冷原子量子存儲(chǔ)器的實(shí)驗(yàn)研究
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:O431.2;TP333
【圖文】:
軸為光哄裝載時(shí)間點(diǎn)相對(duì)于冷卻光關(guān)斷時(shí)間,縱軸為光哄陷俘原子團(tuán)光學(xué)厚度峰值。用區(qū)域,也會(huì)影響俘獲原子數(shù)目。圖2.2的橫坐標(biāo)為光哄陷俘激光^u啟時(shí)間點(diǎn)相對(duì)于冷卻光關(guān)斷的時(shí)間差;縱坐標(biāo)為拍照光講束縛原子布局的中心峰值位置的庿原子團(tuán)光學(xué)厚度。激光波長(zhǎng)為780.74nm,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)點(diǎn)是在關(guān)斷冷卻光,重新粟浦光,磁場(chǎng)等后等待26rns后的原子拍照得到的結(jié)果?梢钥吹剑庵v激光與冷卻光共存時(shí)間稍長(zhǎng),峰值原子的光學(xué)厚度就迅速減小。依照所測(cè)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,我們?cè)O(shè)重新冷卻光關(guān)斷0.3ms后開啟原子光講陷俘。接著,我們測(cè)量了在光勢(shì)講波長(zhǎng)780.54nm不同光講哄深下,勢(shì)講所陷俘的原子總數(shù)的變化規(guī)律。參見圖2.3,光哄陷俘原子總數(shù)原子與光勢(shì)講深近似成線性比例。物理圖像上很直觀,光勢(shì)講越深,可抓取原子系綜的有效區(qū)域就越大。光哄俘獲冷原子
我們測(cè)量了在光勢(shì)講波長(zhǎng)780.54nm不同光講哄深下,勢(shì)講所陷俘的原子總數(shù)的變化規(guī)律。參見圖2.3,光哄陷俘原子總數(shù)原子與光勢(shì)講深近似成線性比例。物理圖像上很直觀,光勢(shì)講越深,可抓取原子系綜的有效區(qū)域就越大。光哄俘獲冷原子,我們關(guān)心和必須考慮的一個(gè)物理量,即原子俘獲壽命。在只采用一個(gè)入射方向的光勢(shì)講,原子團(tuán)很快地就被光散射出成像用CCD相機(jī)的工作區(qū)域?删_測(cè)量原子團(tuán)原子數(shù)目的時(shí)間尺度大致在五六十毫秒。超過該時(shí)間尺度,相當(dāng)多的原子已移出CCD相機(jī)成像區(qū)域了。在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析上,很難得到原子數(shù)隨陷俘時(shí)間的衰減壽命。17
【共引文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2728986
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