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應(yīng)用于CMOS圖像傳感器的高性能列讀出電路關(guān)鍵技術(shù)研究

發(fā)布時間:2021-03-11 10:56
  超高清攝影攝像、虛擬現(xiàn)實、增強現(xiàn)實、自動駕駛、機器視覺等應(yīng)用,對CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor,CIS)提出更大像素分辨率、更快幀頻、更寬動態(tài)范圍的要求。相應(yīng)要求CIS讀出電路速度更快、精度更高。列讀出電路是各類讀出電路速度與精度的折中,適合較快速度、較高精度應(yīng)用。逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register,SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog-to-digital Converter,ADC)的速度與精度適中、結(jié)構(gòu)簡單、功耗較小且易于在深亞微米工藝條件下設(shè)計,可以滿足列讀出電路速度與精度要求。但隨著精度提高,為滿足分辨率、匹配與采樣噪聲的要求,SAR ADC中電容陣列的電容數(shù)量、單位電容容值呈指數(shù)增長。為緩解電容數(shù)量過多、容值過大的問題,本論文從電路架構(gòu)、失配校正與降采樣噪聲三方面研究相應(yīng)的技術(shù),使SAR ADC能更有效地應(yīng)用到列讀出電路中。針對電容數(shù)量過多的問題,本文采用了一種基于比例基準的二步式SAR ADC列讀出電路。該ADC利用7位電容陣列與比例基準實現(xiàn)14位分辨率。該電容陣列與一對外部基準實現(xiàn)高7位轉(zhuǎn)換;與另一對... 

【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:181 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

應(yīng)用于CMOS圖像傳感器的高性能列讀出電路關(guān)鍵技術(shù)研究


降采樣噪聲SARADC芯片照片

【參考文獻】:
期刊論文
[1]信息物理融合系統(tǒng)(CPS)研究綜述[J]. 黎作鵬,張?zhí)祚Y,張菁.  計算機科學(xué). 2011(09)

博士論文
[1]基于多次曝光技術(shù)的大動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器研究[D]. 高志遠.天津大學(xué) 2015
[2]抗輻射數(shù)字像素CMOS圖像傳感器研究[D]. 李淵清.天津大學(xué) 2014
[3]CMOS-TDI圖像傳感器研究與芯片實現(xiàn)[D]. 聶凱明.天津大學(xué) 2014
[4]應(yīng)用于監(jiān)控安防領(lǐng)域的CMOS圖像傳感器關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 李曉晨.天津大學(xué) 2013
[5]基于混合域累加的TDI型CMOS圖像傳感器關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 高岑.天津大學(xué) 2012
[6]CMOS圖像傳感器噪聲抑制研究[D]. 李軒.天津大學(xué) 2010
[7]超高速數(shù)字CMOS圖像傳感器關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 張娜.天津大學(xué) 2008

碩士論文
[1]超級像素CMOS圖像傳感器技術(shù)研究[D]. 王俊.中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所) 2014



本文編號:3076347

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