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金屬氧化物基氣敏材料制備及其性能研究

發(fā)布時間:2021-01-04 16:26
  隨著物聯(lián)網(wǎng)和微型健康氣體檢測儀等給人類的生活提供了極大的便利,同時氣體傳感器高溫操作的缺陷越來越突出。開發(fā)低溫操作的氣體傳感器是推動其快速發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。敏感材料對氣敏性能起到重要作用,選擇合適的敏感材料有助于傳感器性能改善。金屬氧化物基傳感器具有靈敏度高、壽命長和造價低等優(yōu)勢,這類材料有發(fā)展為高性能器件潛力而成為研究熱點(diǎn)。然而目前金屬氧化物基傳感器仍然存在三個重要問題:(1)單一金屬氧化物氣敏材料的操作溫度偏高;(2)檢測時該類材料的選擇性相對較差;(3)大氣中濕度變化對該類材料影響較大。目前異質(zhì)結(jié)是提升傳感器性能,優(yōu)化操作溫度的重要途徑。而氮化鎵(GaN)作為第三類半導(dǎo)體具有高電子遷移率和化學(xué)穩(wěn)定性好,易于形成異質(zhì)結(jié)。因此本論文以金屬氧化物的納米材料為基礎(chǔ),與GaN或碳材料結(jié)合設(shè)計具有異質(zhì)結(jié)的復(fù)合材料。首先基于該異質(zhì)結(jié)的傳感器實(shí)現(xiàn)氣敏性能提升,然后實(shí)現(xiàn)低溫的高性能氣體檢測為目標(biāo)展開相關(guān)研究,從而解決金屬氧化物基氣體傳感器存在關(guān)鍵問題。具體研究工作如下:1.將多孔氮化鎵(PGAN)基層狀異質(zhì)結(jié)應(yīng)用到濕度傳感器,采用水熱法制備六方氧化鋅納米片(ZnO),然后噴涂法制備ZnO/PGA... 

【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:147 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

金屬氧化物基氣敏材料制備及其性能研究


圖1.2金屬氧化物基氣體傳感器兩種基本結(jié)構(gòu)和組成示意圖:(a)陶瓷管式和(b)平板??式[1H??Figure?1.2?Schematic?diagram?of?the?basic?composition?of?metal?oxide?based?gas?sensors:?(a)??ceramic?tube?type?and?(b)?flat?plate?type.??(1)靈敏度??靈敏度(Sensitivit)代表符號“S^,它是衡量氣體傳感器對?

示意圖,半導(dǎo)體,空穴,氧化物


導(dǎo)電性增加[25]。??而對于p型金屬氧化物基氣體傳感器而言,載流子的載體多數(shù)為空穴。與n??型材料相反,氧氣捕獲敏感材料表面電子并導(dǎo)致能帶向下彎曲。但是,對于p型??金屬氧化物價帶彎曲的原因是由于空穴積累造成的。這就意味著與n型金屬氧化??〇?0?0?0?〇?〇?〇??E,?E*??鬆爐?4*(?<?c????4??^?m?m?m?m?m??*?3k.??以…人??…a?.…r?a?T?J??depletion?layer?accumulation?layer??圖1.4金屬氧化物半導(dǎo)體載流子傳導(dǎo)過程示意圖:(a)在n型半導(dǎo)體的耗盡層中:(b)在??P型半導(dǎo)體的空穴積累層中M??Figure?1.4?Schematic?diagram?of?metal?oxide?semiconductor?carrier?conduction?process:?(a)??in?the?depletion?layer?of?a?n-type?semiconductor,?(b)?in?the?hole?accumulation?layer?of?a?p-??type?semiconductor.??物相比,p型材料的導(dǎo)電性更好,電阻更校在還原性測試氣體氛圍中,測試??氣體與吸附的氧離子相互作用,而不是直接與敏感材料表面直接作用。當(dāng)氣體??7??

示意圖,氧化物,氣體,金屬


氣敏敏??感機(jī)制。金屬氧化物異質(zhì)結(jié)的設(shè)計和機(jī)理將在異質(zhì)結(jié)部分重點(diǎn)討論。??(a)?H2??2〇?(b)??〇2?〇f?〇2?〇2-?Nf?'?〇2-?〇t?〇2??蠢。娜.??〇2?〇2?〇2?NOs?Of?o'?NO,???M>?*?V??N??4?k?jf?\??In?reduclnggas?i\?/?;\?\?In?oxidiMng?gas??,nalr?In?air?//?\\??— ̄—?Potential?’?、、\??barrier??圖1.5?n型金屬氧化物晶粒的氧吸附和相關(guān)能帶結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖:(a)在還原氣體中;??(b)在氧化氣體中??Figure?1.5?Schematic?of?grains?of?n-type?semiconductor?with?oxygen?adsorption?and??associated?band?structure,?(a)?in?reducing?gas,?(b)?in?oxidixing?gas.??1.3.?3影響金屬氧化物氣敏材料性能的關(guān)鍵因素??研究表明,對金屬氧化物影響氣敏性能是由所有金屬氧化物參數(shù)共同決定的,??如圖1.6所示M。隨著科研人員研究不斷深入,金屬氧化物制備過程的優(yōu)化是改??善傳感器特征參數(shù)有效的方法之一。因?yàn)榻饘傺趸锏男蚊、結(jié)構(gòu)、體積和表面??等參數(shù)性質(zhì),這些性質(zhì)對氣體傳感性能有顯著的影響。實(shí)驗(yàn)研宄分析表明,膜厚??度t33]、顆粒尺寸t34,35k孔隙率[36,3火表面形貌[32,38,391等因素是改善氣敏性能的重??9??

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Gas Sensors Based on Chemi-Resistive Hybrid Functional Nanomaterials[J]. Yingying Jian,Wenwen Hu,Zhenhuan Zhao,Pengfei Cheng,Hossam Haick,Mingshui Yao,Weiwei Wu.  Nano-Micro Letters. 2020(06)
[2]金屬氧化物異質(zhì)結(jié)氣體傳感器氣敏增強(qiáng)機(jī)理[J]. 唐偉,王兢.  物理化學(xué)學(xué)報. 2016(05)
[3]ZnSnO3-SnO2納米片分級結(jié)構(gòu)的自組裝及氣敏特性(英文)[J]. 曾毅,邴一飛,劉暢,鄭偉濤,鄒廣田.  Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2012(10)

博士論文
[1]金屬氧化物半導(dǎo)體納米材料的制備及其氣敏傳感性能的研究[D]. 張子悅.浙江大學(xué) 2018
[2]金屬氧化物半導(dǎo)體表面態(tài)的調(diào)控設(shè)計及氣敏性能的研究[D]. 王麗麗.吉林大學(xué) 2014



本文編號:2957060

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