【摘要】：采用氫化物氣相外延(HVPE)在6H-SiC襯底上生長AlN單晶薄膜。利用熱力學(xué)理論計(jì)算源區(qū)Al-NH體系中的物質(zhì)平衡,表明源區(qū)溫度為800~900K時(shí),HCl與AlCl3氣體分壓為1∶3,主要產(chǎn)物是對(duì)石英管腐蝕較低的AlCl_3�？刂圃磪^(qū)溫度800~900K,生長區(qū)溫度1 373K,HCl流量25cm~3/min,分析NH_3和HCl流量比(R)對(duì)薄膜形貌及結(jié)晶度的影響。R=0.5時(shí),獲得表面平整光滑且厚度為7μm的AlN單晶。
[Abstract]:Single crystal AlN thin films were grown on 6H-SiC substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The thermodynamic theory is used to calculate the mass equilibrium of Al-NH system in source region. The results show that the partial pressure of HCl and AlCl3 gas is 1: 3 when the source temperature is 800,900K, and the main product is AlCl_3. with low corrosion to quartz tube. The influence of NH_3 / HCl flow ratio (R) on the morphology and crystallinity of AlN films was analyzed by controlling the source temperature of 800 ~ 900K and the growth zone temperature of 1373 KG / HCl at 25 cm ~ (-1) 路min. When R = 0.5, a smooth and smooth AlN crystal with a thickness of 7 渭 m was obtained.
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【基金】：國家重點(diǎn)研究基金資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：O484.1

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2317807