本文關(guān)鍵詞： 多孔SiO_x薄膜 折射率 單體 沉積率　出處：《包裝工程》2017年19期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：目的研究基于等離子體增強(qiáng)氣相化學(xué)沉積(PECVD)制備多孔SiO_x薄膜的方法。方法以六甲基二硅氧烷(HMDSO)為單體,并通入氧氣、氬氣,再加入少量的有機(jī)物質(zhì),通過(guò)輝光放電的方式形成等離子體,從而在玻璃基材表面沉積,制備出氧化硅薄膜,再在高溫下進(jìn)行熱處理,使氧化硅薄膜中的碳?xì)滏I等有機(jī)組分被除去,形成孔隙。研究單體與氧氣的比例、沉積時(shí)間、沉積功率等實(shí)驗(yàn)條件對(duì)沉積率、形貌、結(jié)構(gòu)以及折射率的影響。結(jié)果當(dāng)放電時(shí)間為10 min,放電功率為50 W,氧氣與單體的體積比為1，

本文編號(hào)：1500177