CVD金剛石膜輻射探測(cè)器的研制與性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-28 10:34
隨著核技術(shù)的廣泛應(yīng)用,核輻射探測(cè)器所面臨的應(yīng)用環(huán)境也變得越來(lái)越苛刻。輻射防護(hù)及輻射環(huán)境的安全可控也變得越來(lái)越重要。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等制成的半導(dǎo)體核輻射探測(cè)器,已經(jīng)難以滿足核裂變、核聚變、加速器、外太空等高溫、高輻射環(huán)境下安全服役的要求,必須尋找新的材料制作新一代核輻射探測(cè)器。金剛石具有優(yōu)異的光、電、熱、機(jī)械及抗輻照性能,己成為制作新一代輻射探測(cè)器的首選材料。探測(cè)器級(jí)金剛石膜的制備、金剛石探測(cè)器的研制、各種輻射環(huán)境中金剛石膜探測(cè)器的應(yīng)用,已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)外輻射探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域比較熱門的課題。由于輻射探測(cè)技術(shù)往往與國(guó)防建設(shè)等有著直接密切的關(guān)系,目前人工合成高品質(zhì)的金剛石及金剛石探測(cè)器核心技術(shù),主要掌握在奧地利、美國(guó)的少數(shù)幾家公司手中,我國(guó)使用的一些高品質(zhì)金剛石探測(cè)器依賴于進(jìn)口。研制用于強(qiáng)輻射環(huán)境下的高品質(zhì)金剛石探測(cè)器,掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),有利于實(shí)現(xiàn)核心部件的國(guó)產(chǎn)化。本文簡(jiǎn)要闡述了核輻射的概念、四種常見(jiàn)核輻射的探測(cè)原理、三類輻射探測(cè)器及探測(cè)器主要的性能指標(biāo)、金剛石探測(cè)器的三個(gè)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)。重點(diǎn)介紹了國(guó)內(nèi)外金剛石探測(cè)器相關(guān)的研究...
【文章來(lái)源】:南華大學(xué)湖南省
【文章頁(yè)數(shù)】:174 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
電磁波頻譜
南華大學(xué)博士學(xué)位論文8不同入射帶電粒子,方程中只有z會(huì)不同。因此,入射粒子所帶電荷越多,能量損失率就越高。對(duì)于相同能量的入射粒子,α粒子能量的損失率比質(zhì)子大,但是比具有更高電荷態(tài)的離子校對(duì)于不同的吸收介質(zhì),主要是隨NZ的乘積變化。NZ也就是吸收介質(zhì)的電子密度。所以高原子序數(shù)、高密度的物質(zhì),就具有非常高的線性阻止本領(lǐng)或者能量損失率。圖1.3不同的入射帶電粒子在空氣中傳輸時(shí)的能量損失率[9]。圖1.3是多個(gè)不同的帶電粒子在空氣中傳輸時(shí)的能量損失率隨入射能量的變化。圖中顯示不同的帶電粒子在幾百個(gè)兆電子伏(在這個(gè)能量下入射粒子的速度都已經(jīng)接近光速)的時(shí)候能量損失率都收斂到一個(gè)恒定的極小值。因?yàn)樗麄兿嗨频哪芰繐p失率,這些相對(duì)論粒子有時(shí)候又被稱為“極小電離粒子”?祀娮拥那闆r也類似,因?yàn)樗馁|(zhì)量非常低,在1MeV左右就已經(jīng)達(dá)到了相對(duì)論速度。貝特公式對(duì)于低能的入射帶電粒子不適用,因?yàn)榈湍苋肷淞W优c吸收介質(zhì)中的原子電荷交換變得重要起來(lái)。帶正電的入射粒子能夠從介質(zhì)原子獲得電子,從而有效降低它的電荷態(tài),最終導(dǎo)致能量損失率降低。在傳輸路徑的最后,這個(gè)粒子能夠獲得足夠的電子從而變成一個(gè)中性原子。能量的損失率隨入射粒子傳輸距離變化的曲線被稱為布拉格曲線[11],如圖1.4所示。
第1章緒論9圖1.4能量為幾個(gè)MeV的α粒子沿傳輸路徑的能量損失率,即布拉格曲線[11]。圖中示意的是幾個(gè)MeV的α粒子。在大部分路徑上,α粒子攜帶的是2個(gè)正電荷,相應(yīng)的能量損失率基本上是隨1/E增加,這個(gè)與方程1.2一致。在傳輸路徑的最后,α粒子會(huì)俘獲電子從而降低所攜帶的電荷量,所以能量損失率會(huì)下降。對(duì)于任何一個(gè)特定的入射粒子,它與介質(zhì)原子的微觀相互作用是隨機(jī)的,所以相應(yīng)的這個(gè)入射粒子的能量損失也是一個(gè)隨機(jī)過(guò)程。因此,單能的入射粒子束流通過(guò)一定厚度的吸收介質(zhì)以后能譜就會(huì)有展寬。能量分布的展寬可以用來(lái)測(cè)量能量的離散度(stragglingeffect),這個(gè)離散度與沿著粒子束方向傳輸?shù)木嚯x有關(guān)。圖1.5單能的粒子束入射介質(zhì)之后在不同的空間位置對(duì)應(yīng)的能量分布。其中E是粒子能量,X是入射軌跡方向傳輸?shù)木嚯x[9]。圖1.5是初始為單能的粒子束入射介質(zhì)后在不同空間位置能量分布的示意圖。隨著入射深度越來(lái)越深,前幾個(gè)空間位置對(duì)應(yīng)的能散越來(lái)越大,偏度
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Fabrication and absolute calibration of B-dot probe for magnetic field measurement on a high power laser facility[J]. 況龍鈺,薛飛彪,景龍飛,于瑞珍,杜華冰,易濤,李廷帥,黎航,余羿,王峰,江少恩,胡廣月,鄭堅(jiān). Plasma Science and Technology. 2020(08)
[2]多晶CVD金剛石型X射線光束診斷探測(cè)器研制[J]. 王炳杰,常廣才,劉鵬,李玉曉,李貞杰. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2018(06)
[3]直流電弧等離子體噴射法制備金剛石自支撐膜研究新進(jìn)展[J]. 李成明,陳良賢,劉金龍,魏俊俊,黑立富,呂反修. 金剛石與磨料磨具工程. 2018(01)
[4]金剛石半導(dǎo)體材料和器件的研究現(xiàn)狀[J]. 陳亞男,張燁,郁萬(wàn)成,龔猛,楊霏,劉瑞,王嘉銘,李玲,金鵬,王占國(guó). 微納電子技術(shù). 2017(04)
[5]空氣中氚的測(cè)量方法探討[J]. 程豐民,夏冰,丁洪深,羅磊,呂蘊(yùn)海. 中國(guó)輻射衛(wèi)生. 2017(01)
[6]核輻射探測(cè)器金剛石膜制備技術(shù)研究[J]. 童恒義,汪淵,周長(zhǎng)庚,邱瑞. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2014(12)
[7]穩(wěn)態(tài)強(qiáng)磁場(chǎng)技術(shù)與科學(xué)研究[J]. 匡光力,邵淑芳. 中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2014(10)
[8]超納米金剛石薄膜的性能和制備及應(yīng)用[J]. 呂琳,汪建華,翁俊,張瑩. 真空與低溫. 2014(03)
[9]CVD金剛石大單晶外延生長(zhǎng)及高技術(shù)應(yīng)用前景[J]. 呂反修,黑立富,劉杰,宋建華,李成明,唐偉忠,陳廣超. 熱處理. 2013(05)
[10]化學(xué)氣相沉積金剛石X射線探測(cè)器相對(duì)標(biāo)定[J]. 侯立飛,李志超,袁永騰,況龍鈺,楊國(guó)洪,劉慎業(yè). 強(qiáng)激光與粒子束. 2012(08)
博士論文
[1]高純金剛石的合成與氮空位色心的研究[D]. 陳良超.吉林大學(xué) 2019
[2]金剛石薄膜及異質(zhì)結(jié)的生長(zhǎng)與性質(zhì)研究[D]. 沈洋.南京大學(xué) 2019
[3]CVD金剛石自支撐膜的高溫石墨化行為研究[D]. 閆雄伯.北京科技大學(xué) 2019
[4]優(yōu)質(zhì)金剛石大單晶生長(zhǎng)的數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 李亞?wèn)|.吉林大學(xué) 2017
[5]新型高功率MPCVD裝置研制與金剛石膜高效沉積[D]. 李義鋒.北京科技大學(xué) 2015
[6]等離子體性狀對(duì)CVD金剛石沉積結(jié)果影響的研究[D]. 李彬.北京科技大學(xué) 2015
[7]一種新穎的碳的同素異形體α-graphdiyne:第一性原理研究[D]. 牛小寧.蘭州大學(xué) 2014
[8]CVD金剛石/銅復(fù)合材料的基礎(chǔ)研究[D]. 劉學(xué)璋.中南大學(xué) 2013
[9]基于實(shí)時(shí)數(shù)字恒比定時(shí)技術(shù)的數(shù)字時(shí)間譜儀研究[D]. 孫劍.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2011
[10]納米金剛石薄膜及其輻射探測(cè)器的制備和性能研究[D]. 沈滬江.上海大學(xué) 2010
碩士論文
[1]半絕緣GaAs中子探測(cè)器研究[D]. 王盛茂.東華理工大學(xué) 2018
[2]4H-SiC肖特基結(jié)型α粒子探測(cè)器的制備與性能研究[D]. 葉鑫.大連理工大學(xué) 2018
[3]用于同步輻射X射線光束診斷的多晶CVD金剛石探測(cè)器研制[D]. 王炳杰.鄭州大學(xué) 2018
[4]單晶碳化硅襯底合成CVD金剛石薄膜的研究[D]. 曹陽(yáng).武漢工程大學(xué) 2018
[5]直流輝光放電CVD法制備納米金剛石薄膜的研究[D]. 陽(yáng)碩.武漢工程大學(xué) 2017
[6]SiC輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能研究[D]. 張凌民.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2017
[7]基于光電二極管的核輻射探測(cè)儀器的研制[D]. 陳祥鵬.中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京) 2016
[8]GaN基核輻射探測(cè)器研究[D]. 萬(wàn)明.東華理工大學(xué) 2015
[9]大尺寸金剛石膜制備的研究[D]. 張議丹.牡丹江師范學(xué)院 2015
[10]基于FPGA的伽瑪射線探測(cè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集與實(shí)現(xiàn)[D]. 陳磊.成都理工大學(xué) 2015
本文編號(hào):3462698
【文章來(lái)源】:南華大學(xué)湖南省
【文章頁(yè)數(shù)】:174 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
電磁波頻譜
南華大學(xué)博士學(xué)位論文8不同入射帶電粒子,方程中只有z會(huì)不同。因此,入射粒子所帶電荷越多,能量損失率就越高。對(duì)于相同能量的入射粒子,α粒子能量的損失率比質(zhì)子大,但是比具有更高電荷態(tài)的離子校對(duì)于不同的吸收介質(zhì),主要是隨NZ的乘積變化。NZ也就是吸收介質(zhì)的電子密度。所以高原子序數(shù)、高密度的物質(zhì),就具有非常高的線性阻止本領(lǐng)或者能量損失率。圖1.3不同的入射帶電粒子在空氣中傳輸時(shí)的能量損失率[9]。圖1.3是多個(gè)不同的帶電粒子在空氣中傳輸時(shí)的能量損失率隨入射能量的變化。圖中顯示不同的帶電粒子在幾百個(gè)兆電子伏(在這個(gè)能量下入射粒子的速度都已經(jīng)接近光速)的時(shí)候能量損失率都收斂到一個(gè)恒定的極小值。因?yàn)樗麄兿嗨频哪芰繐p失率,這些相對(duì)論粒子有時(shí)候又被稱為“極小電離粒子”?祀娮拥那闆r也類似,因?yàn)樗馁|(zhì)量非常低,在1MeV左右就已經(jīng)達(dá)到了相對(duì)論速度。貝特公式對(duì)于低能的入射帶電粒子不適用,因?yàn)榈湍苋肷淞W优c吸收介質(zhì)中的原子電荷交換變得重要起來(lái)。帶正電的入射粒子能夠從介質(zhì)原子獲得電子,從而有效降低它的電荷態(tài),最終導(dǎo)致能量損失率降低。在傳輸路徑的最后,這個(gè)粒子能夠獲得足夠的電子從而變成一個(gè)中性原子。能量的損失率隨入射粒子傳輸距離變化的曲線被稱為布拉格曲線[11],如圖1.4所示。
第1章緒論9圖1.4能量為幾個(gè)MeV的α粒子沿傳輸路徑的能量損失率,即布拉格曲線[11]。圖中示意的是幾個(gè)MeV的α粒子。在大部分路徑上,α粒子攜帶的是2個(gè)正電荷,相應(yīng)的能量損失率基本上是隨1/E增加,這個(gè)與方程1.2一致。在傳輸路徑的最后,α粒子會(huì)俘獲電子從而降低所攜帶的電荷量,所以能量損失率會(huì)下降。對(duì)于任何一個(gè)特定的入射粒子,它與介質(zhì)原子的微觀相互作用是隨機(jī)的,所以相應(yīng)的這個(gè)入射粒子的能量損失也是一個(gè)隨機(jī)過(guò)程。因此,單能的入射粒子束流通過(guò)一定厚度的吸收介質(zhì)以后能譜就會(huì)有展寬。能量分布的展寬可以用來(lái)測(cè)量能量的離散度(stragglingeffect),這個(gè)離散度與沿著粒子束方向傳輸?shù)木嚯x有關(guān)。圖1.5單能的粒子束入射介質(zhì)之后在不同的空間位置對(duì)應(yīng)的能量分布。其中E是粒子能量,X是入射軌跡方向傳輸?shù)木嚯x[9]。圖1.5是初始為單能的粒子束入射介質(zhì)后在不同空間位置能量分布的示意圖。隨著入射深度越來(lái)越深,前幾個(gè)空間位置對(duì)應(yīng)的能散越來(lái)越大,偏度
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Fabrication and absolute calibration of B-dot probe for magnetic field measurement on a high power laser facility[J]. 況龍鈺,薛飛彪,景龍飛,于瑞珍,杜華冰,易濤,李廷帥,黎航,余羿,王峰,江少恩,胡廣月,鄭堅(jiān). Plasma Science and Technology. 2020(08)
[2]多晶CVD金剛石型X射線光束診斷探測(cè)器研制[J]. 王炳杰,常廣才,劉鵬,李玉曉,李貞杰. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2018(06)
[3]直流電弧等離子體噴射法制備金剛石自支撐膜研究新進(jìn)展[J]. 李成明,陳良賢,劉金龍,魏俊俊,黑立富,呂反修. 金剛石與磨料磨具工程. 2018(01)
[4]金剛石半導(dǎo)體材料和器件的研究現(xiàn)狀[J]. 陳亞男,張燁,郁萬(wàn)成,龔猛,楊霏,劉瑞,王嘉銘,李玲,金鵬,王占國(guó). 微納電子技術(shù). 2017(04)
[5]空氣中氚的測(cè)量方法探討[J]. 程豐民,夏冰,丁洪深,羅磊,呂蘊(yùn)海. 中國(guó)輻射衛(wèi)生. 2017(01)
[6]核輻射探測(cè)器金剛石膜制備技術(shù)研究[J]. 童恒義,汪淵,周長(zhǎng)庚,邱瑞. 核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù). 2014(12)
[7]穩(wěn)態(tài)強(qiáng)磁場(chǎng)技術(shù)與科學(xué)研究[J]. 匡光力,邵淑芳. 中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué). 2014(10)
[8]超納米金剛石薄膜的性能和制備及應(yīng)用[J]. 呂琳,汪建華,翁俊,張瑩. 真空與低溫. 2014(03)
[9]CVD金剛石大單晶外延生長(zhǎng)及高技術(shù)應(yīng)用前景[J]. 呂反修,黑立富,劉杰,宋建華,李成明,唐偉忠,陳廣超. 熱處理. 2013(05)
[10]化學(xué)氣相沉積金剛石X射線探測(cè)器相對(duì)標(biāo)定[J]. 侯立飛,李志超,袁永騰,況龍鈺,楊國(guó)洪,劉慎業(yè). 強(qiáng)激光與粒子束. 2012(08)
博士論文
[1]高純金剛石的合成與氮空位色心的研究[D]. 陳良超.吉林大學(xué) 2019
[2]金剛石薄膜及異質(zhì)結(jié)的生長(zhǎng)與性質(zhì)研究[D]. 沈洋.南京大學(xué) 2019
[3]CVD金剛石自支撐膜的高溫石墨化行為研究[D]. 閆雄伯.北京科技大學(xué) 2019
[4]優(yōu)質(zhì)金剛石大單晶生長(zhǎng)的數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 李亞?wèn)|.吉林大學(xué) 2017
[5]新型高功率MPCVD裝置研制與金剛石膜高效沉積[D]. 李義鋒.北京科技大學(xué) 2015
[6]等離子體性狀對(duì)CVD金剛石沉積結(jié)果影響的研究[D]. 李彬.北京科技大學(xué) 2015
[7]一種新穎的碳的同素異形體α-graphdiyne:第一性原理研究[D]. 牛小寧.蘭州大學(xué) 2014
[8]CVD金剛石/銅復(fù)合材料的基礎(chǔ)研究[D]. 劉學(xué)璋.中南大學(xué) 2013
[9]基于實(shí)時(shí)數(shù)字恒比定時(shí)技術(shù)的數(shù)字時(shí)間譜儀研究[D]. 孫劍.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2011
[10]納米金剛石薄膜及其輻射探測(cè)器的制備和性能研究[D]. 沈滬江.上海大學(xué) 2010
碩士論文
[1]半絕緣GaAs中子探測(cè)器研究[D]. 王盛茂.東華理工大學(xué) 2018
[2]4H-SiC肖特基結(jié)型α粒子探測(cè)器的制備與性能研究[D]. 葉鑫.大連理工大學(xué) 2018
[3]用于同步輻射X射線光束診斷的多晶CVD金剛石探測(cè)器研制[D]. 王炳杰.鄭州大學(xué) 2018
[4]單晶碳化硅襯底合成CVD金剛石薄膜的研究[D]. 曹陽(yáng).武漢工程大學(xué) 2018
[5]直流輝光放電CVD法制備納米金剛石薄膜的研究[D]. 陽(yáng)碩.武漢工程大學(xué) 2017
[6]SiC輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及性能研究[D]. 張凌民.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2017
[7]基于光電二極管的核輻射探測(cè)儀器的研制[D]. 陳祥鵬.中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京) 2016
[8]GaN基核輻射探測(cè)器研究[D]. 萬(wàn)明.東華理工大學(xué) 2015
[9]大尺寸金剛石膜制備的研究[D]. 張議丹.牡丹江師范學(xué)院 2015
[10]基于FPGA的伽瑪射線探測(cè)系統(tǒng)數(shù)據(jù)采集與實(shí)現(xiàn)[D]. 陳磊.成都理工大學(xué) 2015
本文編號(hào):3462698
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/gckjbs/3462698.html
最近更新
教材專著