銅/碳納米材料的制備及其在電子封裝領(lǐng)域中的應(yīng)用研究
發(fā)布時(shí)間:2023-02-16 10:27
隨著5G時(shí)代的到來(lái),以及物聯(lián)網(wǎng)、虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(VR/AR)、人工智能(AI)等技術(shù)的興起,現(xiàn)階段的微電子器件正朝著小尺寸、多功能性、高集成化、高可靠性以及低成本的方向發(fā)展,對(duì)電子封裝技術(shù)也提出了更高的要求。摩爾定律作為電子領(lǐng)域的第一定律,其延續(xù)性正面臨著巨大的挑戰(zhàn),系統(tǒng)級(jí)封裝作為一種新興的電子封裝技術(shù),有望在后摩爾時(shí)代表現(xiàn)出強(qiáng)大的生命力,其目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)整個(gè)微電子器件的系統(tǒng)集成和小型化,這對(duì)電子封裝材料也提出了進(jìn)一步的需求,如何設(shè)計(jì)和制備出具有新穎結(jié)構(gòu)的微納級(jí)電子封裝材料和研究其在電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用成為了關(guān)鍵。考慮到銅/碳材料具有良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能,本論文主要圍繞納米銅/碳的可控合成及其功能性復(fù)合材料的制備,探索其作為電子封裝材料在導(dǎo)電互連和熱管理中的應(yīng)用。主要的研究工作總結(jié)如下:(1)基于膠體鈀活化劑在導(dǎo)電互連化學(xué)鍍銅應(yīng)用中,存在長(zhǎng)期穩(wěn)定性差和單位質(zhì)量鈀的催化效率有待進(jìn)一步提高的問(wèn)題,設(shè)計(jì)和制備了一種在還原氧化石墨烯納米片上負(fù)載的PdCu合金納米顆粒(PdCu/rGO)。通過(guò)調(diào)節(jié)Pd/Cu的摩爾比,實(shí)現(xiàn)了不同Pd負(fù)載量的合金化結(jié)構(gòu)的制備,所制得的Pd2Cu2/rGO電催化劑具有良好的甲...
【文章頁(yè)數(shù)】:136 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 電子封裝
1.2.1 電子封裝概述
1.2.2 電子封裝發(fā)展趨勢(shì)
1.3 電子封裝材料
1.3.1 導(dǎo)電互連材料
1.3.2 熱管理材料
1.4 本論文的研究目的和內(nèi)容
第2章 石墨烯負(fù)載鈀銅納米顆粒的制備及性能研究
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
2.2.2 PdCu/rGO的制備
2.2.3 材料表征
2.2.4 電化學(xué)性能測(cè)試
2.2.5 化學(xué)鍍銅性能測(cè)試
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 PdCu/rGO的制備與表征
2.3.2 電化學(xué)性能
2.3.3 化學(xué)鍍銅性能
2.4 本章小結(jié)
第3章 二維石墨化碳納米片的制備及生長(zhǎng)機(jī)理研究
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
3.2.2 二維石墨化碳納米片的制備
3.2.3 材料表征
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 二維石墨化碳納米片的制備和表征
3.3.2 二維石墨化碳納米片的生長(zhǎng)機(jī)理
3.4 本章小結(jié)
第4章 二維銅/碳納米雜化材料的制備及性能研究
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
4.2.2 二維銅/碳納米雜化材料的制備
4.2.3 導(dǎo)電復(fù)合物的制備
4.2.4 材料表征
4.2.5 抗氧化性能和導(dǎo)電性能測(cè)試
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 二維銅/碳納米雜化材料的制備和表征
4.3.2 二維銅/碳納米雜化材料的生長(zhǎng)機(jī)理
4.3.3 抗氧化性能和導(dǎo)電性能測(cè)試
4.4 本章小結(jié)
第5章 二維納米銅增強(qiáng)型石墨烯復(fù)合膜的制備及性能研究
5.1 引言
5.2 實(shí)驗(yàn)部分
5.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
5.2.2 二維納米銅的制備及功能化
5.2.3 Cu/GO復(fù)合膜的制備
5.2.4 Cu/rGO復(fù)合膜的制備
5.2.5 材料表征
5.2.6 導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能測(cè)試
5.3 結(jié)果與討論
5.3.1 二維納米銅的表征
5.3.2 Cu/GO復(fù)合膜的制備和表征
5.3.3 Cu/rGO復(fù)合膜的制備和表征
5.3.4 Cu/rGO復(fù)合膜的性能測(cè)試
5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)歷及攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與研究成果
本文編號(hào):3744032
【文章頁(yè)數(shù)】:136 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 電子封裝
1.2.1 電子封裝概述
1.2.2 電子封裝發(fā)展趨勢(shì)
1.3 電子封裝材料
1.3.1 導(dǎo)電互連材料
1.3.2 熱管理材料
1.4 本論文的研究目的和內(nèi)容
第2章 石墨烯負(fù)載鈀銅納米顆粒的制備及性能研究
2.1 引言
2.2 實(shí)驗(yàn)部分
2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
2.2.2 PdCu/rGO的制備
2.2.3 材料表征
2.2.4 電化學(xué)性能測(cè)試
2.2.5 化學(xué)鍍銅性能測(cè)試
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 PdCu/rGO的制備與表征
2.3.2 電化學(xué)性能
2.3.3 化學(xué)鍍銅性能
2.4 本章小結(jié)
第3章 二維石墨化碳納米片的制備及生長(zhǎng)機(jī)理研究
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
3.2.2 二維石墨化碳納米片的制備
3.2.3 材料表征
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 二維石墨化碳納米片的制備和表征
3.3.2 二維石墨化碳納米片的生長(zhǎng)機(jī)理
3.4 本章小結(jié)
第4章 二維銅/碳納米雜化材料的制備及性能研究
4.1 引言
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
4.2.2 二維銅/碳納米雜化材料的制備
4.2.3 導(dǎo)電復(fù)合物的制備
4.2.4 材料表征
4.2.5 抗氧化性能和導(dǎo)電性能測(cè)試
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 二維銅/碳納米雜化材料的制備和表征
4.3.2 二維銅/碳納米雜化材料的生長(zhǎng)機(jī)理
4.3.3 抗氧化性能和導(dǎo)電性能測(cè)試
4.4 本章小結(jié)
第5章 二維納米銅增強(qiáng)型石墨烯復(fù)合膜的制備及性能研究
5.1 引言
5.2 實(shí)驗(yàn)部分
5.2.1 實(shí)驗(yàn)原料
5.2.2 二維納米銅的制備及功能化
5.2.3 Cu/GO復(fù)合膜的制備
5.2.4 Cu/rGO復(fù)合膜的制備
5.2.5 材料表征
5.2.6 導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能測(cè)試
5.3 結(jié)果與討論
5.3.1 二維納米銅的表征
5.3.2 Cu/GO復(fù)合膜的制備和表征
5.3.3 Cu/rGO復(fù)合膜的制備和表征
5.3.4 Cu/rGO復(fù)合膜的性能測(cè)試
5.4 本章小結(jié)
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
作者簡(jiǎn)歷及攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與研究成果
本文編號(hào):3744032
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