本文關(guān)鍵詞： 成像橢偏儀 薄膜 橢偏測量　出處：《光電工程》2016年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：本論文采用全反射式光學(xué)聚焦結(jié)構(gòu),通過獨特的偏振控制技術(shù),實現(xiàn)寬光譜、無色差成像橢偏儀的研制。在系統(tǒng)校準過程中采用多樣品校準方法,利用校準得到的系統(tǒng)參數(shù)對待測樣品進行成像橢偏分析,確定樣品橢偏角ψ和s及薄膜厚度的空間分布。為測試自制成像橢偏儀的準確性,本文對3 nm~300 nm的Si O2/Si樣品在200 nm~1 000 nm內(nèi)多波長下進行成像橢偏測量。實驗結(jié)果表明,Si O2薄膜厚度最大相對測量誤差小于6%。
[Abstract]:In this paper, a full-reflection optical focusing structure is adopted, and a special polarization control technique is used to realize the development of a wide spectrum, colorless imaging ellipsometer. In the calibration process of the system, a multi-sample calibration method is adopted. The system parameters obtained by calibration are used to analyze the imaging ellipsometry of the measured sample, and the spatial distribution of the ellipsometry angle 蠄 and s and the thickness of the film are determined. The accuracy of the self-made imaging ellipsometer is tested. In this paper, the imaging ellipsometry of 3 nm~300 nm Sio _ 2 / Si samples with multiple wavelengths within 200 nm~1 _ (000) nm has been measured. The experimental results show that: 1. The maximum relative measurement error of Sio _ 2 film thickness is less than 6.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院;中國科學(xué)院微電子研究所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室;
【基金】：中國科學(xué)院科研裝備研制項目(28Y3YZ018001)
【分類號】：TH74
【正文快照】： 0引言光譜橢偏儀具有低成本、高效率、無損傷、非接觸等優(yōu)點,已成為半導(dǎo)體工業(yè)檢測薄膜材料特征和厚度的重要儀器,為新材料和新工藝的快速研發(fā)發(fā)揮著日益關(guān)鍵的作用[1]。成像橢偏儀是在光學(xué)成像系統(tǒng)和傳統(tǒng)橢偏儀共同基礎(chǔ)上發(fā)展而來的以CCD或CMOS陣列為探測器實現(xiàn)高橫向分辨率

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本文編號：1479106