發(fā)布時(shí)間：2021-03-17 22:48

　　紫外光探測器被廣泛的用于環(huán)境監(jiān)測、火焰探測、導(dǎo)彈預(yù)警以及空間傳輸?shù)阮I(lǐng)域。MgZnO基紫外光探測器由于MgZnO材料的優(yōu)點(diǎn)受到了人們的廣泛關(guān)注。然而由于MgZnO材料穩(wěn)定的P型摻雜難以實(shí)現(xiàn),只能制備單一結(jié)構(gòu)器件,這阻礙了MgZnO探測器的發(fā)展。近些年,有機(jī)紫外探測器由于其制備簡單,成本較低,性能良好,得到了快速的發(fā)展。然而有機(jī)電子傳輸材料比有機(jī)空穴傳輸材料的載流子遷移率小的多,適合于有機(jī)紫外探測器的電子傳輸材料較少,這限制了有機(jī)紫外光探測器的發(fā)展。本文針對(duì)這兩種類型器件的不足,提出了以MgZnO材料為基礎(chǔ),選擇不同的有機(jī)空穴材料,制備了基于MgZnO和有機(jī)空穴傳輸材料的有機(jī)/無機(jī)復(fù)合型紫外光探測器,通過優(yōu)化條件,研制出了性能比較優(yōu)異的器件。主要研究工作如下：1.在石英ITO襯底上制備了Mg0.07Zn0.93O/NPB有機(jī)/無機(jī)復(fù)合紫外光探測器,研究了NPB厚度對(duì)于器件性能的影響。NPB 70 nm的探測器的器件性能最好,器件的響應(yīng)域?yàn)?00-400 nm,響應(yīng)峰為340nm,數(shù)值為0.192 A/W。在-2 V的工作電壓下,器件的光暗電流比為1.2×105,具有很高的信噪比。器件的探測... 

【文章來源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：102 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－５?ＭｇＺｎＯ探測器的光譜響應(yīng)ｗ??Ｆｉｇｕｒｅ?１－５?Ｓｐｅｃｔｒａｌ?ｒｅｓｐｏｎｓｅ?ｏｆ?ＭｇＺｎＯ?ｄｅｔｅｃｔｏｒ【巧??

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ＷａｖｅｌｅｎＷｈ?（ｎｍ）?ＶＶａ、ｅｌｅｎｆｉ化（ｎｍ）??圖１－８?Ｍ扣ｎＯ巧巧的透射光巧和巧件的響應(yīng)光譜ｗ??Ｆｉｇｕｒｅ?１－８?Ｔｒａｎｓｍｉ巧ｉｏｎ?ｓｐｅｃｔｒａ?ｏｆ?ＭｇｘＺｎｉ＿ｘ〇?ｔｈｉｎ?ｆｉｌｍｓ?ａｎｄ?ｓｐｅｃｔｒａ?ｒｅｓｐｏｎｓｅ?ｏｆ?ＭｇｘＺｎｉ．ｘＯ??ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ?［５６］??２０１１年，中科院長春光機(jī)所通過ＭＯＣＶＤ方法在藍(lán)寶石襯底上生長了?Ｍｇ低組分??的六方相Ｍｇ，Ｚｎｉ－，０，并Ｗ此為基礎(chǔ)制備了基于Ｍｇｅ．ｏｅＺｎＤ．ＭＯ薄膜的ＭＳＭ紫外光探測器??Ｗ。該器件在３Ｖ的王作電壓下，響應(yīng)峰值在３４０?ｎｍ，數(shù)值達(dá)到了?１４．６２?Ａ／Ｗ。紫??外可見比超過了兩個(gè)＊級(jí)。圖＾９為ＭｇＺｎＯ薄膜的透射光譜和Ｍｇｅ．〇ｅＺｎｅ．Ｍ〇器件的??響應(yīng)光譜。??？?。?「１?１?Ｉ?／?。，‘?＇ｐｐｉｗｗ＂…?＼??３?／?ｇ?．２＾．已—進(jìn)．??－Ｓ＇?０．０Ｓ?．??ＩＩＩ?／?／?：?ｌｏｏｔ?＾?Ｊｆｆ＊??是?Ｍ?以含。＂?？？？？？??２．５?３．０?３．５?４．０?？．５?２００?３００?４

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3087850