量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）是一種新興的無機(jī)納米晶體自發(fā)光技術(shù),由于材料的納米尺寸效應(yīng),量子點(diǎn)（QDs）不僅可以產(chǎn)生R、G、B三基色且光譜半峰寬窄至28 nm,可實(shí)現(xiàn)很高的色純度。隨著噴墨打印制備有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）顯示面板產(chǎn)業(yè)技術(shù)的突破,采用相同制程的QLED顯示技術(shù)正在成為開發(fā)下一代大尺寸新型顯示面板技術(shù)關(guān)注的焦點(diǎn)。但是目前對于噴墨打印制備QLED器件的研究依然處于起步階段,打印過程中還存在著層間溶劑侵蝕問題、墨水在膜層上的鋪展問題、空穴傳輸材料體系不完善及層間界面問題,上述因素嚴(yán)重影響了噴墨打印QLED器件的性能。此外,要實(shí)現(xiàn)全溶液法制備QLED器件還需要進(jìn)行頂電極的溶液法制備以替代真空蒸鍍電極,擺脫QLED器件制備對高真空環(huán)境的依賴。為了解決上述的噴墨打印QLED器件中所存在的問題,本論文從三個(gè)方面進(jìn)行了認(rèn)真細(xì)致的研究,重點(diǎn)完成了以下三方面創(chuàng)新性工作:1.本論文將已在產(chǎn)業(yè)中應(yīng)用的具有高空穴遷移率的聚合物空穴傳輸材料poly(9,9-dioctylfluorene-alt-N-（4-sec-Butyl phenyl）-diphenylamine（TFB）與本團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)合成的交... 

【文章來源】：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：109 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１?（ａ）第一個(gè)ＱＬＥＤ器件采用的兩種器件結(jié)構(gòu)及（ｂ）電致發(fā)光光譜Ａ??在量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面，最初的ＣｄＳｅ量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)還是采用的ＣｄＳｅ純核的??

子來替代油酸酯長鏈配體，以此來調(diào)節(jié)優(yōu)化ＰｂＳ?（硫化鉛）量子點(diǎn)之間的距離，??從而優(yōu)化了電荷注入／傳輸和激子輻射復(fù)合之間的平衡。Ｓｈｅｎ等人１１４］用１－辛硫醇??替換了藍(lán)光量子點(diǎn)中的油酸配體，由于降低了點(diǎn)對點(diǎn)距離，較短的１－辛硫醇配體??改善了從聚合物空穴傳輸層到量子點(diǎn)層的空穴注入以及電子在量子點(diǎn)薄膜內(nèi)的??傳輸。這些優(yōu)點(diǎn)導(dǎo)致藍(lán)光ＱＬＥＤ器件具有￣２．６?Ｖ的低啟亮電壓和最大１２．２％的??外量子效率（ＥＱＥ），與使用油酸配體的ＱＬＥＤ器件相比；最大外量子效率增加??了約７０％，如圖１．２所示。??（ａ）???ｅ?（ｂ）８ｌ?１４??｜；：；?＿＾＾：：｜?｜４．?／＾＼－２！??－１〇＇?：１〇°＂?２－???ｉ１０．?＿—＿Ｊｎ??２?３?４?５?１０°?１０１?１０２?１?０３?１?０＾??Ｖ?（Ｖ）?Ｌ?（ｃｄ／ｍ２）??圖１．２?Ｓｈｅｎ等人采用油酸配體和１－辛硫醇配體的ＱＬＥＤ器件的（ａ）Ｊ－Ｖ－Ｌ曲線以及（ｂ）ＥＱＥ－??Ｌ－ＣＥ曲線丨１４丨。??在ＱＬＥＤ器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面，最初的器件結(jié)構(gòu)中量子點(diǎn)層不僅作為發(fā)光層，??３??

Ｄ器件的器件能級結(jié)構(gòu)示意圖岡。??２００８年，Ｓｔｏｕｗｄａｍ等人［２１】發(fā)現(xiàn)使用ＺｎＯ納米晶體可以作為ＱＬＥＤ器件的??電子傳輸層，同時(shí)使用有機(jī)材料ｐ〇ｌｙ（９－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）?（ＰＶＫ）作為空穴傳輸層，??這樣發(fā)光層與電荷傳輸層均可以使用溶液法進(jìn)行制備。ＺｎＯ納米晶體分散在異??丙醇中，這樣在旋涂ＺｎＯ時(shí)就不會(huì)對下層的量子點(diǎn)層造成破壞。盡管制備得到??的ＱＬＥＤ器件的效率很低，甚至不及不使用ＺｎＯ的器件，但是ＺｎＯ的引入使得??器件的啟亮電壓降低了?２?Ｖ左右（如圖１．５所示），這說明ＺｎＯ與ＱＤ之間的電??子注入勢壘很校于是，從那時(shí)起，研宄者們開始采用這種有機(jī)材料與無機(jī)材料??混雜的ＱＬＥＤ器件結(jié)構(gòu)。??（ａ）?１?〇〇?—Ｉ—Ｉ—＇—Ｉ—？—Ｉ—＞——）—■￣—Ｉ—１—３?（ｂ）?￣１?＇?Ｉ?＇?ｉ?＇?ｔ?１?Ｉ?１??Ｐ?？０１５?．臣?＇??Ｅ?—〇—ＮｏＺｎＯ??互?￣２０?ｎｍ?ＺｎＯ??二?ｎｏ?ＺｎＯ?．／?Ｚ?一?—ｔ＊—?３２?ｎｍ?ＺｎＯ??嘗?１°：：以：認(rèn)，／?，?＇??ｉ?＃?／?Ｉ?／?—叫??§?．?Ｓ?／?ＬＵ?．?ｆ??｜?１?／?！?？?０．０５－?ｊ??ｉ?／?／?：?｜??°－１ｉ?＇?２?？?４?＂＇ｅ?？?／?１?１０?＇?１２?」０．００Ｌｉ???Ｕ?Ｕ?０?２０?４０?６０?８０?１００??Ｂｂｓ?⑵?Ｃｕｒｒｅｎｔ?Ｄｅｎｓｉｔｙ?（ｍＡ／ｃｍ２）??圖１．５?Ｓｔｏｉｍｄａｍ等人制備的使用ＺｎＯ以及不使用ＺｎＯ的ＱＬＥＤ器件的（ａ）Ｌ－Ｖ曲線和??（ｂ）ＣＥ－Ｊ曲線１川。??５??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Full-color quantum dots active matrix display fabricated by ink-jet printing[J]. Congbiao Jiang,Lan Mu,Jianhua Zou,Zhiwei He,Zhenji Zhong,Lei Wang,Miao Xu,Jian Wang,Junbiao Peng,Yong Cao.  Science China(Chemistry). 2017(10)



本文編號：2943602