由于對紅外探測器性能的要求不斷提高,光子型探測材料因其靈敏度高、響應(yīng)速度快、探測率高等優(yōu)勢成為優(yōu)選材料。InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料具有帶隙可在3-30μm范圍可調(diào)、適宜大面積均勻性生長、隧穿電流小和量子效率高等特點。當(dāng)探測范圍擴展到8-14μm波長及甚長波的波段范圍時,有望在器件性能上超越碲鎘汞材料成為研究熱點。本論文利用分子束外延技術(shù)結(jié)合表面遷移增強方法（MEE）,通過優(yōu)化生長GaSb緩沖層、ⅡI/V束流比、生長溫度、界面類型等參數(shù)進行超晶格材料生長,并著重改善半導(dǎo)體制備工藝,對不同尺寸的未鈍化與鈍化器件暗電流作用機制及光電響應(yīng)進行研究,期望通過提高零偏壓電阻值（R0A）、降低暗電流,提升器件的操作溫度和探測率�；诖吮菊撐闹饕芯績�(nèi)容如下:對比分析超晶格材料生長溫度在390℃到420℃范圍、InSb界面層厚度為0-2ML時,0級,±1級衍射峰半高寬大小及表面粗糙度的變化。發(fā)現(xiàn)當(dāng)生長溫度為400℃,InSb插入層厚為1ML時,材料半高寬大小為24.84arcsec,表面粗糙度為2.0?,獲得較高的超晶格材料質(zhì)量。利用光致發(fā)光譜（PL）測試分析,在77K時,超晶格材料顯示光學(xué)帶... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

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【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

電磁能譜波長范圍[4]

圖 1-1 電磁能譜波長范圍[4]Fig.1-1 Electromagnetic spectrum[4] 1-2 清晰的顯示了紅外波段在大氣中傳播時的透射情況，呈現(xiàn)出窗口，而利用不同紅外波段的透射情況，又可將紅外波段的應(yīng)用范圍：I 0.75 至 1.5μm 近紅外波段；II 1.5μm 至 2.5μm 短波紅外 中波紅外；8μm 至 12μm 長波紅外；12μm 至 32μm 超長波紅外波段具有不同的應(yīng)用領(lǐng)域。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位論文像技術(shù)發(fā)展，進行規(guī)模化生產(chǎn)制造，在海、陸、空軍中進行軍事強國也相繼在 80 年代完成了對紅外探測技術(shù)的規(guī)劃，紅事裝備中不可或缺的重要組成部分。我國于 90 年代開始自主技術(shù)在軍事上應(yīng)用的探索，目前最廣泛應(yīng)用的仍然主要是 H，由于紅外探測器具有體積小、重量輕、功耗低等特點，可在軍事上被廣泛應(yīng)用于搜索監(jiān)控、火力控制、偵查預(yù)警、導(dǎo)。紅外技術(shù)已經(jīng)成為國家安全依賴的重要技術(shù)手段，尤其在航導(dǎo)彈的早期預(yù)警、跟蹤、識別、攔截等方面成為重要的核 為紅外技術(shù)在民用、軍用領(lǐng)域幾種常見的應(yīng)用。

【參考文獻】：
期刊論文
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