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鈦酸鋇基材料的射頻負介機理研究

發(fā)布時間:2021-12-10 19:34
  電磁場/波是信息和能量的常見形式。影響“材料-電磁”相互作用的基本物性參數(shù)之一是介電常數(shù)(ε)。材料在交流或射頻頻段的介電常數(shù)一直被認為正值,就低介而言,相關(guān)絕緣介質(zhì)只能接近而無法達到空氣的介電常數(shù)(ε~1)。介電常數(shù)更“低”,甚至進一步為負則被視為超常性能,曾經(jīng)被認為是不可能實現(xiàn)的性能。實際上,在各種電子器件所對應的特定頻段,材料介電常數(shù)可以為負。近年來,負介材料的諧振、頻散、損耗等相關(guān)特性和局域場、表面波等新穎性能越來越被深入認識。與正介材料相比,負介材料和電磁場的相互作用發(fā)生根本性變化,負介材料已經(jīng)和正在催生天線、雷達、隱身、儲能、傳感、晶體管等領(lǐng)域許多變革性技術(shù)。負介性能最早在人工陣列超材料中觀察到。事實上,負介性能也可以基于材料本征特性實現(xiàn)。在常規(guī)材料中實現(xiàn)負介性能,其機理與人工結(jié)構(gòu)超材料類似,因而屬于超材料范疇。經(jīng)過十幾年的研究,負介材料的很多現(xiàn)象和規(guī)律已經(jīng)明確。但是,如何結(jié)合研究比較透徹的“正介”電介質(zhì)理解負介材料?負介機理有哪些類型?負介材料的組分設(shè)計有何依據(jù)?基于這些考慮,本文以鈦酸鋇基材料這種常見電介質(zhì)為研究對象,以物理現(xiàn)象比較豐富的逾滲復合為主要手段,在國內(nèi)外研究... 

【文章來源】:山東大學山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:150 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

鈦酸鋇基材料的射頻負介機理研究


圖1-1電介質(zhì)的在Lorentz介電諧振附近的介電常數(shù)(實部與虛部)??Figure?1-1?Lorentz-type?permittivity?(real?and?imaginary?part)?of?dielectric?materials??

示意圖,介電常數(shù),良導體,虛部


?山東大學博士學位論文???推出交流電導率的表達式為:???,?Ne2??2J〇?2m?J6)Sf\?d-15)??a0?-co?+?jay?o0?-?a?+?jcoy??結(jié)合>/?=?pv=iVev?=?A^/tyx和式(1-5),可以得到下式:??P?=?j/jco?=?(cj(c〇)/j(〇)E?(1-16)??由于D?=?%五+尸=?五,將式(1-16)帶入后得到:#?)-£。=〇"(似)/>,進一??步變換后可以得到介電常數(shù)與電導率的一般表達式:??剩,+迦?(1-17)??在導體中,〇;0=0,結(jié)合(1-15)和(1-17),得到導體的介電常數(shù)表達式為:???)=?-爲?(1'18)??該式也被定義為導體的Drude介電模型[18],進一步得到相對介電常數(shù)的表達式??為式(1-19)。繪制后,得到Drnde型介電常數(shù)曲線圖,如圖1-2所示。??2???)?=?1_?點?(149)??V?/?<??co??圖1-2良導體的Drude模型介電常數(shù)(實部與虛部)示意圖??Figure?1-2?Drude-type?permittivity?(real?and?imaginary?part)?of?conductors??5??

示意圖,填料,復合材料,介電常數(shù)


?山東大學博士學位論文???填料的形貌、分布、含量、電導率等參數(shù)對負介電的實現(xiàn)和數(shù)值大小的調(diào)控具有??顯著的影響[23,24]。??(a)?一?(b)n??LLLL??導電填料含量?導電填料含量??圖1-3逾滲復合材料中電導率(a)和介電常數(shù)(b)隨著導體填料含量變化趨勢示意圖??Figure?1-3?Diagram?of?the?conductivity?(a)?and?permittivity?(b)?of?percolating?composites?as?a??fUnction?of?conductive?filler’s?content??導體/絕緣體逾滲復合材料為射頻負介材料提供了豐富的材料體系。一般導??體可以為金屬或?qū)щ娞疾牧,絕緣基體可以為陶瓷或者樹脂。近年來,在陶瓷基??逾滲復合材料和樹脂基逾滲復合材料中均報道了負介電性能。Shi[15]等人在制備??了?Ni/Ah〇3復合材料,當Ni的含量達到31wt%時,表現(xiàn)出負介電常數(shù),隨著Ni??的含量進一步增加至35?wt%,在整個測試頻段10?MHz-1?GHz表現(xiàn)為負介電常??數(shù),負介電數(shù)值較大,約為-105?(圖l-4a)。Cheng%等人通過浸漬-碳化的方法在??Si3N4基體中負載蔗糖,進一步碳化得到無定形導電碳網(wǎng)絡(luò),并在lOMHz-lGHz??獲得較低的負介電數(shù)值,約為-102?(圖l-4b)。Tsutaoka等人在聚苯硫醚(PPS)基??體中添加Cu[26]、Co[27]、Fe5〇Co5〇合金[28]等導電填料,在lGHz-10GHz獲得了一??系列負介電性能。研究表明片狀比球狀的導電填料更易在較低的含量下實現(xiàn)負介??電性能,并證實

【參考文獻】:
期刊論文
[1]負介材料:超材料的分支[J]. 范潤華.  中國材料進展. 2019(04)
[2]大功率微波真空管用氮化鋁基高導熱微波吸收材料[J]. 于亮,周武平,熊寧,呂大銘.  真空電子技術(shù). 2008(02)
[3]氮化鋁基微波衰減材料的研究進展[J]. 石明,魯燕萍.  硅酸鹽通報. 2005(06)

博士論文
[1]負介材料的異質(zhì)復合構(gòu)筑與性能調(diào)控[D]. 解培濤.山東大學 2019
[2]鐵氧體逾滲復合材料的超常電磁性能[D]. 陳敏.山東大學 2018
[3]陶瓷基逾滲復合材料的弱負介電性能調(diào)控[D]. 程傳兵.山東大學 2018
[4]基于BiFeO3材料的性能調(diào)控及其在超材料中的應用研究[D]. 李強.電子科技大學 2018
[5]異質(zhì)復合材料的原位制備與雙負性能[D]. 孫凱.山東大學 2017
[6]零折射率材料的性質(zhì)與應用研究[D]. 羅杰.蘇州大學 2016
[7]錳酸鍶鑭的摻雜改性與雙負機理[D]. 燕克蘭.山東大學 2015

碩士論文
[1]硅基負電容場效應晶體管研究和制備[D]. 李慶龍.西安電子科技大學 2018



本文編號:3533262

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