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氧化錫與氧化銦基半導體納米材料的NO 2 氣敏性能及機理研究

發(fā)布時間:2022-08-06 17:38
  隨著工業(yè)技術的不斷進步,環(huán)境污染問題引起了廣泛關注。其中,二氧化氮(NO2)氣體作為工業(yè)和生活廢氣中的典型氣體,是形成酸雨、光化學煙霧和霧霾的主要因素,嚴重威脅著人類的生存環(huán)境和身體健康。因此,研發(fā)一種能夠對環(huán)境中NO2氣體進行實時監(jiān)測的氣體傳感器尤為重要。金屬氧化物半導體納米材料因其靈敏度高、成本低、體積小以及與現(xiàn)代電子設備兼容性高等優(yōu)點被廣泛用于各種有毒、有害、易燃等危險氣體的檢測。然而,目前研究表明,金屬氧化物半導體材料對低濃度NO2氣體仍然具有靈敏度低、響應恢復時間長、選擇性及穩(wěn)定性差、工作溫度高等缺點,限制了它們在工業(yè)領域方面的廣泛應用。本論文采用貴金屬修飾、表面還原、異質結構構建以及金屬離子摻雜等手段,制備出對低濃度NO2氣體具有高靈敏度、優(yōu)異的選擇性、快的響應恢復速度、較低的工作溫度及良好的穩(wěn)定性的SnO2和In2O3基氣敏材料,并通過分析材料的微觀結構、組分、表面的化學狀態(tài)以及電子結構等性質,深入探究NO2氣敏性能提高的機理。本論文的主要研究內容如下:(1)利用溶劑熱和熱解法制備出SnO2多孔納米球,隨后利用化學還原的方法對其表面進行Pt納米顆粒修飾,合成出平均尺寸約為... 

【文章頁數(shù)】:187 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

氧化錫與氧化銦基半導體納米材料的NO 2 氣敏性能及機理研究


圖1.1?n型半導體氧化物氣敏材料的敏感機理示意圖

氧化錫與氧化銦基半導體納米材料的NO 2 氣敏性能及機理研究


圖1.3多孔核殼結構氣敏機理示意圖〖41』

氧化錫與氧化銦基半導體納米材料的NO 2 氣敏性能及機理研究


圖1.4氣敏材料顆粒尺寸與其響應值之間的關系:(a)不同尺寸的Sn02納米顆粒對CO和??H2的響應[42];?(b)不同顆粒尺寸的ln203薄膜在不同工作溫度下對N〇2的?


本文編號:3670078

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