中紅外激光下非次序雙電離的電子關(guān)聯(lián)動(dòng)力學(xué)研究
【文章頁數(shù)】:54 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1光電離過程:從左至右依次為單光子電離,多光子電離,閾上電離
信陽師范學(xué)院碩士學(xué)位論文2量與光子能量滿足簡(jiǎn)單的關(guān)系:pkIwE(1-1)其中kE為光電子的末態(tài)能量,pI為電子的束縛能,w為光子的頻率,h2/(h為普朗克常數(shù))。根據(jù)此公式,只有當(dāng)光子的能量大于電子的束縛能時(shí),才會(huì)發(fā)射出光電子;而當(dāng)光子的能量小于電子的束縛能時(shí),無論光場(chǎng)與物質(zhì)作....
圖1-2閾上電離的光電子能量譜
信陽師范學(xué)院碩士學(xué)位論文3其中N為電離所必須要吸收的光子數(shù)目,s為額外吸收的光子數(shù)目。圖1-1給出了隨著激光強(qiáng)度升高,激光場(chǎng)作用下電離過程由單光子吸收電離向MPI,ATI過程轉(zhuǎn)變的示意圖。對(duì)于MPI,由于光強(qiáng)較低,可以用微擾理論比較精確地描述。例如,多光子電離的電離率可以由公式(....
圖1-3強(qiáng)激光場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的原子電離示意圖:(a)遂穿電離;(b)越勢(shì)壘電離
信陽師范學(xué)院碩士學(xué)位論文5當(dāng)激光強(qiáng)度進(jìn)一步提高,原子的勢(shì)壘進(jìn)一步變低、變窄,使得電子能夠越過勢(shì)壘而電離,這種電離過程被稱作越勢(shì)壘電離(over-barrierionization)[17]。圖1-3給出了隨激光強(qiáng)度增強(qiáng),電離機(jī)制由遂穿電離向越勢(shì)壘電離轉(zhuǎn)變的示意圖。圖1-3強(qiáng)激光場(chǎng)....
圖1-4離子產(chǎn)率隨激光強(qiáng)度的變化關(guān)系
信陽師范學(xué)院碩士學(xué)位論文6隨著激光技術(shù)的進(jìn)步,人們能夠測(cè)量雙電離的離子的總產(chǎn)量與激光強(qiáng)度的依賴關(guān)系。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),能夠用基于單電子近似的ADK理論很好地解釋對(duì)單電離離子的產(chǎn)量。然而對(duì)于雙電離的離子產(chǎn)量,實(shí)驗(yàn)測(cè)到的結(jié)果比基于單電子近似ADK理論預(yù)言的結(jié)果高出了好幾個(gè)數(shù)量級(jí)[23,24]....
本文編號(hào):3939214
本文鏈接:http://sikaile.net/shoufeilunwen/benkebiyelunwen/3939214.html