新型磷光主體材料的設(shè)計、合成及應(yīng)用
發(fā)布時間:2021-08-18 23:08
有機發(fā)光二極管(OLED)憑借著其自身突出的技術(shù)和應(yīng)用特點,一經(jīng)問世便得到了人們的廣泛關(guān)注。經(jīng)過三十多年的發(fā)展,OLED材料開發(fā)及器件制備工藝均有了長足的進步,器件效率、亮度及壽命等性能指標都有了很大的提高,已經(jīng)達到或接近實用水平。OLED作為一種電致發(fā)光器件,發(fā)光材料是其核心組成部分,發(fā)光材料自身的性能很大程度上決定了器件的性能。因此高性能發(fā)光材料的開發(fā)一直是人們的研究熱點。第一代傳統(tǒng)熒光材料僅能利用25%的單線態(tài)激子的輻射躍遷過程實現(xiàn)發(fā)光,器件的最大內(nèi)量子效率一般限制在25%以內(nèi);第二代磷光材料的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)熒光材料發(fā)光機制的制約,使得三線態(tài)激子的輻射躍遷過程成為可能,因而極大地提高了材料的激子利用率,器件可以實現(xiàn)近乎100%的內(nèi)量子效率;第三代發(fā)光材料為熱活化延遲熒光(TADF)材料,這種材料很小的單線態(tài)-三線態(tài)能級差(△EST)使得三線態(tài)激子經(jīng)過反系間竄越(RISC)過程重新回到單線態(tài)的幾率大幅提高,增加了原本三線態(tài)激子的利用率,器件的最大內(nèi)量子效率理論上也可達到100%。值得注意的是,雖然基于TADF材料的OLED器件可以獲得很高的器件效率,但器件的色純度、效率滾降以及壽命...
【文章來源】:蘇州大學江蘇省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:263 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1-2我國古代最早關(guān)于發(fā)光材料的使用記錄??在那之后的幾十年里,關(guān)于博洛尼亞石的發(fā)光現(xiàn)象一直吸引著人們的注意,??
求,笑國無線電公司(Radio??CorporationofAmerica,RCA)進彳P丫人歟的相關(guān)實驗工作。其中?個屯要負齒??人H.?Leverenz開發(fā)并研宄f許多發(fā)光材料的性質(zhì),這些材料甚至現(xiàn)在仍在使用。??托、950?年,Lever.enz?發(fā)表—f?An?Introduction?to?Luminescence?in?Solids??書來總結(jié)??丨-1?li關(guān)丁?熒光粉的研究工作[461。多年來,這木書都被作為熒光粉材料的標準文本,??立到今人仍非常冇川。??_??圖1-4?1937年巴黎博覽會中用不同顏色燈具裝飾的艾菲爾鐵塔??19世紀主要的M程碑式發(fā)展在于發(fā)光材料在技術(shù)設(shè)備上的庖用,比如H.??Geissler和K.?F.?Braim作玻璃也立符屮對/_(休放和陽極財線14X1的研究以及??W.C.RGmgLMi對十X-W線的發(fā)觀|491。仵20丨II:紀初期,熒光粉吸引/越來越多的??5??
平板顯K領(lǐng)域發(fā)展也最??為迅速|61但是山于藍色薄膜電致發(fā)光器件進展緩慢|6a611,這便大大限制/薄膜??型電致發(fā)光器件在彩色顯¥中的應(yīng)用。??隨著對T半導體村料的基礎(chǔ)研究以及相關(guān)制備技術(shù)的小斷深入4成熟,發(fā)光??二極管(LED)的研制也有了快速的發(fā)展,性能也明顯提高,應(yīng)用領(lǐng)域也有了極??人的擴展,LED在顯示與照明方面的應(yīng)用也受到丫越來越多的重視。早仵1907??年,英國的無線電工程師H..丨.Round便報道丫在SiC晶體中通以正反兩個方向??的電流時可以觀察到微弱的黃光(如圖1-5所示)WI,這一發(fā)現(xiàn)通常被認為是關(guān)??于LED最早的報道。由?觀察到的發(fā)光太弱,3時這一發(fā)現(xiàn)并米能引起人們的??關(guān)注,研宄也就沒有繼續(xù)深入下去,后來這…報道也逐漸被人們遺忘。直到1923??年,這一現(xiàn)象乂被一位年輕的俄羅斯科學家O.V.?Lossev?(時年20歲)再次發(fā)現(xiàn)??[631,并拍攝了第一張SiC的電致發(fā)光圖片(圖1-6)。后來Lossev又對SiC器件??的電流-電壓特性進行了詳細的測試(如圖1-6所示),并實現(xiàn)了在正向以及反向??偏壓下的發(fā)光,這也是人類歷史上首次對半導體電致發(fā)光(即LED)進行的細致??研究。??n,1?-tocai?BOiiiaaurr.:??Wt。?t??j?i-?i?_?/????;-——J?????_?/s,:?:?「卜:??圖1-6?1924年俄羅斯科學家Oleg?Vladimirovich?Lossev所拍攝的第一張LHD電??致發(fā)光圖片(左圖,Wireless?World?and?Radio?Review,1924,?271,93?);?Lossev?繪??制的SiC
本文編號:3350801
【文章來源】:蘇州大學江蘇省 211工程院校
【文章頁數(shù)】:263 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1-2我國古代最早關(guān)于發(fā)光材料的使用記錄??在那之后的幾十年里,關(guān)于博洛尼亞石的發(fā)光現(xiàn)象一直吸引著人們的注意,??
求,笑國無線電公司(Radio??CorporationofAmerica,RCA)進彳P丫人歟的相關(guān)實驗工作。其中?個屯要負齒??人H.?Leverenz開發(fā)并研宄f許多發(fā)光材料的性質(zhì),這些材料甚至現(xiàn)在仍在使用。??托、950?年,Lever.enz?發(fā)表—f?An?Introduction?to?Luminescence?in?Solids??書來總結(jié)??丨-1?li關(guān)丁?熒光粉的研究工作[461。多年來,這木書都被作為熒光粉材料的標準文本,??立到今人仍非常冇川。??_??圖1-4?1937年巴黎博覽會中用不同顏色燈具裝飾的艾菲爾鐵塔??19世紀主要的M程碑式發(fā)展在于發(fā)光材料在技術(shù)設(shè)備上的庖用,比如H.??Geissler和K.?F.?Braim作玻璃也立符屮對/_(休放和陽極財線14X1的研究以及??W.C.RGmgLMi對十X-W線的發(fā)觀|491。仵20丨II:紀初期,熒光粉吸引/越來越多的??5??
平板顯K領(lǐng)域發(fā)展也最??為迅速|61但是山于藍色薄膜電致發(fā)光器件進展緩慢|6a611,這便大大限制/薄膜??型電致發(fā)光器件在彩色顯¥中的應(yīng)用。??隨著對T半導體村料的基礎(chǔ)研究以及相關(guān)制備技術(shù)的小斷深入4成熟,發(fā)光??二極管(LED)的研制也有了快速的發(fā)展,性能也明顯提高,應(yīng)用領(lǐng)域也有了極??人的擴展,LED在顯示與照明方面的應(yīng)用也受到丫越來越多的重視。早仵1907??年,英國的無線電工程師H..丨.Round便報道丫在SiC晶體中通以正反兩個方向??的電流時可以觀察到微弱的黃光(如圖1-5所示)WI,這一發(fā)現(xiàn)通常被認為是關(guān)??于LED最早的報道。由?觀察到的發(fā)光太弱,3時這一發(fā)現(xiàn)并米能引起人們的??關(guān)注,研宄也就沒有繼續(xù)深入下去,后來這…報道也逐漸被人們遺忘。直到1923??年,這一現(xiàn)象乂被一位年輕的俄羅斯科學家O.V.?Lossev?(時年20歲)再次發(fā)現(xiàn)??[631,并拍攝了第一張SiC的電致發(fā)光圖片(圖1-6)。后來Lossev又對SiC器件??的電流-電壓特性進行了詳細的測試(如圖1-6所示),并實現(xiàn)了在正向以及反向??偏壓下的發(fā)光,這也是人類歷史上首次對半導體電致發(fā)光(即LED)進行的細致??研究。??n,1?-tocai?BOiiiaaurr.:??Wt。?t??j?i-?i?_?/????;-——J?????_?/s,:?:?「卜:??圖1-6?1924年俄羅斯科學家Oleg?Vladimirovich?Lossev所拍攝的第一張LHD電??致發(fā)光圖片(左圖,Wireless?World?and?Radio?Review,1924,?271,93?);?Lossev?繪??制的SiC
本文編號:3350801
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