銦基半導(dǎo)體納米材料的制備及高壓研究
【學(xué)位單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2015
【中圖分類】:TN304;TB383.1
【部分圖文】:
第一章 緒論 納米科技與納米材料“納米”,是近幾十年被提出,但很快應(yīng)用在各行各業(yè)的一個(gè)新興詞匯。成為了形容尺度小的一個(gè)代名詞。“納米”其實(shí)是一個(gè)長度單位,在國際單(SI)中,1 nm=10-9m。如圖 1.1 為處于不同的尺度范圍內(nèi)的物體。通常人們把維空間中至少有一維尺度處于 1-100 nm 范圍內(nèi),或由它們作為基本單元組材料稱為納米材料。而對(duì)于納米科技,正是研究包含在這一尺度范圍內(nèi)的物納米尺度范圍內(nèi),物質(zhì)的物理、化學(xué)、生物性質(zhì)都會(huì)發(fā)生改變,因此,納米為我們提供了制造新的功能和智能材料的工具,并且能系統(tǒng)的調(diào)控這些處于尺度的材料,使其新奇的性質(zhì)得到廣泛應(yīng)用。
圖 1.2 利用飛秒激光微納加工技術(shù)制備出的 Au 的微納結(jié)構(gòu)隨著科學(xué)技術(shù)日新月異的發(fā)展,人們已在納米領(lǐng)域有了相當(dāng)?shù)某删停?0 年,美國圣荷塞 IBM 阿爾馬登研究所的 D.M.Eigler 等人成功地利用 S液氦溫度(4.2 K)和超真空環(huán)境下,實(shí)現(xiàn)了對(duì)吸附在 Ni(110)表面的 Xe 原子的搬遷,最終以 35 個(gè) Xe 原子排成 IBM 三個(gè)字母;中國科學(xué)院也在 1993 年也原子排列成“原子”字樣,實(shí)現(xiàn)的對(duì)原子的操控。如圖 1.2 所示,最近吉林的 Xu 等人通過飛秒激光微納加工技術(shù)制備出了各種有著有趣圖案的 Au 的米結(jié)構(gòu)[3],充分體現(xiàn)納米科學(xué)的藝術(shù)美,可以預(yù)料納米技術(shù)必將逐漸發(fā)展成信息、生物、能源技術(shù)之后,又一影響人類和社會(huì)經(jīng)濟(jì)的重要技術(shù)。
表面原子數(shù)占總原子數(shù)的比例隨粒子大小的變化曲線
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 ;物理所低維半導(dǎo)體納米材料的結(jié)構(gòu)與熱電特性研究取得進(jìn)展[J];硅酸鹽通報(bào);2013年02期
2 吳曉春,陳文駒;半導(dǎo)體納米材料非線性光學(xué)性質(zhì)的研究進(jìn)展[J];物理;1996年04期
3 潘雄;;利用納粹材料,開發(fā)多功能、高附加值的功能織物[J];功能材料信息;2005年03期
4 陳春燕;劉永剛;;Ⅱ-Ⅵ半導(dǎo)體納米材料研究進(jìn)展[J];廣東化工;2006年03期
5 彭天右;易華兵;;半導(dǎo)體納米材料及其光電極器件分解水制氫的研究進(jìn)展[J];功能材料信息;2007年01期
6 Christina Nickolas;;可延展電子器件能實(shí)現(xiàn)極度的彎曲和形變 半導(dǎo)體納米材料能被應(yīng)用在多種設(shè)備中[J];今日電子;2009年04期
7 楊玉平;虎嘯川;汪洪劍;湯廣怡;龍亮;;太赫茲光譜技術(shù)在半導(dǎo)體納米材料中的應(yīng)用[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;2009年12期
8 ;新材料與新工藝[J];軍民兩用技術(shù)與產(chǎn)品;2013年03期
9 牛國棟;劉建雄;吳正宇;張金萍;;金屬化合物型半導(dǎo)體納米材料的制備及研究現(xiàn)狀[J];熱加工工藝;2013年22期
10 彭天右;;半導(dǎo)體納米材料的制備及其光催化制氫的研究進(jìn)展[J];功能材料信息;2007年05期
相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條
1 湯順熙;銦基半導(dǎo)體納米材料的制備及高壓研究[D];吉林大學(xué);2015年
2 彭卿;硒碲化合物半導(dǎo)體納米材料的調(diào)控合成、結(jié)構(gòu)與性能研究[D];清華大學(xué);2003年
3 馮昊;半導(dǎo)體納米材料的生長仿真與物理特性研究[D];北京郵電大學(xué);2012年
4 潘軍;有機(jī)分子輔助的半導(dǎo)體納米材料的控制合成與性能研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2010年
5 侯士麗;硫化物半導(dǎo)體納米材料的制備及特性研究[D];華東師范大學(xué);2010年
6 王新娟;幾種半導(dǎo)體納米材料的液相控制合成、形成機(jī)理及性能研究[D];湖南大學(xué);2011年
7 葉寒;半導(dǎo)體納米材料生長機(jī)制和結(jié)構(gòu)特性研究[D];北京郵電大學(xué);2012年
8 顧鋒;半導(dǎo)體納米材料的制備及發(fā)光性質(zhì)的研究[D];山東大學(xué);2005年
9 鐘寬;電化學(xué)方法制備金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料及其性質(zhì)研究[D];中山大學(xué);2010年
10 白天語;金屬硫硒化物半導(dǎo)體納米材料的制備與性質(zhì)研究[D];吉林大學(xué);2015年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 史瑞松;半導(dǎo)體納米材料的制備及其光電性能的研究[D];華中師范大學(xué);2011年
2 王;;十二烷基硫酸鹽體系制備半導(dǎo)體納米材料[D];山東大學(xué);2009年
3 胡松;Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體納米材料的合成和光學(xué)性能的研究[D];湖南大學(xué);2011年
4 鞠鵬;半導(dǎo)體納米材料的合成及其毒理作用和光電催化降解污染物的研究[D];山東農(nóng)業(yè)大學(xué);2012年
5 宋宏磊;染料—半導(dǎo)體納米材料對(duì)巰基小分子的光電傳感[D];大連理工大學(xué);2013年
6 余小明;鋅基半導(dǎo)體納米材料的控制生長與改性研究[D];南昌大學(xué);2008年
7 連加彪;功能半導(dǎo)體納米材料的形貌可控合成、表征及性能研究[D];南開大學(xué);2010年
8 王娜娜;聚合物和半導(dǎo)體納米材料的光學(xué)非線性的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2006年
9 李林剛;硫化物半導(dǎo)體納米材料的制備及光催化性質(zhì)研究[D];暨南大學(xué);2006年
10 黃大海;一維氮化銦半導(dǎo)體納米材料的合成與物性研究[D];吉林大學(xué);2012年
本文編號(hào):2843181
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/xxkjbs/2843181.html