紫銅基片上液相沉積二氧化硅薄膜地?zé)崴拦阜栏匦?/H1>

發(fā)布時間：2024-01-27 09:50

　　地?zé)嶙鳛橐环N新能源,具有分布廣、成本低、可直接利用、對環(huán)境污染小等優(yōu)點。但是地?zé)崴慕Y(jié)垢與腐蝕是地?zé)崂弥写嬖诘膬蓚�突出問題,結(jié)垢與腐蝕的出現(xiàn)導(dǎo)致傳熱效率及出水量下降、能耗和物耗增加,同時帶來嚴(yán)重的安全隱患。目前,針對地?zé)崴畵Q熱器設(shè)備的防垢與防腐問題,研究者主要采用添加化學(xué)抑制劑、涂覆有機涂層等方法以減緩或防止設(shè)備的結(jié)垢與腐蝕,但是,這些方法存在各種問題,有必要探索用于地?zé)崴畵Q熱設(shè)備防垢防腐的新方法。 文獻分析表明,傳熱表面的表面能對污垢的附著有較大影響,降低表面能可以減少地?zé)崃黧w中污垢在傳熱表面的附著,從而達到防垢的目的。所以本文擬采用液相沉積法在經(jīng)過打磨、拋光、清洗等處理的紫銅基底樣片上制備厚度不同SiO₂薄膜,通過對紫銅表面進行修飾,以降低表面能,由于薄膜為微納米級厚度,對傳熱效率幾乎沒有影響;同時SiO₂薄膜具有良好的耐腐蝕、耐磨損等特點,防垢的同時也達到了防腐的效果。 本文研究了氟硅酸濃度、硼酸濃度、沉積溫度、沉積時間對薄膜的沉積速率的影響,并對各樣片的粗糙度、表面形貌、組成成分、接觸角、表面能、薄膜厚度等進行了測量與表征,獲得了優(yōu)...

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

圖2-4Cu-H2O系電位-pH圖

圖4-1紫銅基底處理前后的表面形貌(2000X)

圖4-3T=40℃，t=5h，300/2/2時不同氟硅酸濃度下樣片的表面形貌

圖4-5[H2SiF6]=2.0M，T=40℃，t=5h，300/2/2時不同硼酸濃度下樣片的形貌

本文編號：3886740

suoshi

資料下載

論文發(fā)表

• 
  支付寶下載
  
  Download by Alipay
• 
  微信下載
  
  Download by Wechat
• 
  會員下載
  
  Download by Member

• 
  中文核心
  
  Chinese Core Journals
• 
  英文核心
  
  EI|SCI|SSCI
• 
  普通期刊
  
  General Journals

本文鏈接：http://sikaile.net/projectlw/xnylw/3886740.html

上一篇：牛糞與蔬菜廢棄物厭氧發(fā)酵產(chǎn)氣工藝優(yōu)化  
下一篇：非聚光中溫太陽能真空集熱器的性能研究