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基于信息處理技術(shù)的聚酰亞胺基薄膜結(jié)構(gòu)檢測(cè)與性能研究

發(fā)布時(shí)間:2017-08-21 07:14

  本文關(guān)鍵詞:基于信息處理技術(shù)的聚酰亞胺基薄膜結(jié)構(gòu)檢測(cè)與性能研究


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【摘要】:近年納米電介質(zhì)已成為國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域研究熱點(diǎn),在納米電介質(zhì)制備、結(jié)構(gòu)表征、性能測(cè)試等方面取得大量研究成果。由于納米電介質(zhì)涉及無(wú)機(jī)和有機(jī)材料復(fù)合,多種因素影響復(fù)合材料微結(jié)構(gòu)和性能。目前,納米電介質(zhì)研究存在以下問題:主要采用一元統(tǒng)計(jì)分析方法分析性能,而多種因素對(duì)電氣性能影響的研究較少;設(shè)計(jì)與制備采用實(shí)驗(yàn)法,效率低、成本高。針對(duì)以上問題,本文將信息處理技術(shù)應(yīng)用到納米電介質(zhì)研究中,利用支持向量機(jī)分類器、主成分分析、集成回歸模型等方法,檢測(cè)識(shí)別聚酰亞胺基復(fù)合薄膜類型,分析和預(yù)測(cè)復(fù)合薄膜的電氣性能。測(cè)試不同顆粒和組分單層聚酰亞胺基復(fù)合薄膜耐電暈特性,利用多元統(tǒng)計(jì)分析中的主成分分析研究影響耐電暈性能的主要因素。對(duì)納米顆粒比表面積、介電常數(shù)等7種因素進(jìn)行協(xié)方差計(jì)算、對(duì)角化處理,由相關(guān)矩陣得到影響因素排序。結(jié)果表明,影響復(fù)合薄膜耐電暈性關(guān)鍵因素為無(wú)機(jī)顆粒比表面積。比表面積大的顆粒摻雜可以顯著提高復(fù)合薄膜耐電暈性。主成分分析法為選擇摻雜納米顆粒種類、制備新型納米電介質(zhì)提供理論依據(jù)。利用SEM獲取表面紋理特征,結(jié)合Adaboost和極限學(xué)習(xí)機(jī)兩種分類器對(duì)摻雜納米顆粒種類和組分檢測(cè);結(jié)果表明,對(duì)于PI/MMT+TiO2、PI/BaTiO3、PI三種薄膜檢測(cè)識(shí)別平均精度分別0.980,對(duì)于組分15wt%、20wt%、25wt%三種PI/BaTiO3復(fù)合薄膜檢測(cè)識(shí)別平均精度為0.924。SAXS提取單層和多層聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特征,使用Puk核的支持向量機(jī)分類器對(duì)單層和三層薄膜檢測(cè)識(shí)別。通過相應(yīng)的信息處理技術(shù)可對(duì)復(fù)合薄膜層數(shù)、摻雜顆粒種類和組分識(shí)別檢驗(yàn),對(duì)比研究表明,本文模型識(shí)別效果優(yōu)于其他模型。利用集成學(xué)習(xí)的思想構(gòu)建SGBS集成回歸模型和RF-MLP集成回歸模型分別預(yù)測(cè)聚酰亞胺基復(fù)合薄膜的擊穿場(chǎng)強(qiáng)和介電損耗性能。SGBS集成回歸模型利用Stochastic Gradient Boosting方法將10個(gè)SMO-SVR構(gòu)建一個(gè)強(qiáng)預(yù)測(cè)模型,擊穿場(chǎng)強(qiáng)預(yù)測(cè)結(jié)果:MAE為14.2598、RMSE為19.6840、RAE為22.2600%、RRSE為25.0100%。RF-MLP集成回歸模型利用隨機(jī)森林方法將10個(gè)感知機(jī)神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建一個(gè)強(qiáng)預(yù)測(cè)模型,介電損耗預(yù)測(cè)結(jié)果:MAE為0.0007、RMSE為0.0013、RRSE為32.0972%。兩個(gè)模型預(yù)測(cè)值與測(cè)量值誤差小,均優(yōu)于現(xiàn)有預(yù)測(cè)模型。研究結(jié)果表明,信息處理技術(shù)引入納米電介質(zhì)研究,減少實(shí)驗(yàn)和測(cè)試數(shù)量,優(yōu)化材料設(shè)計(jì),降低研發(fā)成本,為新型納米電介質(zhì)材料設(shè)計(jì)、制備提供有力支持。
【關(guān)鍵詞】:信息處理技術(shù) 復(fù)合薄膜 納米顆粒性能 結(jié)構(gòu)檢測(cè)識(shí)別 介電性能預(yù)測(cè)
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TQ317;TB383.2
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • Abstract7-16
  • 第1章 緒論16-34
  • 1.1 課題背景16-17
  • 1.2 聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜研究現(xiàn)狀17-23
  • 1.2.1 聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜制備現(xiàn)狀17-21
  • 1.2.2 納米電介質(zhì)的電氣性能分析現(xiàn)狀21-23
  • 1.3 材料結(jié)構(gòu)檢測(cè)與性能分析預(yù)測(cè)研究現(xiàn)狀23-31
  • 1.3.1 多元統(tǒng)計(jì)分析材料性能研究現(xiàn)狀26-27
  • 1.3.2 材料自動(dòng)檢測(cè)研究現(xiàn)狀27-28
  • 1.3.3 材料性能預(yù)測(cè)研究現(xiàn)狀28-31
  • 1.4 信息技術(shù)在聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜應(yīng)用現(xiàn)狀31-32
  • 1.5 論文研究目的及主要研究工作32-34
  • 第2章 實(shí)驗(yàn)材料與方法34-41
  • 2.1 實(shí)驗(yàn)材料與儀器34-35
  • 2.1.1 實(shí)驗(yàn)材料34-35
  • 2.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器35
  • 2.2 聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜制備35-36
  • 2.3 結(jié)構(gòu)表征36-38
  • 2.3.1 SAXS測(cè)試36-37
  • 2.3.2 SEM測(cè)試37-38
  • 2.4 性能測(cè)試38-40
  • 2.5 本章小結(jié)40-41
  • 第3章 利用主成分分析研究聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜耐電暈性能41-52
  • 3.1 多元統(tǒng)計(jì)分析簡(jiǎn)介41-46
  • 3.1.1 主成分分析42-43
  • 3.1.2 非線性成分分析43-44
  • 3.1.3 獨(dú)立成分分析44-46
  • 3.2 薄膜耐電暈性能主成分分析模型46-48
  • 3.3 實(shí)驗(yàn)樣本構(gòu)建48-49
  • 3.4 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析49-50
  • 3.5 本章小結(jié)50-52
  • 第4章 利用表面和內(nèi)部特征檢測(cè)聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)52-94
  • 4.1 結(jié)構(gòu)檢測(cè)方法52-57
  • 4.1.1 特征提取簡(jiǎn)介54-56
  • 4.1.2 模式分類方法簡(jiǎn)介56-57
  • 4.2 利用表面特征檢測(cè)納米復(fù)合薄膜57-84
  • 4.2.1 表面檢測(cè)模型57-58
  • 4.2.2 試驗(yàn)樣本構(gòu)建58-62
  • 4.2.3 表面紋理特征提取62-69
  • 4.2.4 檢測(cè)識(shí)別分類器設(shè)計(jì)69-72
  • 4.2.5 檢測(cè)分類器性能的評(píng)價(jià)指標(biāo)72
  • 4.2.6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析72-84
  • 4.3 基于SAXS表征復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)特征檢測(cè)84-92
  • 4.3.1 復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)檢測(cè)模型85
  • 4.3.2 SAXS表征復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)特征85-87
  • 4.3.3 支持向量機(jī)87
  • 4.3.4 復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)樣本構(gòu)建87-89
  • 4.3.5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析89-92
  • 4.4 本章小結(jié)92-94
  • 第5章 利用集成學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)聚酰亞胺基納米復(fù)合薄膜介電性能94-126
  • 5.1 集成學(xué)習(xí)基本原理94-96
  • 5.1.1 基分類器(回歸器)構(gòu)建方法95-96
  • 5.1.2 分類器(回歸器)組合方法96
  • 5.2 預(yù)測(cè)模型性能的評(píng)價(jià)指標(biāo)96-97
  • 5.3 納米復(fù)合薄膜擊穿場(chǎng)強(qiáng)預(yù)測(cè)研究97-111
  • 5.3.1 復(fù)合薄膜擊穿場(chǎng)強(qiáng)預(yù)測(cè)模型98-101
  • 5.3.2 復(fù)合薄膜擊穿場(chǎng)強(qiáng)樣本構(gòu)建101-103
  • 5.3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析103-111
  • 5.4 納米復(fù)合薄膜介電損耗預(yù)測(cè)研究111-124
  • 5.4.1 復(fù)合薄膜介電損耗預(yù)測(cè)模型112-115
  • 5.4.2 復(fù)合薄膜介電損耗預(yù)測(cè)樣本構(gòu)建115-117
  • 5.4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析117-124
  • 5.5 本章小結(jié)124-126
  • 結(jié)論126-128
  • 參考文獻(xiàn)128-145
  • 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文145-146
  • 致謝146

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