發(fā)布時間：2018-02-13 10:04

  本文關(guān)鍵詞： 薄膜 PECVD 高反膜 損傷閾值　出處：《應(yīng)用激光》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法制備氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiOxFy)薄膜,探討了薄膜材料的最佳制備工藝參數(shù),明確了薄膜光學(xué)特性與氣體流量、射頻功率、反應(yīng)壓強(qiáng)等制備工藝參數(shù)的關(guān)系;設(shè)計并制備了1 064nm高反射膜,并與PVD法制備的Ta_2O_5/SiO_2高反膜進(jìn)行對比,結(jié)果表明,其反射率在99.0%左右時,PECVD法制備的高反膜具有較高的抗激光損傷閾值,約為PVD法的2倍。
[Abstract]:silicon nitride ( sinx ) and fluorine - containing silicon oxide ( SiOxFy ) films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition ( PECVD ) . The optimum technological parameters of thin film materials were discussed .

【作者單位】： 西安工業(yè)大學(xué)光電工程學(xué)院;陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測重點實驗室;
【基金】：陜西省教育廳重點實驗室科研計劃資助項目(項目編號:16JS037)
【分類號】：O484

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本文編號：1507901