載流子的平均漂移速度，是評估薄膜晶體管器件性能的一個重要參數(shù)。圖1-3分辨率和刷新率對TFT遷移率的要求[3]Figure1-3RequirementofTFTmobilityfordifferentresolutionsandframerates[3]

第一章緒論3印電極制備高性能MOS-TFT展開相關(guān)研究。圖1-2傳統(tǒng)光刻工藝和印刷工藝流程對比Figure1-2Comparisonbetweentraditionalphotolithographyandinkjetprintprocesses1.2MOS-TFT介紹1.2.1氧化物薄膜晶體管的優(yōu)勢圖1-3展示了不同分辨率和刷新率條件下大面積顯示器件對TFT驅(qū)動遷移率大小的需求，可以看出，高分辨率和高刷新率顯示器件對于薄膜晶體管的遷移率提出了更高的要求。遷移率是指單位電場強(qiáng)度下載流子的平均漂移速度，是評估薄膜晶體管器件性能的一個重要參數(shù)。圖1-3分辨率和刷新率對TFT遷移率的要求[3]Figure1-3RequirementofTFTmobilityfordifferentresolutionsandframerates[3]


本文編號：3396130