硅酸鹽系列的無(wú)機(jī)磷光體是一種極具應(yīng)用潛力的基質(zhì)材料,尤其是Mg₂SiO₄系列,其摻雜稀土后具有良好的熱釋光靈敏度,可以制備出具有良好性能的熱釋光劑量材料。本文首先通過(guò)高溫固相法制備了Mg₂SiO₄:RE（RE=Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Yb）系列樣品。對(duì)比純Mg₂SiO₄和Mg₂SiO₄:RE的熱釋光譜（TL）發(fā)現(xiàn),隨著稀土的摻入,晶格扭曲產(chǎn)生晶體缺陷,這些缺陷和稀土離子的半徑有關(guān);Mg₂SiO₄中的兩個(gè)不同Mg²⁺格位允許稀土離子替換,使樣品中熱釋光峰位發(fā)生不同程度的變化;同一樣品中,熱釋光峰隨波長(zhǎng)會(huì)發(fā)生偏移表明稀土發(fā)光和缺陷之間有緊密聯(lián)系;通過(guò)對(duì)比稀土摻雜Mg₂SiO₄:RE的熱釋光,發(fā)現(xiàn)Mg₂SiO₄:Tb的熱釋光性能最好,因此... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)地質(zhì)大學(xué)(北京)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：110 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

熱釋光電子躍遷過(guò)程的能級(jí)圖

4為1≤b≤2。當(dāng)b=l時(shí)，為一級(jí)動(dòng)力學(xué)方程，當(dāng)b=2時(shí)，為二級(jí)動(dòng)力學(xué)方程。采用一般級(jí)動(dòng)力學(xué)方程擬合熱釋光峰，可得到激活能E、頻率因子s，動(dòng)力學(xué)級(jí)數(shù)b，以及發(fā)光峰高和峰面積等參數(shù)（Randalletal，1945；Garlicketal，1948；Chen，1969，1997；Mckeeveretal，1997）。圖1-2典型的一級(jí)動(dòng)力學(xué)發(fā)光峰和二級(jí)動(dòng)力學(xué)發(fā)光峰的對(duì)比（唐，2004）1.1.2.2較復(fù)雜的熱釋光發(fā)光模型通常熱釋光材料中存在多個(gè)電子或空穴陷阱，如圖1-3所示。圖1-3（a）表示多個(gè)電子陷阱存在的情況，圖1-3（b）表示有多個(gè)空穴陷阱存在的情況，圖圖1-3熱釋光具有多個(gè)陷阱和中心的示意圖

4為1≤b≤2。當(dāng)b=l時(shí)，為一級(jí)動(dòng)力學(xué)方程，當(dāng)b=2時(shí)，為二級(jí)動(dòng)力學(xué)方程。采用一般級(jí)動(dòng)力學(xué)方程擬合熱釋光峰，可得到激活能E、頻率因子s，動(dòng)力學(xué)級(jí)數(shù)b，以及發(fā)光峰高和峰面積等參數(shù)（Randalletal，1945；Garlicketal，1948；Chen，1969，1997；Mckeeveretal，1997）。圖1-2典型的一級(jí)動(dòng)力學(xué)發(fā)光峰和二級(jí)動(dòng)力學(xué)發(fā)光峰的對(duì)比（唐，2004）1.1.2.2較復(fù)雜的熱釋光發(fā)光模型通常熱釋光材料中存在多個(gè)電子或空穴陷阱，如圖1-3所示。圖1-3（a）表示多個(gè)電子陷阱存在的情況，圖1-3（b）表示有多個(gè)空穴陷阱存在的情況，圖圖1-3熱釋光具有多個(gè)陷阱和中心的示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
[1]不同微結(jié)構(gòu)硼酸鹽的制備及其輻射劑量應(yīng)用[D]. 高曉峰.南京航空航天大學(xué) 2013



本文編號(hào)：3313162