Ti基中高介電常數(shù)陶瓷的制備與性能研究
發(fā)布時(shí)間:2024-01-18 18:04
隨著通信技術(shù)的飛速發(fā)展,具有高效、微型、高穩(wěn)定性的器件需求越來越大,電介質(zhì)陶瓷材料作為電子元器件的關(guān)鍵材料,面臨著嚴(yán)峻的考驗(yàn)。近些年來,我們國家在電子工業(yè)相關(guān)的家電、汽車、通信、軍事等領(lǐng)域極速發(fā)展,這些領(lǐng)域?qū)﹄娊橘|(zhì)材料的需求也日益劇增。并且,隨著5G通信的普及以及對(duì)6G通信的展望對(duì)電介質(zhì)陶瓷材料提出了更高的要求。CaCu3Ti4O12(CCTO)具有超高介電常數(shù),優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性,在頻率102-105Hz范圍內(nèi)介電常數(shù)保持恒定的介電特性,因此本工作首先研究了巨介電常數(shù)的CCTO電介質(zhì)陶瓷。CCTO電介質(zhì)陶瓷在射頻范圍內(nèi)只能用于1MHz頻率以內(nèi),隨頻率增加介電常數(shù)開始快速衰減。然而,目前的通信信道有向著高頻率發(fā)展的趨勢(shì),引導(dǎo)著我們也研究了NiTiNb2O8微波電介質(zhì)陶瓷,NiTiNb2O8陶瓷在高頻具有較高的介電常數(shù),兩者可以互補(bǔ)特長實(shí)現(xiàn)射頻段高介電材料應(yīng)用的覆蓋。本論文基于CCTO陶瓷和Ni...
【文章頁數(shù)】:115 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 研究背景及選題意義
1.2 射頻域超高介電常數(shù)電介質(zhì)材料研究現(xiàn)狀
1.2.1 鈦酸鋇陶瓷
1.2.2 鈮鎂酸鉛陶瓷
1.2.3 鈦酸銅鈣陶瓷
1.3 超低損耗電介質(zhì)陶瓷研究現(xiàn)狀
1.3.1 低介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.3.2 中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.3.3 高介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.3.4 鈮酸鹽中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.4 本論文的主要研究內(nèi)容
第二章 離子摻雜對(duì)CaCu3Ti4O12 介電性能的影響
2.1 引言
2.2 不同位置La3+摻雜對(duì)CaCu3Ti4O12 陶瓷材料介電性能的影響
2.2.1 La3+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷材料的制備與表征
2.2.2 La3+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷測(cè)試結(jié)果與分析
2.3 Sr2+摻雜對(duì)CaCu3Ti4O12 晶粒半導(dǎo)體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響
2.3.1 Sr2+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷材料的制備與表征
2.3.2 Sr2+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷測(cè)試結(jié)果與分析
2.4 本章小結(jié)
第三章 氧缺陷對(duì)CaCu3Ti4O12 晶粒半導(dǎo)體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響
3.1 引言
3.2 F-離子取代CaCu3Ti4O12 陶瓷材料的制備與表征
3.3 測(cè)試結(jié)果與分析
3.4 本章小結(jié)
第四章 離子摻雜改善NiTiNb2O8 性能及低溫?zé)Y(jié)的研究
4.1 引言
4.2 Zn2+取代Ni2+對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷性能的影響及低溫?zé)Y(jié)研究
4.2.1 Ni1-xZnxTiNb2O8 陶瓷的制備與表征
4.2.2 測(cè)試結(jié)果與分析
4.3 Zr4+摻雜取代Ti4+對(duì)Ni0.4Zn0.6TiNb2O8 陶瓷介電性能的影響
4.3.1 Ni0.4Zn0.6Ti((1-x))ZrxNb2O8 陶瓷材料的制備與表征
4.3.2 測(cè)試結(jié)果與分析
4.4 本章小結(jié)
第五章 NbO6 八面體的改性對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷介電性能的影響
5.1 引言
5.2 Ta5+摻雜對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷材料的制備與表征
5.3 測(cè)試結(jié)果與分析
5.4 本章小結(jié)
第六章 添加BiVO4對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷低溫?zé)Y(jié)的研究
6.1 引言
6.2 NiTiNb2O8+xwt%BiVO4 陶瓷材料的制備與表征
6.3 測(cè)試結(jié)果與分析
6.4 本章小結(jié)
第七章 全文總結(jié)及展望
7.1 全文總結(jié)及創(chuàng)新點(diǎn)
7.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀博士學(xué)位期間的成果
本文編號(hào):3879763
【文章頁數(shù)】:115 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 研究背景及選題意義
1.2 射頻域超高介電常數(shù)電介質(zhì)材料研究現(xiàn)狀
1.2.1 鈦酸鋇陶瓷
1.2.2 鈮鎂酸鉛陶瓷
1.2.3 鈦酸銅鈣陶瓷
1.3 超低損耗電介質(zhì)陶瓷研究現(xiàn)狀
1.3.1 低介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.3.2 中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.3.3 高介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.3.4 鈮酸鹽中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷
1.4 本論文的主要研究內(nèi)容
第二章 離子摻雜對(duì)CaCu3Ti4O12 介電性能的影響
2.1 引言
2.2 不同位置La3+摻雜對(duì)CaCu3Ti4O12 陶瓷材料介電性能的影響
2.2.1 La3+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷材料的制備與表征
2.2.2 La3+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷測(cè)試結(jié)果與分析
2.3 Sr2+摻雜對(duì)CaCu3Ti4O12 晶粒半導(dǎo)體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響
2.3.1 Sr2+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷材料的制備與表征
2.3.2 Sr2+摻雜CaCu3Ti4O12 陶瓷測(cè)試結(jié)果與分析
2.4 本章小結(jié)
第三章 氧缺陷對(duì)CaCu3Ti4O12 晶粒半導(dǎo)體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響
3.1 引言
3.2 F-離子取代CaCu3Ti4O12 陶瓷材料的制備與表征
3.3 測(cè)試結(jié)果與分析
3.4 本章小結(jié)
第四章 離子摻雜改善NiTiNb2O8 性能及低溫?zé)Y(jié)的研究
4.1 引言
4.2 Zn2+取代Ni2+對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷性能的影響及低溫?zé)Y(jié)研究
4.2.1 Ni1-xZnxTiNb2O8 陶瓷的制備與表征
4.2.2 測(cè)試結(jié)果與分析
4.3 Zr4+摻雜取代Ti4+對(duì)Ni0.4Zn0.6TiNb2O8 陶瓷介電性能的影響
4.3.1 Ni0.4Zn0.6Ti((1-x))ZrxNb2O8 陶瓷材料的制備與表征
4.3.2 測(cè)試結(jié)果與分析
4.4 本章小結(jié)
第五章 NbO6 八面體的改性對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷介電性能的影響
5.1 引言
5.2 Ta5+摻雜對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷材料的制備與表征
5.3 測(cè)試結(jié)果與分析
5.4 本章小結(jié)
第六章 添加BiVO4對(duì)NiTiNb2O8 陶瓷低溫?zé)Y(jié)的研究
6.1 引言
6.2 NiTiNb2O8+xwt%BiVO4 陶瓷材料的制備與表征
6.3 測(cè)試結(jié)果與分析
6.4 本章小結(jié)
第七章 全文總結(jié)及展望
7.1 全文總結(jié)及創(chuàng)新點(diǎn)
7.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀博士學(xué)位期間的成果
本文編號(hào):3879763
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