由于對紅外探測器性能的要求不斷提高,光子型探測材料因其靈敏度高、響應速度快、探測率高等優(yōu)勢成為優(yōu)選材料。InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料具有帶隙可在3-30μm范圍可調(diào)、適宜大面積均勻性生長、隧穿電流小和量子效率高等特點。當探測范圍擴展到8-14μm波長及甚長波的波段范圍時,有望在器件性能上超越碲鎘汞材料成為研究熱點。本論文利用分子束外延技術結(jié)合表面遷移增強方法（MEE）,通過優(yōu)化生長GaSb緩沖層、ⅡI/V束流比、生長溫度、界面類型等參數(shù)進行超晶格材料生長,并著重改善半導體制備工藝,對不同尺寸的未鈍化與鈍化器件暗電流作用機制及光電響應進行研究,期望通過提高零偏壓電阻值（R0A）、降低暗電流,提升器件的操作溫度和探測率�；诖吮菊撐闹饕芯績�(nèi)容如下:對比分析超晶格材料生長溫度在390℃到420℃范圍、InSb界面層厚度為0-2ML時,0級,±1級衍射峰半高寬大小及表面粗糙度的變化。發(fā)現(xiàn)當生長溫度為400℃,InSb插入層厚為1ML時,材料半高寬大小為24.84arcsec,表面粗糙度為2.0?,獲得較高的超晶格材料質(zhì)量。利用光致發(fā)光譜（PL）測試分析,在77K時,超晶格材料顯示光學帶... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

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【學位級別】：博士

【部分圖文】：

電磁能譜波長范圍[4]

圖 1-1 電磁能譜波長范圍[4]Fig.1-1 Electromagnetic spectrum[4] 1-2 清晰的顯示了紅外波段在大氣中傳播時的透射情況，呈現(xiàn)出窗口，而利用不同紅外波段的透射情況，又可將紅外波段的應用范圍：I 0.75 至 1.5μm 近紅外波段；II 1.5μm 至 2.5μm 短波紅外 中波紅外；8μm 至 12μm 長波紅外；12μm 至 32μm 超長波紅外波段具有不同的應用領域。

哈爾濱工業(yè)大學工學博士學位論文像技術發(fā)展，進行規(guī)�；a(chǎn)制造，在海、陸、空軍中進行軍事強國也相繼在 80 年代完成了對紅外探測技術的規(guī)劃，紅事裝備中不可或缺的重要組成部分。我國于 90 年代開始自主技術在軍事上應用的探索，目前最廣泛應用的仍然主要是 H，由于紅外探測器具有體積小、重量輕、功耗低等特點，可在軍事上被廣泛應用于搜索監(jiān)控、火力控制、偵查預警、導。紅外技術已經(jīng)成為國家安全依賴的重要技術手段，尤其在航導彈的早期預警、跟蹤、識別、攔截等方面成為重要的核 為紅外技術在民用、軍用領域幾種常見的應用。

【參考文獻】：
期刊論文
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