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PI襯底卷繞磁控濺射/電沉積法制備Cu膜工藝及其性能研究

發(fā)布時間:2022-11-10 21:17
  在電子產(chǎn)品的小型化以及液晶顯示電子產(chǎn)品高速發(fā)展的驅(qū)動下,COF (Chip on Film)的應(yīng)用市場得到了快速的擴(kuò)大。COF撓性基板作為COF的重要組成部分之一,以及在LCD驅(qū)動IC中,它起到承載IC芯片、電路連通、絕緣支撐的作用。高微細(xì)線路、高安裝引線位置精度及采用二層撓性覆銅板(2L-FCCL)是它突出的三大特點(diǎn)。二層撓性覆銅板的制備方法主要有涂布法、層壓法、濺鍍法。 本文采用磁控濺射法與磁控濺射電沉積法,通過在PI膜表面上直接濺射沉積Cu膜或先在PI膜表面上磁控濺射一層導(dǎo)電膜層后通過電沉積加厚的方法制備PI-Cu膜,利用四探針測試儀、X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)等手段研究了濺射電流、工作壓強(qiáng)、電沉積電流密度、沉積時間、過渡層等制備工藝對薄膜的電阻率、晶面擇優(yōu)取向、附著力、表面形貌等性能的影響。研究表明,采用磁控濺射法制備PI-Cu膜時,工作壓強(qiáng)為0.4Pa時,較小的工作電流(小于10A),Cu膜電阻率較大,較大的工作電流(大于12A),薄膜電阻率較小,并且隨著工作電流的增大,電阻率變化逐漸變小;與未施加過渡層樣品的電阻率相比,施加... 

【文章頁數(shù)】:68 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
目錄
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 制備方法
    1.3 撓性覆銅板的特點(diǎn)
    1.4 研究意義
    1.5 國內(nèi)外研究動態(tài)
    1.6 研究內(nèi)容
    1.7 前景展望
    參考文獻(xiàn)
第二章 實(shí)驗設(shè)備及檢測儀器
    2.1 實(shí)驗設(shè)備
    2.2 實(shí)驗材料和試劑
    2.3 測試儀器
        2.3.1 膜厚測試儀
        2.3.2 四探針測試儀
        2.3.3 X射線衍射儀
        2.3.4 掃描電子顯微鏡
        2.3.5 原子力顯微鏡
        2.3.6 剝離強(qiáng)度測試裝置
    參考文獻(xiàn)
第三章 非卷繞式磁控濺射法制備PI-Cu膜
    3.1 實(shí)驗設(shè)備及材料
    3.2 工藝流程
    3.3 樣品的測試與分析
        3.3.1 濺射電流對薄膜電阻率的影響
        3.3.2 工作壓強(qiáng)對薄膜電阻率的影響
        3.3.3 靶基間距對薄膜電阻率的影響
        3.3.4 工作壓強(qiáng)和濺射電流對薄膜晶面取向的影響
        3.3.5 工作壓強(qiáng)和工作電流對薄膜表面形貌的影響
    3.4 工作小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 卷繞式磁控濺射法制備PI-Cu膜
    4.1 實(shí)驗設(shè)備與實(shí)驗材料
    4.2 工藝流程
    4.3 樣品的測試與分析
        4.3.1 工作電流對薄膜電阻率的影響
        4.3.2 工作壓強(qiáng)對薄膜電阻率的影響
        4.3.3 薄膜厚度對薄膜電阻率的影響
        4.3.4 不同過渡層對薄膜電阻率的影響
        4.3.5 不同過渡層對薄膜附著力的影響
        4.3.6 不同過渡層對薄膜晶面取向的影響
        4.3.7 工作壓強(qiáng)對薄膜晶面取向的影響
        4.3.8 Cu薄膜樣品表面形貌
    4.4 工作小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第五章 磁控濺射-電沉積法制備PI-Cu膜
    5.1 實(shí)驗設(shè)備及材料
    5.2 工藝流程
    5.3 樣品制備
    5.4 樣品的測試與分析
        5.4.1 薄膜厚度對薄膜的方塊電阻與電阻率的影響
        5.4.2 薄膜厚度對薄膜晶面擇優(yōu)取向的影響
        5.4.3 電流密度對薄膜晶面擇優(yōu)取向的影響
        5.4.4 電流密度對薄膜表面形貌的影響
    5.5 工作小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第六章 總結(jié)與展望
    6.1 結(jié)論
        6.1.1 非卷繞式磁控濺射法制備PI-Cu膜
        6.1.2 卷繞式磁控濺射法制備PI-Cu膜
        6.1.3 磁控濺射-電沉積法制備PI-Cu膜
    6.2 已做探索與有待進(jìn)行的工作
碩士期間發(fā)表論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]液晶聚合物——新一代高性能FPC基材[J]. 張洪文.  覆銅板資訊. 2009(05)
[2]液晶聚合物——新一代高性能FPC基材[J]. 張洪文.  覆銅板資訊. 2009 (05)
[3]LCP在撓性覆銅板中的應(yīng)用進(jìn)展[J]. 劉生鵬,茹敬宏,梁立.  印制電路信息. 2008(11)
[4]二層型聚酰亞胺薄膜撓性覆銅板的制備與分析[J]. 余鳳斌,陳瑩,夏祥華,朱德明.  絕緣材料. 2008(04)
[5]二層撓性覆銅板[J]. 辜信實(shí),佘乃東.  印制電路信息. 2008(04)
[6]撓性覆銅板技術(shù)發(fā)展[J]. 辜信實(shí).  印制電路信息. 2007(09)
[7]淺述二層撓性覆銅板的進(jìn)展及市場分布[J]. 劉生鵬.  印制電路信息. 2007(05)
[8]對PCB基板材料重大發(fā)明案例經(jīng)緯和思路的淺析(3)——涂布法二層型撓性覆銅板的技術(shù)進(jìn)步[J]. 祝大同.  印制電路信息. 2007(03)
[9]電鍍銅技術(shù)在電子材料中的應(yīng)用[J]. 余德超,談定生.  電鍍與涂飾. 2007(02)
[10]撓性印制電路板技術(shù)及發(fā)展趨勢[J]. 余德超,談定生.  上海有色金屬. 2006(03)

博士論文
[1]非織造基納米銀薄膜的制備及性能研究[D]. 王鴻博.江南大學(xué) 2007



本文編號:3705306

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