本文選題：CdTe + ZnTe　； 參考：《新疆大學》2011年碩士論文

【摘要】：本論文利用溶劑熱法,設計了新的反應體系和工藝路線,通過調節(jié)實驗參數(shù),實現(xiàn)了Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體CdTe, ZnTe, ZnO, CdO納米晶形貌的可控制合成。采用X射線衍射(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM)及紫外吸收光譜(UV-vis spectra)等測試手段對產物的物相、形貌及光學性能進行了表征。本文的主要研究內容包括以下幾個方面: 1.以硼氫化鉀(KBH4)為還原劑,氯化鎘(CdCl_2·2.5H_2O)、碲粉(Te)為源,使用溶劑熱法制備了厚100nm左右,寬200-400nm,長2-3μm的CdTe納米帶。研究了反應溫度、鎘源、反應時間對產物物相和形貌的影響,并初步推測帶狀產物形成的機理。 2.以碲(Te)粉與鋅(Zn)箔為源,乙二胺為溶劑,利用溶劑熱法在Zn箔表面得到了一層閃鋅礦ZnTe微米片。微米片邊長約2μm,厚300nm左右,片表面粗糙,包含有大量的棒狀結構和無定形顆粒。 3.以乙酸鋅(Zn(CH_3COO)_2·2H_2O)和氫氧化鈉(NaOH)為源,在乙二醇和水的混合溶劑中制備出了纖鋅礦納米花狀氧化鋅(ZnO)晶體。晶體的大小為600nm左右,單個花瓣長、寬分別約為300nm、100nm。 4.以氯化鎘(CdCl_2·2.5H_2O)和氫氧化鈉(NaOH)為源,在乙二醇和水的混合溶劑中制備出了氧化鎘納米片,片對角長為0.3-1.5μm,厚80-100nm。
[Abstract]:In this paper, a new reaction system and technological route were designed by solvothermal method. By adjusting the experimental parameters, the controllable synthesis of CdTe, ZnTe, ZnO, CdO nanocrystalline morphology of 鈪，

本文編號：1891221