隨著通信技術的飛速發(fā)展,具有高效、微型、高穩(wěn)定性的器件需求越來越大,電介質(zhì)陶瓷材料作為電子元器件的關鍵材料,面臨著嚴峻的考驗。近些年來,我們國家在電子工業(yè)相關的家電、汽車、通信、軍事等領域極速發(fā)展,這些領域?qū)﹄娊橘|(zhì)材料的需求也日益劇增。并且,隨著5G通信的普及以及對6G通信的展望對電介質(zhì)陶瓷材料提出了更高的要求。CaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)具有超高介電常數(shù),優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性,在頻率10²-10⁵Hz范圍內(nèi)介電常數(shù)保持恒定的介電特性,因此本工作首先研究了巨介電常數(shù)的CCTO電介質(zhì)陶瓷。CCTO電介質(zhì)陶瓷在射頻范圍內(nèi)只能用于1MHz頻率以內(nèi),隨頻率增加介電常數(shù)開始快速衰減。然而,目前的通信信道有向著高頻率發(fā)展的趨勢,引導著我們也研究了NiTiNb₂O₈微波電介質(zhì)陶瓷,NiTiNb₂O₈陶瓷在高頻具有較高的介電常數(shù),兩者可以互補特長實現(xiàn)射頻段高介電材料應用的覆蓋。本論文基于CCTO陶瓷和Ni...

【文章頁數(shù)】：115 頁

【學位級別】：博士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景及選題意義
    1.2 射頻域超高介電常數(shù)電介質(zhì)材料研究現(xiàn)狀
        1.2.1 鈦酸鋇陶瓷
        1.2.2 鈮鎂酸鉛陶瓷
        1.2.3 鈦酸銅鈣陶瓷
    1.3 超低損耗電介質(zhì)陶瓷研究現(xiàn)狀
        1.3.1 低介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
        1.3.2 中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
        1.3.3 高介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
        1.3.4 鈮酸鹽中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
    1.4 本論文的主要研究內(nèi)容
第二章 離子摻雜對CaCu₃Ti₄O₁₂ 介電性能的影響
    2.1 引言
    2.2 不同位置La³⁺摻雜對CaCu₃Ti₄O₁₂ 陶瓷材料介電性能的影響
        2.2.1 La³⁺摻雜CaCu₃Ti₄O₁₂ 陶瓷材料的制備與表征
        2.2.2 La³⁺摻雜CaCu₃Ti₄O₁₂ 陶瓷測試結(jié)果與分析
    2.3 Sr²⁺摻雜對CaCu₃Ti₄O₁₂ 晶粒半導體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響
        2.3.1 Sr²⁺摻雜CaCu₃Ti₄O₁₂ 陶瓷材料的制備與表征
        2.3.2 Sr²⁺摻雜CaCu₃Ti₄O₁₂ 陶瓷測試結(jié)果與分析
    2.4 本章小結(jié)
第三章 氧缺陷對CaCu₃Ti₄O₁₂ 晶粒半導體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響
    3.1 引言
    3.2 F^-離子取代CaCu₃Ti₄O₁₂ 陶瓷材料的制備與表征
    3.3 測試結(jié)果與分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 離子摻雜改善NiTiNb₂O₈ 性能及低溫燒結(jié)的研究
    4.1 引言
    4.2 Zn²⁺取代Ni²⁺對NiTiNb₂O₈ 陶瓷性能的影響及低溫燒結(jié)研究
        4.2.1 Ni_1-xZn_xTiNb₂O₈ 陶瓷的制備與表征
        4.2.2 測試結(jié)果與分析
    4.3 Zr⁴⁺摻雜取代Ti⁴⁺對Ni_0.4Zn_0.6TiNb₂O₈ 陶瓷介電性能的影響
        4.3.1 Ni_0.4Zn_0.6Ti₍(1-x))Zr_xNb₂O₈ 陶瓷材料的制備與表征
        4.3.2 測試結(jié)果與分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 NbO₆ 八面體的改性對NiTiNb₂O₈ 陶瓷介電性能的影響
    5.1 引言
    5.2 Ta⁵⁺摻雜對NiTiNb₂O₈ 陶瓷材料的制備與表征
    5.3 測試結(jié)果與分析
    5.4 本章小結(jié)
第六章 添加BiVO₄對NiTiNb₂O₈ 陶瓷低溫燒結(jié)的研究
    6.1 引言
    6.2 NiTiNb₂O₈+xwt%BiVO₄ 陶瓷材料的制備與表征
    6.3 測試結(jié)果與分析
    6.4 本章小結(jié)
第七章 全文總結(jié)及展望
    7.1 全文總結(jié)及創(chuàng)新點
    7.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻
攻讀博士學位期間的成果



本文編號：3879763