本文選題：高溫CVD + TaC涂層　； 參考：《功能材料》2017年06期

【摘要】：采用高溫化學(xué)氣相沉積法(CVD)在高純高密石墨基片的表面沉積了碳化鉭(TaC)涂層。通過研究氣化溫度、氣體流量及沉積溫度對TaC涂層表面質(zhì)量的影響,確定了高溫CVD法制備TaC涂層的工藝參數(shù),最終獲得高致密度的TaC涂層。
[Abstract]:Tantalum carbide TaC coating was deposited on the surface of high purity and high density graphite substrate by high temperature chemical vapor deposition (CVD). By studying the influence of gasification temperature, gas flow rate and deposition temperature on the surface quality of TaC coating, the process parameters of TaC coating prepared by high temperature CVD method were determined, and the high density TaC coating was obtained.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十六研究所;
【分類號】：TB306

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本文編號：1902163