本文選題：鎵鈦共摻雜氧化鋅(GZO　切入點：Ti)薄膜　出處：《光電子·激光》2017年11期

【摘要】：采用射頻(RF)磁控濺射工藝于玻璃襯底沉積了鎵鈦共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)半導體薄膜,研究了沉積溫度對薄膜微觀結構和光學性質的影響。通過X射線衍射儀(XRD)和紫外分光光度計對其晶體結構和透射光譜特性進行表征,同時利用光譜擬合法獲取了薄膜的光學常數(shù)。研究結果表明,所有薄膜均具備六角纖鋅礦結構和c軸擇優(yōu)取向特性,沉積溫度對薄膜的微結構參數(shù)、光學常數(shù)和光學帶隙具有明顯調控作用,當沉積溫度為653K時,GZO:Ti薄膜的晶粒尺寸最大(82.12nm)、位錯密度最低(1.48×10~(-4) nm~(-2))、微應變最小(0.001 4)、可見光區(qū)平均透射率最高(82.06%)及光學帶隙值最大(3.57eV)。
[Abstract]:Gallium and titanium co-doped ZnO GZO / Ti semiconductor thin films were deposited on glass substrates by RF magnetron sputtering. The effect of deposition temperature on the microstructure and optical properties of the films was investigated.The crystal structure and transmission spectrum of the films were characterized by X-ray diffractometer (XRD) and ultraviolet spectrophotometer. The optical constants of the films were obtained by spectral fitting method.The results show that all the films have hexagonal wurtzite structure and c-axis preferred orientation, and the deposition temperature has a significant effect on the microstructural parameters, optical constants and optical band gaps of the films.When the deposition temperature is 653K, the maximum grain size is 82.12nm / m, the lowest dislocation density is 1.48 脳 10 ~ (-4) nm ~ (-2), the minimum strain is 0.001 ~ (4), the highest average transmittance in visible region is 82.06), and the maximum optical band gap is 3.57 EV ~ (-1).
【作者單位】： 湖北民族學院理學院;湖北民族學院信息工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(11504101,11364018)資助項目
【分類號】：O484

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本文編號：1697932