金屬/氧化物有效界面的構(gòu)筑及其在環(huán)境與能源催化中的應(yīng)用
發(fā)布時間:2021-11-03 01:51
環(huán)境污染與能源危機(jī)嚴(yán)重影響了人們的生存與生活質(zhì)量,其中水污染與大氣污染對人們生活影響更為廣泛,多相催化技術(shù)不僅能應(yīng)用在污水處理,高效降解水中污染物為無毒無害的產(chǎn)物,還能應(yīng)用于能源儲存與轉(zhuǎn)換器件,促進(jìn)能源的清潔高效利用,既能從源頭上解決化石能源低效利用引起的大氣污染問題,又能緩解化石能源短缺危機(jī)。金屬/氧化物復(fù)合材料是一種研究較為廣泛的多相催化材料,盡管其在污水處理和能源儲存與轉(zhuǎn)換領(lǐng)域取得了一系列進(jìn)展,但目前的研究仍然存在以下問題:(1)針對特定反應(yīng)體系,貴金屬復(fù)合催化材料缺乏合適的界面環(huán)境和活性位,導(dǎo)致其催化反應(yīng)活性不高;(2)盡管目前貴金屬復(fù)合材料的催化活性比非貴金屬材料普遍較高,但由于其成本較高,穩(wěn)定性較差,商業(yè)化難度較大;(3)雖然已開發(fā)出性能優(yōu)異的非貴金屬復(fù)合催化材料,但由于只具備單一功能,難以應(yīng)用在需求雙功能性能的電化學(xué)儲能器件中。因此,開發(fā)設(shè)計應(yīng)用于環(huán)境與能源領(lǐng)域的高效、低成本、高穩(wěn)定性和具備優(yōu)異單、雙功能性能的多相催化材料具有重要意義。基于目前復(fù)合材料在環(huán)境與能源催化中存在的三個問題,本文以金屬/氧化物復(fù)合催化材料為研究對象,通過優(yōu)化設(shè)計和有效構(gòu)筑金屬/氧化物界面,分別考...
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:123 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1負(fù)載于氧化物上的金屬顆粒示意圖[l7】??Fig.?1.1?Schematic?of?a?metal?island?on?a?flat?oxide?suort1'71??
點(diǎn)缺陷等。例如,Ag/MgO??的界面上,Ag原子沉積在呈電中性的Mg空位處。由于Mg空位貢獻(xiàn)兩個價電??子給位于空位周圍的四個氧原子,因此Ag和0之間形成較強(qiáng)的離子鍵。氧化物??表面的缺陷,如Ah〇3(0001),MgO(lOO),Si〇dt!TiO2(100)都會極大地影響金屬??的吸附和原子之間的相互作用[46,4\??(a)?f,.?(b)??#0〇G|?〇????〇〇'〇?〇??QOOOOO??…一:,?,〇〇〇〇?〇??z〇?z?metal?oxide??圖1.3鏡像電荷相互作用。(a)點(diǎn)電荷(q)與金屬表面之間的相互作用。(b)金屬/氧化物??界面處的鏡像電荷??Fig.?1.3?Image?charge?interaction,?(a)?Interaction?between?a?point?charge?(q)?and?a?metal?surface,??(b)?Image?charges?at?a?metal/oxide?interface^??1.2.4.2金屬/氧化物界面的空間電荷轉(zhuǎn)移??Ti〇2、SrTi03和ZnO等氧化物的帶隙較小,一般都小于3.5eV,這些氧化物??的本征摻雜或者外來摻雜會在內(nèi)部產(chǎn)生自由的載流子,使得這些氧化物變成對應(yīng)??的n型或p型半導(dǎo)體。因此,對這些體系來說,金屬/半導(dǎo)體接觸理論比較適合??描述金屬與半導(dǎo)體氧化物的界面接觸現(xiàn)象[48]。這些氧化物的電負(fù)性和功函比較大,??這就意味著并非由它們表面態(tài)控制界面的形成。因此,可以認(rèn)為電荷轉(zhuǎn)移首先發(fā)??生在金屬與氧化物表面的空間電荷區(qū)域之間,金屬與氧化物費(fèi)米能級的相對位置??決定了電荷轉(zhuǎn)移的方向和量級,這個過程可以
?第1章緒論???研究了負(fù)載于分子篩(SBA-15)上的Pd或Pt催化還原溴酸根的性能,發(fā)現(xiàn)貴金??屬與氧化物形成界面時比與碳材料形成界面時具有更高的催化活性(見圖1.6)??網(wǎng)。??為了降低水處理的成本,替代貴金屬活性相,Shen等人設(shè)計了非貴金屬/氧??化物復(fù)合催化材料(Fe@Fe203)用于高效去除水中的溴酸根。如圖1.7所示,核??殼結(jié)構(gòu)的Fe@Fe203表面處的Fe2+與Fe3+的相互轉(zhuǎn)化成為催化去除溴酸根的主要??活性位,內(nèi)部的金屬相Fe能夠?yàn)楸砻娴倪原提供電子,這種金屬/氧化物形成的??界面為催化還原溴酸根提供了有效活性位[87]。??
本文編號:3472806
【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:123 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1負(fù)載于氧化物上的金屬顆粒示意圖[l7】??Fig.?1.1?Schematic?of?a?metal?island?on?a?flat?oxide?suort1'71??
點(diǎn)缺陷等。例如,Ag/MgO??的界面上,Ag原子沉積在呈電中性的Mg空位處。由于Mg空位貢獻(xiàn)兩個價電??子給位于空位周圍的四個氧原子,因此Ag和0之間形成較強(qiáng)的離子鍵。氧化物??表面的缺陷,如Ah〇3(0001),MgO(lOO),Si〇dt!TiO2(100)都會極大地影響金屬??的吸附和原子之間的相互作用[46,4\??(a)?f,.?(b)??#0〇G|?〇????〇〇'〇?〇??QOOOOO??…一:,?,〇〇〇〇?〇??z〇?z?metal?oxide??圖1.3鏡像電荷相互作用。(a)點(diǎn)電荷(q)與金屬表面之間的相互作用。(b)金屬/氧化物??界面處的鏡像電荷??Fig.?1.3?Image?charge?interaction,?(a)?Interaction?between?a?point?charge?(q)?and?a?metal?surface,??(b)?Image?charges?at?a?metal/oxide?interface^??1.2.4.2金屬/氧化物界面的空間電荷轉(zhuǎn)移??Ti〇2、SrTi03和ZnO等氧化物的帶隙較小,一般都小于3.5eV,這些氧化物??的本征摻雜或者外來摻雜會在內(nèi)部產(chǎn)生自由的載流子,使得這些氧化物變成對應(yīng)??的n型或p型半導(dǎo)體。因此,對這些體系來說,金屬/半導(dǎo)體接觸理論比較適合??描述金屬與半導(dǎo)體氧化物的界面接觸現(xiàn)象[48]。這些氧化物的電負(fù)性和功函比較大,??這就意味著并非由它們表面態(tài)控制界面的形成。因此,可以認(rèn)為電荷轉(zhuǎn)移首先發(fā)??生在金屬與氧化物表面的空間電荷區(qū)域之間,金屬與氧化物費(fèi)米能級的相對位置??決定了電荷轉(zhuǎn)移的方向和量級,這個過程可以
?第1章緒論???研究了負(fù)載于分子篩(SBA-15)上的Pd或Pt催化還原溴酸根的性能,發(fā)現(xiàn)貴金??屬與氧化物形成界面時比與碳材料形成界面時具有更高的催化活性(見圖1.6)??網(wǎng)。??為了降低水處理的成本,替代貴金屬活性相,Shen等人設(shè)計了非貴金屬/氧??化物復(fù)合催化材料(Fe@Fe203)用于高效去除水中的溴酸根。如圖1.7所示,核??殼結(jié)構(gòu)的Fe@Fe203表面處的Fe2+與Fe3+的相互轉(zhuǎn)化成為催化去除溴酸根的主要??活性位,內(nèi)部的金屬相Fe能夠?yàn)楸砻娴倪原提供電子,這種金屬/氧化物形成的??界面為催化還原溴酸根提供了有效活性位[87]。??
本文編號:3472806
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