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鉬基硫化物納米復(fù)合材料的制備及其光催化和電化學(xué)性能的研究

發(fā)布時間:2018-02-28 03:05

  本文關(guān)鍵詞: 硫化鉬 納米材料 光催化 水熱法 電容器 二維材料 出處:《吉林大學(xué)》2017年博士論文 論文類型:學(xué)位論文


【摘要】:二硫化鉬(MoS_2),作為一種半導(dǎo)體材料,因其獨特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能在太陽能、催化和電化學(xué)等領(lǐng)域具有重要的研究和應(yīng)用價值。同時,MoS_2具有特殊的類石墨烯二維層狀結(jié)構(gòu),并由三層原子組成(S-Mo-S)層間通過微弱的范德華力相連。一方面,這種二維納米片可以提供高的比表面和離子插層空間,比氧化物高的內(nèi)在離子電導(dǎo)率以及相對于石墨烯更高的理論比電容,因此MoS_2作為電容器電極材料擁有廣泛的應(yīng)用前景;另一方面,MoS_2還對光的吸收能力強,強的吸附能力,更高的反應(yīng)活性,禁帶寬度窄,使其成為一種具有潛力的光催化材料。然而,然而單純的MoS_2的導(dǎo)電能力還是低于碳基材料,而且單純的MoS_2團聚嚴(yán)重,傳導(dǎo)阻力比較大,電容量相對較小,從而導(dǎo)致其光催化與電化學(xué)性能受到了限制。為此,我們以此為切入點,采用簡單的水熱合成法,設(shè)計將MoS_2納米片層材料與其它材料進行復(fù)合,并通過加入促進相或合成三元硫化物的形式充分利用層狀MoS_2的大比表面積并提高導(dǎo)電性以及比容量,作為新型的催化以及超級電容器用的復(fù)合材料。本論文實現(xiàn)了對材料的可控合成,同時對其結(jié)構(gòu)進行了表征,并研究了其在光催化方面及在超級電容器方面的性能。主要的研究工作分為以下幾個部分:1.研究了MoS_2納米片層材料與α-Fe_2O_3納米顆粒復(fù)合的可控合成問題。首先采用簡單的一步水熱法,合成了小尺寸的、分散性好的α-Fe_2O_3納米立方。以Fe_2O_3納米立方作為模板可以在水熱的條件下協(xié)助二維MoS_2納米片層的生長,并形成Fe_2O_3納米粒子均勻地附著于二維的MoS_2納米片層上的特殊的三維分級異質(zhì)結(jié)構(gòu)。同時,在反應(yīng)過程中,Fe_2O_3形成了多孔結(jié)構(gòu)并在與MoS_2接觸面上形成了一定的氧空位。復(fù)合后的α-Fe_2O_3/MoS_2催化劑表現(xiàn)出更優(yōu)異的光芬頓催化效率,在10分鐘內(nèi),可以降解99%的甲基橙(30 m L,濃度20 mg/L),并在循環(huán)6次后,仍能在20分鐘內(nèi)對MO具有97%的降解率。此外催化劑還表現(xiàn)出優(yōu)異的普適性,對剛果紅和羅丹明B都具有很好的降解能力。同時,在這個實驗中,我們收集了經(jīng)六次循環(huán)催化的材料,并將它用作超級電容器的電極材料。實驗發(fā)現(xiàn),經(jīng)催化循環(huán)過程后的催化劑再利用作為電極材料表現(xiàn)出良好的電化學(xué)性能。在電流密度為0.5 A g~(-1)時,回收后材料的比電容為266 F g~(-1),電化學(xué)性能優(yōu)于未利用的材料,并能在循環(huán)2000圈后保持原電容的82%。這是因為Fe_2O_3納米粒子的多孔結(jié)構(gòu)使其具有更多的電化學(xué)位點,同時縮短了離子擴散通道長度,為離子的進出提供了更多的通道,從而表現(xiàn)出較好的比電容。與此同時,在光催化過程中在材料表面形成了大量的氧空位,能夠顯著提升電容、增加活性位點、促進更快的可逆性的電荷轉(zhuǎn)移,從而得到更優(yōu)秀的電容性能。2.研究了三元硫化物Co Mo_2S_4的制備問題,采用簡單的一步水熱法合成了在還原的氧化石墨烯(RGO)上垂直生長的Co_3S_4/Co Mo_2S_4(CMS)超薄納米片(CMS-r GO)。由于Co可以成為MoS_2的促進相,所以Co的加入可以促進形成的Co_3S_4/Co Mo_2S_4接觸面間電荷的轉(zhuǎn)移,提高材料的導(dǎo)電性。有趣地是,通過對Co_3S_4/Co Mo_2S_4之間的接觸面進行模擬發(fā)現(xiàn),Co_3S_4的(111)晶面與Co Mo_2S_4的(200)晶面匹配度很高,并通過Co_3S_4面上的S離子與Co Mo_2S_4面上的Co離子連接,從而電子可以在這個接觸面上通過S-Co鍵快速地轉(zhuǎn)移。但并不是Co_3S_4面上的所有的S離子都與Co Mo_2S_4面上的Co離子連接的,即這個接觸面為半共格界面。所以在這個接觸面上存在很多的缺陷,這些未成鍵處會形成一些空位,更有利于離子的轉(zhuǎn)移,同時防止在充放電過程中體積膨脹造成的結(jié)構(gòu)破壞。更重要地是,CMS在r GO上生長,利于CMS的分散,并提供大量的電子和離子轉(zhuǎn)移通道。所以,一方面CMS內(nèi)部的協(xié)同作用有利于其擁有較好的電化學(xué)性能。另一方面,納米片的超薄特性和接觸面上豐富的缺陷都有利于電解液的滲透并提供大量的空位緩解體積膨脹造成的破壞。綜上所述,我們應(yīng)用三電極體系來測試CMS-r GO復(fù)合物作為電極材料的電化學(xué)性能。材料在電流密度是1 A g~(-1)時具有的最大比電容是1457.8 F g~(-1),并具有不錯的倍率性能,當(dāng)電流密度增大到10和20 A g~(-1)時,材料仍能保持較高的比電容833.3和657.8 F g~(-1)。同時,材料也具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性,在電流密度10 A g~(-1)的條件下循環(huán)2000圈后仍能保持初始比電容的97%,同時形貌基本保持不變。此外,為了研究材料的實際應(yīng)用價值,我們還以其作為正極,活性炭(AC)作為負(fù)極,KOH作為電解液來組裝了非對稱電容器。制備的非對稱電容器具有優(yōu)異的電化學(xué)性能,在1 A g~(-1)時,比電容達到82.4 F g~(-1),能量密度達到33.1 Wh kg~(-1)(功率密度0.85k W kg~(-1))并能在循環(huán)5000圈后仍保持93.8%的比電容。3.論文研究了一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)-負(fù)載硫化鎳(NS)的MoS_2納米片(NMS)包覆的碳納米管的制備問題,給出了一套高效的利用葡萄糖輔助水熱法的制備方法。在反應(yīng)中,由葡萄糖提供的碳使得MoS_2納米片與碳納米管緊密地連接,同時得到了1T-2H混合相MoS_2從而提供更好的導(dǎo)電性。同時,作為MoS_2促進相的NS有效地促進了離子在界面間的轉(zhuǎn)移,同時NMS片層之間的空隙可以有效地緩沖在反應(yīng)過程中體積的變化從而提高材料的循環(huán)穩(wěn)定性。更重要地是,形成的彎曲糾纏的一維異質(zhì)結(jié)構(gòu)相互纏繞并構(gòu)成三維多孔的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),促進電解液地擴散并提供快速的電子轉(zhuǎn)移通道。這一設(shè)計具有金屬硫化物(贗電容源于NS和MoS_2)和CNT(EDLC源于CNTs)協(xié)同作用的優(yōu)勢。因此,材料表現(xiàn)出優(yōu)秀的電化學(xué)性能,在電流密度是0.5 A g~(-1)時具有的比電容是757 F g~(-1),更重要地是,NMS/CNT電極在循環(huán)2000圈后仍然可以基本保持原有電容的100%,證明了我們的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)具有非常好的穩(wěn)定性和可逆性。另外,我們組裝了NMS/CNT//AC非對稱電容器來研究其應(yīng)用價值,其表現(xiàn)出較高的電容在0.5 A g~(-1)時為108 F g~(-1),同時表現(xiàn)出高的能量密度0.4 k W kg~(-1)時為40 Wh kg~(-1),同時具有良好的循環(huán)穩(wěn)定性,在循環(huán)10000圈后仍能基本保持原有電容的100%。最后,我們將兩個NMS/CNT//AC電容器串聯(lián)起來并能夠成功地將4盞紅色發(fā)光二極管(LED,1.8 V,20m A)小燈點亮,直觀的顯示了它們的實際應(yīng)用價值。
[Abstract]:This paper deals with the controllable synthesis of nano - Fe _ 2O _ 3 nanoparticles with high specific surface area , high adsorption capacity , higher reactive activity and narrow band width . This paper studies the preparation of Co _ 3S _ 4 / Co - Mo _ 2S _ 4 ( CMS ) ultra - thin nanosheets ( CMS - r GO ) grown vertically on the reduced graphene oxide ( RGO ) by a simple one - step hydrothermal method . On the other hand , by simulating the contact surface between Co _ 3S _ 4 / Co Mo _ 2S _ 4 , it is found that the maximum specific capacitance of Co _ 3S _ 4 is 1457 . 8 F g ~ ( -1 ) when the current density increases to 10 and 20 A g ~ ( -1 ) . At the same time , the structure of the two NMS / CNT / / AC capacitors can effectively buffer 100 % of the original capacitance when the current density is 0.5 A g ~ ( -1 ) . In addition , we have assembled the NMS / CNT / / AC asymmetric capacitor to make up 100 % of the original capacitance . At last , we put the two NMS / CNT / AC capacitors in series and successfully illuminate the 4 red LEDs ( LED , 1.8 V , 20m A ) small lamps .

【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號】:TB383.1;O643.36;O646

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