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非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃燒法制備與TFT器件性能

發(fā)布時(shí)間:2018-04-16 00:32

  本文選題:溶液燃燒法 + ZnTiSnO薄膜; 參考:《材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào)》2017年02期


【摘要】:本文采用溶液燃燒法,在較低溫度下成功制備出非晶ZnTiSnO(ZTTO)薄膜,用作溝道層制備薄膜晶體管(TFT)。研究了Ti摻入對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能、元素化學(xué)態(tài)以及對(duì)TFT器件電學(xué)性能影響。研究結(jié)果表明,所制得的ZTTO薄膜均為非晶結(jié)構(gòu),可見光透過(guò)率大于84%;適量Ti的摻入可作為載流子抑制劑有效降低薄膜中的氧空位缺陷濃度,從而提升TFT器件性能。當(dāng)Zn/Ti摩爾百分比為30/1時(shí),ZTTO TFT性能良好,開關(guān)比可達(dá)3.54×10~5。
[Abstract]:This paper adopts a solution combustion method, successfully prepared amorphous ZnTiSnO at low temperature (ZTTO) thin film is used as the channel layer for the preparation of thin film transistor (TFT). The incorporation of Ti structure on the optical properties of the films, chemical state of element and the influence on the electrical performance of TFT devices. The results show that what made ZTTO film is amorphous, visible light transmittance is higher than 84%; the amount of Ti doping can be used as carrier inhibitors effectively reduce oxygen vacancy concentration in the film, so as to enhance the performance of TFT device. When the Zn/Ti molar ratio of 30/1, ZTTO TFT's high performance switch ratio can reach 3.54 * 10~5.

【作者單位】: 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51372002)
【分類號(hào)】:TN304;TN321.5

【參考文獻(xiàn)】

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1 閆偉超;孫汝杰;陳凌翔;呂建國(guó);葉志鎮(zhèn);;Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生長(zhǎng)與性能[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2015年06期

2 葉春麗;王鈺萍;呂建國(guó);;透明導(dǎo)電AZO/Cu雙層薄膜制備及其性能[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2011年05期

3 楊定宇;蔣孟衡;楊軍;;低溫多晶硅薄膜的制備評(píng)述[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2008年02期

【共引文獻(xiàn)】

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1 馮麗莎;江慶軍;葉志鎮(zhèn);呂建國(guó);;非晶ZnTiSnO薄膜的溶液燃燒法制備與TFT器件性能[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2017年02期

2 王海威;劉浩廣;曾慧平;胡彬彬;杜祖亮;;基于牛血清白蛋白LB膜模板仿生合成堿式硝酸鋅薄膜[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2016年06期

3 閆偉超;孫汝杰;陳凌翔;呂建國(guó);葉志鎮(zhèn);;Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生長(zhǎng)與性能[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2015年06期

4 孟德蘭;閆金良;牛培江;;用第一性原理研究Ti摻雜β-Ga_2O_3的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能(英文)[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2015年04期

5 趙銀女;;氧空位對(duì)Ga_(1.5)In_(0.5)O_3透明導(dǎo)電氧化物性能的影響[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2015年03期

6 趙銀女;;Sn摻雜Ga_(1.375)In_(0.625)O_3透明導(dǎo)電氧化物的第一性原理計(jì)算[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2015年01期

7 陳暉;周細(xì)應(yīng);言智;;氣相沉積法的薄膜制備研究[J];上海工程技術(shù)大學(xué)學(xué)報(bào);2010年02期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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1 葉春麗;王鈺萍;呂建國(guó);;透明導(dǎo)電AZO/Cu雙層薄膜制備及其性能[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2011年05期

2 楊定宇;蔣孟衡;楊軍;;低溫多晶硅薄膜的制備評(píng)述[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2008年02期

3 王曉強(qiáng),栗軍帥,陳強(qiáng),祁菁,尹e,

本文編號(hào):1756519


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