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多孔硅層轉(zhuǎn)移法制備超薄晶硅太陽電池的研究進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2019-01-24 16:01
【摘要】:介紹了基于電化學(xué)腐蝕多孔硅層轉(zhuǎn)移法制備超薄晶硅太陽電池的研究進(jìn)展,對(duì)多孔硅層轉(zhuǎn)移法制備超薄晶硅太陽電池的四個(gè)主要步驟:雙層多孔硅的制備、活性超薄晶硅外延層生長(zhǎng)、基于多孔硅的層轉(zhuǎn)移和超薄晶硅太陽電池研制進(jìn)行了概述,并對(duì)超薄晶硅太陽電池的前景進(jìn)行了展望。
[Abstract]:The progress in the preparation of ultrathin crystalline silicon solar cells based on electrochemical etching porous silicon layer transfer method is introduced. The four main steps of preparing ultrathin crystalline silicon solar cells by porous silicon layer transfer method: the preparation of double-layer porous silicon. The growth of active ultrathin crystalline silicon epitaxial layer, layer transfer based on porous silicon and the development of ultra-thin crystalline silicon solar cell are summarized. The prospect of ultra-thin crystalline silicon solar cell is also prospected.
【作者單位】: 南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院江蘇省能量轉(zhuǎn)換材料與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61176062) 江蘇省工業(yè)支撐項(xiàng)目(BE2012103) 江蘇省前瞻性聯(lián)合創(chuàng)新項(xiàng)目(BY2013003-08) 江蘇高校優(yōu)勢(shì)學(xué)科建設(shè)工程項(xiàng)目
【分類號(hào)】:TM914.41

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本文編號(hào):2414607

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