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低維原子晶體材料在金屬基底上生長及物性的第一性原理計(jì)算

發(fā)布時(shí)間:2018-05-05 13:06

  本文選題:第一性原理計(jì)算 + 石墨烯 ; 參考:《中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所)》2017年博士論文


【摘要】:材料的發(fā)展史既是科學(xué)技術(shù)的發(fā)展史也是人類社會(huì)的發(fā)展史。一直以來,從天然材料到人工材料,從傳統(tǒng)材料到新材料,人類孜孜不倦地汲取著材料大海里的營養(yǎng)。由于石墨烯——首個(gè)被成功制備的二維原子晶體材料有著諸如:高的電子遷移率、優(yōu)良的力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)以及量子霍爾效應(yīng)等新奇物性,使得關(guān)于各種新型二維原子晶體材料的研究倍受關(guān)注。但是,成功地應(yīng)用這些二維原子晶體材料的首要條件就是能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量、大面積的材料制備,并且能夠?qū)ζ湮锢砘瘜W(xué)性質(zhì)實(shí)現(xiàn)可控調(diào)制。本論文的工作就是從這兩個(gè)目的出發(fā),利用基于密度泛函理論的第一性原理計(jì)算方法,結(jié)合掃描隧道顯微鏡的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,開展了石墨烯以及硅二維結(jié)構(gòu)在過渡金屬Ru(0001)表面上的生長機(jī)制,以及摻雜石墨烯納米帶能帶調(diào)控的研究。取得的主要研究成果如下:1.Ru(0001)表面石墨烯生長機(jī)制的研究。石墨烯在金屬表面上的生長過程中,前驅(qū)體對(duì)于石墨烯生長的質(zhì)量和尺寸有著至關(guān)重要的作用。目前關(guān)于石墨烯生長過程中的前驅(qū)體的構(gòu)型眾說紛紜。結(jié)合掃描隧道顯微鏡的實(shí)驗(yàn),從第一性原理計(jì)算出發(fā),研究了石墨烯成核階段中前驅(qū)體的構(gòu)型。計(jì)算結(jié)果表明,以乙烯分子作為C源在Ru(0001)上生長石墨烯時(shí),前驅(qū)體是非平面的CH2單體和CH2二聚體組成的鏈狀結(jié)構(gòu)。這些非平面的CH2單體和二聚體吸附在Ru(0001)表面上的六方密堆積的空位,沿著表面上的三個(gè)高對(duì)稱方向排列分布。這項(xiàng)工作揭示了石墨烯在Ru(0001)表面上生長時(shí)的前驅(qū)體構(gòu)型,通過控制碳源及前驅(qū)體的量可以控制石墨烯的質(zhì)量及尺寸。2.Ru(0001)表面上一系列硅二維結(jié)構(gòu)的生長:硅魚骨結(jié)構(gòu)、硅魚骨和類硅烯共存結(jié)構(gòu)和硅烯。硅烯不僅本身具有優(yōu)異性質(zhì),比石墨烯更有吸引力的一點(diǎn)在于其可以與硅基半導(dǎo)體器件更好的兼容。目前人們僅在少數(shù)基底上,如:Ag(111)、Ir(111)和ZrB2(0001)等,制備出硅烯。最近,第一個(gè)基于硅烯的場效應(yīng)晶體管的問世更是激起了人們對(duì)于硅烯研究的熱潮。通過理論計(jì)算研究發(fā)現(xiàn),與在Ag(111)表面上生長硅烯不同,隨著硅原子覆蓋度的不同,在Ru(0001)表面上會(huì)生長出一系列不同的硅二維結(jié)構(gòu)。在50%的覆蓋度下,Si原子形成一種之前從未被報(bào)道過的硅二維魚骨結(jié)構(gòu);隨著Si覆蓋度增加至85.7%時(shí),Ru(0001)表面被硅烯覆蓋。通過模擬硅魚骨向硅烯的轉(zhuǎn)變過程,證實(shí)了硅烯是從硅魚骨的elbow位置開始生長的。Ru(0001)表面上的這些硅二維結(jié)構(gòu)以及硅魚骨結(jié)構(gòu)向硅烯的轉(zhuǎn)變均得到了實(shí)驗(yàn)的證實(shí)。該研究成果為硅二維原子晶體材料的生長和性質(zhì)的研究提供了有價(jià)值的參考。3.通過摻雜異質(zhì)原子調(diào)控石墨烯納米帶的能帶結(jié)構(gòu)。理論研究表明,石墨烯納米帶的能帶結(jié)構(gòu)可以通過調(diào)節(jié)邊界類型、寬度以及摻雜原子種類實(shí)現(xiàn)調(diào)控。然而,在實(shí)驗(yàn)上真正實(shí)現(xiàn)石墨烯納米帶能帶性質(zhì)的精確調(diào)控仍然存在著巨大的挑戰(zhàn)。N摻雜僅僅是同幅度地平移了石墨烯納米帶的價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底的位置,并未改變其帶隙大小。基于前期N摻雜肩章型石墨烯納米帶的工作,第一性原理計(jì)算的研究結(jié)果顯示,在不同位置摻雜S原子的前驅(qū)體分子具有不同的最高占據(jù)軌道和最低未被占據(jù)軌道差。同時(shí),計(jì)算結(jié)果還表明利用這種S摻雜的前驅(qū)體分子構(gòu)筑的肩章型石墨烯納米帶具有不同大小的帶隙。進(jìn)一步的掃描隧道顯微鏡以及掃描隧穿譜的實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)了不同位置摻雜S原子確實(shí)實(shí)現(xiàn)了石墨烯納米帶的能帶調(diào)控。S摻雜為有效調(diào)控石墨烯納米帶的帶隙開辟了新的方向。
[Abstract]:The development history of graphene is not only the development history of science and technology , but also the development history of human society . The research on the growth mechanism of graphene and silicon two - dimensional structure on the surface of Ru ( 0001 ) has been studied . The results also show that the shoulder - type graphene nanoribbons constructed by the S - doped precursor molecules have band gaps of different sizes . Further scanning tunneling microscopy and the experimental results of the scanning tunneling spectra confirm that the doping of the S atoms in different positions does realize the energy band regulation of the graphene nanoribbons . The S - doping opens up a new direction for effectively controlling the band gap of the graphene nanoribbons .

【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:O469

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5 周,

本文編號(hào):1847798


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