本文關(guān)鍵詞：復(fù)合鉿基高k薄膜的雙頻等離子體涂覆及機(jī)理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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復(fù)合鉿基高k薄膜的雙頻等離子體涂覆及機(jī)理研究中文摘要I復(fù)合鉿基高k薄膜的雙頻等離子體涂覆及機(jī)理研究中文摘要以硅基集成電路為核心的微電子工業(yè)正遵循著摩爾定律蓬勃發(fā)展。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展規(guī)劃指出,2015年以后半導(dǎo)體器件將進(jìn)入22 nm線寬的納電子器件時(shí)代,并將持續(xù)縮小特征尺寸。然而器件的溝道尺寸和柵介質(zhì)厚度等物理尺寸并不能無限縮小。在65 nm線寬工藝制程中,傳統(tǒng)柵介質(zhì)材料SiO2的厚度已經(jīng)接近原子間距,達(dá)到物理極限。受隧穿效應(yīng)的影響,柵極漏電流開始成為一個(gè)不容忽視的問題。采用高k材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的SiO2則能有效解決上述問題,因?yàn)樵诰哂邢嗤刃а趸瘜雍穸鹊那疤嵯?高k柵介質(zhì)具有更大的物理厚度來限制隧穿效應(yīng)的影響,防止漏電流增大和雜質(zhì)擴(kuò)散。以HfO2為代表的鉿基高k薄膜因具有相對(duì)較高的介電常數(shù)、較寬的帶隙以及與Si襯底之間較大的導(dǎo)帶偏移(1.5 eV),成為目前備受關(guān)注、最具應(yīng)用前景的新型柵介質(zhì)材料之一。但是,鉿基高k材料作為目前MOS工藝中新型柵介質(zhì)材料應(yīng)用時(shí),仍具有一定的不足之處,如HfO2在制備過程中易形成氧空位等本征缺陷、與Si襯底之間易形成界面層以及與金屬電極接觸會(huì)形成費(fèi)米能級(jí)的釘扎等。如何優(yōu)化鉿基高k材料的質(zhì)量和提高鉿基柵介質(zhì)的性能,成為國(guó)內(nèi)外... 內(nèi)容來自轉(zhuǎn)載請(qǐng)標(biāo)明出處.

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