晶體管特征尺寸的不斷縮小推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,將人類帶入了信息時(shí)代。但是隨著柵極長(zhǎng)度的減小,柵極電壓對(duì)于晶體管溝道的控制能力也快速衰減。為了提高電流開(kāi)關(guān)比,抑制短溝道效應(yīng),不斷縮小的特征尺寸要求晶體管的溝道厚度也急劇縮小。采用最新的鰭式結(jié)構(gòu)制備的硅晶體管,目前達(dá)到了7 nm的工藝節(jié)點(diǎn),其中它的鰭寬度（溝道厚度）已近縮小到5 nm。但是繼續(xù)縮小硅晶體管的溝道厚度,超薄的硅薄膜會(huì)產(chǎn)生大量的缺陷,將會(huì)嚴(yán)重影響硅晶體管的遷移率等電學(xué)性能。與傳統(tǒng)的硅基體材料半導(dǎo)體相比,二維半導(dǎo)體具有原子級(jí)平整的表面,所以在其達(dá)到原子尺度的極限厚度時(shí)仍然具有穩(wěn)定的電學(xué)和光學(xué)特性。另外,由于二維半導(dǎo)體其本身就是絕緣層上硅結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)柵極控制能力強(qiáng),可以有效抑制晶體管的短溝道效應(yīng),有望解決小尺度硅器件所面臨的主要挑戰(zhàn)。但是目前被發(fā)現(xiàn)的二維半導(dǎo)體都有各自的優(yōu)缺點(diǎn),可以直接代替硅的完美二維半導(dǎo)體仍然沒(méi)有出現(xiàn)。所以為了充分利用現(xiàn)有的二維半導(dǎo)體的優(yōu)良特性,將不同的二維半導(dǎo)體進(jìn)行組合,取長(zhǎng)補(bǔ)短,實(shí)現(xiàn)具有特殊功能的范德華異質(zhì)結(jié)器件是二維半導(dǎo)體研究的一個(gè)重要方向。本文基于以上研究思路,采用范德華異質(zhì)集成的方法,設(shè)計(jì)與制備不同... 

【文章來(lái)源】：武漢大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

體材料半導(dǎo)體和二維維半導(dǎo)體

MOSFEET的基本構(gòu)造造

面處.3.不同的處的能帶和載的柵極電壓Vg載流子變化


本文編號(hào)：3373881