發(fā)布時間：2017-11-04 22:04

  本文關(guān)鍵詞：電子倍增CCD的倍增機理研究

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【摘要】：電子倍增電荷耦合器件(簡稱EMCCD),是一種新型全固態(tài)微光夜視器件。近年來英美等國在電子倍增技術(shù)上取得了很大進步,使用全固態(tài)倍增結(jié)構(gòu),有效提高抗輻射能力、避免強光損傷;使用分裂柵虛相技術(shù),提高探測靈敏度、降低暗電流；通過深度制冷及適當倍增實現(xiàn)單光子探測。但是,關(guān)于EMCCD研究仍然存在著兩方面的問題：一是EMCCD沒有完整的數(shù)學模型,不利于進一步優(yōu)化及應(yīng)用；二是EMCCD受倍增極結(jié)構(gòu)等方面的限制,輸出的微光圖像時間分辨率不高。同時,國外對該技術(shù)加強封鎖,使得我國自主研發(fā)工作進展較慢,現(xiàn)階段理論研究和制作工藝等方面與發(fā)達國家還有一定差距。因此,本文從電子倍增技術(shù)的理論出發(fā),通過仿真研究建立完整的數(shù)學模型,提出更好的技術(shù)和方案,對解決EMCCD現(xiàn)有的問題、提高我國EMCCD倍增理論認知水平、加快該技術(shù)在我國各領(lǐng)域的應(yīng)用有著重要意義。論文主要工作分為以下幾部分：首先,本文建立了電荷載流子倍增寄存器(簡稱CCM)的結(jié)構(gòu)模型。CCM采用隱埋溝道避開界面態(tài),外加?xùn)艠O電壓與偏置電壓對CCM共同作用形成電荷傳輸溝道。通過理論計算得到溝道電勢和Z平面位置,通過建模仿真研究柵極電壓、偏置電壓、氧化層厚度、埋溝厚度、埋溝摻雜及襯底摻雜等物理參數(shù)對溝道的影響,參照埋溝器件與仿真結(jié)果,得出了最佳參數(shù)匹配,與實際器件情況符合。其次,本文建立了EMCCD綜合倍增模型。除電場強度外,還有材料種類、晶格方向以及工作溫度等因素不同程度地影響著電子倍增。在各因素獨立分析的基礎(chǔ)上,模型優(yōu)化采用倍增級數(shù)、倍增間距和電場強度三個必要參數(shù),結(jié)合CCM最佳參數(shù),計算結(jié)果與TI實際器件的倍增曲線吻合。最后,本文建立了EMCCD有限和無限能量兩種噪聲模型,并分別推導(dǎo)出噪聲因子公式。額外噪聲因子表征了器件增益起伏程度,因此為深入研究EMCCD倍增性能,本文做了下列四項性能測試：(1)實測了標稱增益EM-DAC與真實增益的對應(yīng)曲線,結(jié)果表明兩者并非線性關(guān)系；(2)實測了EMCCD特有的串行增益時鐘感生電荷(簡稱CIC),用本底噪聲測試法得到不同積分時間下CIC的數(shù)量級為0.01～0.1rms/pixel,略高于讀出噪聲；(3)根據(jù)三種EMCCD的光譜響應(yīng)計算典型景物對夜天光反射光譜與EMCCD的匹配系數(shù),優(yōu)越的匹配性能決定了EMCCD微光觀察的高靈敏度；(4)計算了兩種EMCCD倍增圖像的均勻性,相同增益(300倍)條件下,測試均勻度指標均在1%左右,這代表了高端EMCCD倍增圖像的增益起伏程度。論文綜合以上工作,得出下列結(jié)論。(1)硅基探測器是實現(xiàn)倍增增益的基礎(chǔ),(2)倍增寄存器使用淺摻雜突變分布,(3)選取單一載流子倍增,(4)使用單級增益、多級倍增方案。最后針對研究的不足之處,對今后電子倍增技術(shù)的發(fā)展與研究提出了展望。
【學位授予單位】：南京理工大學
【學位級別】：博士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN386.5

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條

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2 張燦林;陳錢;尹麗菊;;電子倍增CCD倍增要件研究[J];光子學報;2009年11期

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本文編號：1141304