SiC_p/Al復合材料具有高導熱、低膨脹、高模量、低密度等優(yōu)異的綜合性能，在電子封裝領域具有廣闊的應用前景。目前廣泛采用的SiC_p/Al復合材料的制備方法為工藝復雜、設備昂貴的壓力浸滲。由于無壓浸滲技術(shù)具有工藝簡單，成本低廉等優(yōu)點，本文采用無壓浸滲法在空氣環(huán)境下，制備出了β-SiC_p/Al復合材料，并對復合材料的微觀組織和元素分布進行了觀察和分析；討論了潤濕性原理和無壓浸滲方法的機理；研究了Mg、Si元素對無壓浸滲過程的影響；測試了不同工藝下β-SiC_p/Al復合材料的熱導率、熱膨脹系數(shù)等熱物理性能；并研究了SiC顆粒體積含量，粒徑大小對復合材料熱物理性能的影響。 研究表明，無壓浸滲法制備β-SiC_p/Al復合材料的關鍵在于β-SiC_p/Al界面潤濕的轉(zhuǎn)變，碳化硅的氧化處理對β-SiC_p/Al界面的潤濕性轉(zhuǎn)變起著重要的作用；在鋁合金基體中添加適量的Mg，會在界面處與SiO₂參與反應生成MgAl₂

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1壓力浸滲原理示意圖

(a)氣壓浸滲(b)擠壓浸滲圖1.1壓力浸滲原理示意圖氣體壓力滲透鑄造法的生產(chǎn)過程大致為：將預制件放入模型中，抽真空，加熱熔化體，保溫，進氣加....

圖1.2用于IGBT的電子封裝基片

在SiC含量偏低，TC值偏低，產(chǎn)品的尺寸精度的控制上還有不少差距，另外生產(chǎn)太高，離實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)還有很長一段距離。由于國外研究起步早，美國TTC....

圖2.1β-SiC顆粒形貌及粒度分布

圖2.1β-SiC顆粒形貌及粒度分布2.2.2基體鋁合金的選擇鋁合金采用在中頻感應熔煉爐中自行配制熔煉的合金，其中，鋁合金中的Si和M元素的含量....

圖2.3無壓浸滲裝置示意圖

圖2.3無壓浸滲裝置示意圖2.5復合材料性能測試2.5.1微觀組織觀察本文采用日本OLYMPUSBX71金相顯微鏡對復合材料的顆粒分布，浸滲缺陷....

本文編號：3924165