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托卡馬克等離子體高熱流下鎢表面損傷行為研究

發(fā)布時間:2021-01-20 16:06
  鎢由于其氚滯留率低和優(yōu)異的抗輻照性能,已被未來聚變裝置如ITER、CFETR等選為面對等離子材料,并應用于高熱流粒子流挑戰(zhàn)最嚴峻的偏濾器區(qū)域。為了在托卡馬克放電過程中獲得更高品質(zhì)的等離子體,同時延長材料部件的使用壽命,必須理解鎢表面的損傷行為和機理并尋求解決方法。本文基于高熱負荷實驗測試結果和實際托卡馬克裝置內(nèi)鎢的表面損傷現(xiàn)象,采用有限元方法,并輔以紅外、探針等熱流診斷對托卡馬克高熱流下的鎢表面損傷行為進行了研究。首先,針對EAST偏濾器,開展熱流診斷與分析;隨后基于理論,分析鎢材料部件在穩(wěn)態(tài)熱流和瞬態(tài)熱流作用下的熱結構響應及損傷行為閾值;最后針對EAST偏濾器靶板表面出現(xiàn)的熔化和開裂行為,進行了解釋和預測。論文主要工作和創(chuàng)新如下:在托卡馬克偏濾器靶板鎢表面熱流診斷方面,基于一套位于EAST H窗口的上鎢偏濾器外靶板高時空分辨大量程(~3 mm/pixel,1000-3000 Hz,0-2500℃)紅外熱成像診斷系統(tǒng)。根據(jù)紅外測溫數(shù)據(jù),采用有限元類比方法,對靶板表面的長脈沖穩(wěn)態(tài)和周期性瞬態(tài)熱流進行了有效的計算,分析過程考慮了瓦塊表面溫度的環(huán)向不均勻性、偏濾器靶板熱流分布的環(huán)向不對稱性以... 

【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:140 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

托卡馬克等離子體高熱流下鎢表面損傷行為研究


圖1.1托卡馬克裝置基本結構M??2??

幾何形狀,場線,真空,磁場


?第一章引言???1.1.2托卡馬克裝置??在眾多的磁約束聚變裝置中,托卡馬克裝置自從提出后就受到廣泛的關注,??現(xiàn)如今己是聚變界的主流研宄方向。圖1.1是托卡馬克的結構示意圖,其核心部??件分別是環(huán)向場線圈、極向場線圈、中心螺線管和真空室。此外一個完整的托??卡馬克實驗裝置一般還配備有輔助加熱、等離子體診斷、反饋控制、抽氣和加??料等子系統(tǒng),從而滿足在真空強磁場環(huán)境下對等離子體進行加熱、診斷和控制??的實驗需求。??孓?TFTR*?〇,^^lb^L#JET.??TFTR??E?1-?ALC-C*?JT-60*?;i??-WL?嚴??c-?Beftctor-rdevant?condition#?^Dltl-D?—?19S0??I?01?-?ASDEX.^^?^BX?#tEXT〇R??I?plt*?^?'?vW??.%?Tt〇*?fm??£?0.01-?TFRj????D-D?Experiments?|?一??〇?Full?0-T?Experiments???BW^gj?1965??0.1?t?10?100??Central?Ion?temperature?T*?(keV)??圖1.2過去50年各裝置聚變?nèi)胤e的進步情況【11]??托卡馬克裝置的環(huán)向磁場5?,是由均勻分布在真空室圓周上的環(huán)向場線圈??生成的,其與大半徑尺會因為裝置的特殊幾何形狀,有以下關系:??Blor^j?(1-3)??可見越靠近環(huán)軸內(nèi)側的磁場越強,所以靠內(nèi)磁場又被稱為高場側(high?field??side,HFS),而靠外磁場被稱為低場側(low?field?side,LFS),這種不均勾的??環(huán)向

磁位,等離子體,濾器,高溫等離子體


?第一章引言???D_T等離子體的自持“燃燒”和通過托卡馬克裝置來實現(xiàn)可控核聚變的科學可行??性【11。該項目啟動于1985年,隨后2003年中國加入,至今己有近40年的歷史,??主要成員國是中國、歐盟、日本、美國、俄羅斯、韓國和印度。在表U中列出??了?ITER與國內(nèi)外主要裝置的參數(shù)。??1.2面對等離子體材料??聚變等離子體上億度的高溫在地球上目前沒有任何材料能夠承受,所以必??須要將中心的高溫等離子體與真空室壁分隔開。分隔方法主要有如圖1.3所示:??即限制器(limiter)和偏濾器(divertor)。其中限制器通過與主等離子體邊緣相??切,將等離子體分成以切面為界兩個區(qū)域,切面位置的磁面就是最外閉合磁面??(Last?Closed?Flux?Surface,?LCFS),LCFS內(nèi)部先是靠外的邊界等離子體然后??是越靠內(nèi)參數(shù)越大的主等離子體,LCFS外部是刮削層(Scrapped-Off?Layer,SOL)??。此外就是通過偏濾器將磁面分界,通常采用具有一個或者兩個X點的位形,??這時磁分界面就是LCFS,它可以避免高溫等離子體與第一壁材料直接接觸。大??多數(shù)的粒子以及熱量都被引導至偏濾器區(qū)域,讓熱流和粒子流轟擊到特定的靶??板上,并且偏濾器的特殊磁場結構也能夠使得源于靶板的雜質(zhì)難以重回主等離??子體區(qū)域[21。??S?p?ra。,>??S?P?r?tn???o.??Divertof?Target?Pnvtle?Region??(a)?(b)??圖1.3托卡馬克的兩種磁位形。(a)限制器;(b)偏濾器。??1.2.1等離子體與壁相互作用??高溫等離子體與材料接觸會對材料表面造成很大

【參考文獻】:
期刊論文
[1]Thermal analysis on the EAST tungsten plasma facing components with shaping structure counteracting the misalignment issues[J]. 王保國,朱大煥,丁銳,陳俊凌.  Plasma Science and Technology. 2017(02)
[2]ITER偏濾器W/Cu單體模塊熱-結構模擬與分析[J]. 薛奎,陳俊凌,朱大煥.  核聚變與等離子體物理. 2013(04)
[3]聚變堆中面向等離子體材料的研究進展[J]. 張小鋒,劉維良,郭雙全,姜林文.  科技創(chuàng)新導報. 2010(03)

博士論文
[1]EAST第一壁熱負荷測量及功率平衡研究[D]. 劉煜鍇.中國科學技術大學 2019
[2]EAST鎢偏濾器探針診斷系統(tǒng)研制及靶板熱流粒子流實驗研究[D]. 許吉禪.中國科學技術大學 2019



本文編號:2989350

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