【摘要】： 本文采用恒電位沉積方法在ITO導(dǎo)電玻璃基底上制備ZnSe薄膜。實(shí)驗(yàn)中電解質(zhì)為ZnSO4和SeO2。采用XRD,SEM和紅外透過(guò)儀表征了薄膜的相成分、結(jié)晶形貌、光的透過(guò)率。 本實(shí)驗(yàn)先用能斯特方程計(jì)算出實(shí)驗(yàn)條件下的Se和Zn的沉積電位。實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,研究了沉積電位、溶液的攪拌、支持電解質(zhì)等條件對(duì)沉積的影響。結(jié)果表明,攪拌溶液能促進(jìn)薄膜的生成；支持電解質(zhì)的加入使薄膜的結(jié)晶更致密；沉積電勢(shì)直接決定薄膜能否生成。 對(duì)于生產(chǎn)的薄膜,測(cè)試得出任何條件下制備出的薄膜中都有過(guò)量的非晶態(tài)的Se。我們?cè)贜2氣氛中通過(guò)燒結(jié),能出去表面的Se,但是不能完全除去該物質(zhì)。
[Abstract]:ZnSe thin films were prepared on ITO substrates by potentiostatic deposition. The electrolytes were ZnSO4 and SeO2. The phase composition, crystal morphology and light transmittance of the films were characterized by XRDX SEM and infrared transmittance instrument. In this experiment, the deposition potentials of se and Zn under experimental conditions were calculated by Nernst equation. During the experiment, the effects of deposition potential, stirring of solution and supporting electrolyte on deposition were studied. The results show that the stirring solution can promote the formation of the film, the addition of supporting electrolyte makes the film crystal denser, and the deposition potential directly determines whether the film can be formed. For the films produced, it is found that there is excess amorphous See in the films prepared under any conditions. We sintered in N _ 2 atmosphere and can get out of the surface of See, but we can not completely remove the substance.
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2010
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.2

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2124581