金屬/介質(zhì)多層膜型太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-26 17:03
社會(huì)的進(jìn)步伴隨著科技的發(fā)展,人們對(duì)能源供應(yīng)的需求也越來(lái)越迫切。傳統(tǒng)的礦石能源由于其是不可再生能源,儲(chǔ)量在不斷減少,開(kāi)采越來(lái)越困難。而太陽(yáng)能作為一種取之不盡用之不竭的綠色能源完全能夠滿足人類的能源需求。人類利用太陽(yáng)能熱的方式主要有兩種,分別為光電轉(zhuǎn)換和光熱轉(zhuǎn)換。在太陽(yáng)能熱利用過(guò)程中最關(guān)鍵的器件是集熱器,而集熱器能實(shí)現(xiàn)高吸收的關(guān)鍵技術(shù)就是太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜。因此在光熱轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜起著至關(guān)重要的作用。在典型的六種太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜中,金屬/介質(zhì)多層膜由于其光譜選擇性吸收性能好、熱穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和成本低廉等優(yōu)點(diǎn),一直受到人們的廣泛關(guān)注和研究。本文首先介紹了太陽(yáng)能的應(yīng)用前景、光熱轉(zhuǎn)換的應(yīng)用、太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜的基本概述及國(guó)內(nèi)外的研究背景現(xiàn)狀。主要內(nèi)容如下:一、主要設(shè)計(jì)和制備了金屬/介質(zhì)六層膜系結(jié)構(gòu)[SiO2(57.3 nm)/Cr(2.9 nm)/SiO2(72.9nm)/Cr(6.6 nm)/SiO2(57.6 nm)/Cu(>100.0 nm)],該結(jié)構(gòu)厚度用透射電子顯微鏡測(cè)量得到。...
【文章來(lái)源】:南京郵電大學(xué)江蘇省
【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
世界未來(lái)能源需求結(jié)構(gòu)變化趨勢(shì)圖及世界年均太陽(yáng)能消耗及趨勢(shì)圖
京郵電大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文 第一章 緒熱型太陽(yáng)能熱電站得到了廣泛應(yīng)用[6,7,8]。除此之外,在太陽(yáng)光熱電轉(zhuǎn)換(熱電效應(yīng))[9-1陽(yáng)能熱光伏[12]和太陽(yáng)光海水淡化[13]等方面,也被廣泛研究。在太陽(yáng)能光熱轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,光譜選擇性吸收薄膜起著關(guān)鍵作用[6, 14],也是太陽(yáng)能集熱器中必不可少的器件。因此我對(duì)太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜進(jìn)行研究。
士研究生學(xué)位論文 第 ( , ) =∫ ( , ) 1 ( , )∞0∫ ( , )∞0 ( , ) =8 5exp( ) 11 ( ) = ∫ ( , )sin( 2 ) /20(λ)、R(θ,λ)、Lsun(λ)、θ、T、E(T, λ)和 εthermal(T)分別表示太陽(yáng)光選擇性吸率、AM1.5 標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)輻射光譜、入射角、溫度、黑體輻射光譜和半球熱光譜選擇性吸收薄膜要有較高的太陽(yáng)光譜吸收率 α 和較低的熱輻射率它有很強(qiáng)的吸收本領(lǐng),而較低的輻射率則主要是說(shuō)明該結(jié)構(gòu)在吸收完一起而不向外輻射的本領(lǐng)。圖 1.3 中黑色實(shí)線表示太陽(yáng)輻射光譜,紅時(shí)的黑體輻射光譜[6]。理想的選擇性吸收薄膜如圖 1.3 中藍(lán)色虛線所示外范圍內(nèi)的輻射完全吸收,即吸收率為 1,對(duì)太陽(yáng)的紅外輻射完全反
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Al2O3-Cr多層中高溫選擇吸收薄膜的研究[J]. 潘永強(qiáng),彌謙,杭凌俠. 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2013(03)
[2]Mo-SiO2太陽(yáng)選擇性吸收涂層的空氣高溫?zé)岱€(wěn)定性[J]. 魏其睿,王健,李德杰,殷志強(qiáng). 太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2011(08)
[3]真空鍍膜平板太陽(yáng)能集熱器的應(yīng)用前景[J]. 魏海波,張君薇,龔肖南,任慶國(guó),李冬青,于瑩瑩. 真空. 2010(04)
[4]淺談平板太陽(yáng)能集熱器選擇性吸收涂層的制備及發(fā)展前景[J]. 王蕊,張萬(wàn)鋼,魏海波. 科技致富向?qū)? 2010(20)
[5]中高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層[J]. 李時(shí)潤(rùn),徐熙平,李剛,孫龍,金玉奇. 太陽(yáng)能. 2010(03)
[6]中高溫金屬/陶瓷型光譜選擇吸收涂層的研究進(jìn)展[J]. 侯玉芝,蔣利軍,王樹(shù)茂,郝雷,劉曉鵬,李華玲. 稀有金屬. 2009(02)
[7]氮化鈦太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜研究進(jìn)展[J]. 付淑英,鐘煒. 熱處理技術(shù)與裝備. 2009(01)
[8]直流磁控濺射Cr/Cr2O3金屬陶瓷選擇吸收薄膜的研究[J]. 潘永強(qiáng). 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2006(06)
[9]新型光學(xué)薄膜研究及發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 王學(xué)華,薛亦渝,趙利,張幼陵. 武漢理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2002(02)
[10]中高溫太陽(yáng)選擇性吸收表面[J]. 謝光明. 太陽(yáng)能. 2000(02)
博士論文
[1]耐候性太陽(yáng)選擇性吸收涂層的研究[D]. 黃群武.天津大學(xué) 2007
碩士論文
[1]中高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的制備與研究[D]. 馬濤.武漢理工大學(xué) 2011
[2]太陽(yáng)光譜選擇性吸收復(fù)合涂層的制備與性能研究[D]. 萬(wàn)倩.武漢理工大學(xué) 2011
[3]太陽(yáng)能用薄膜的制備與分析[D]. 丁迪.大連理工大學(xué) 2010
本文編號(hào):3459873
【文章來(lái)源】:南京郵電大學(xué)江蘇省
【文章頁(yè)數(shù)】:61 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
世界未來(lái)能源需求結(jié)構(gòu)變化趨勢(shì)圖及世界年均太陽(yáng)能消耗及趨勢(shì)圖
京郵電大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文 第一章 緒熱型太陽(yáng)能熱電站得到了廣泛應(yīng)用[6,7,8]。除此之外,在太陽(yáng)光熱電轉(zhuǎn)換(熱電效應(yīng))[9-1陽(yáng)能熱光伏[12]和太陽(yáng)光海水淡化[13]等方面,也被廣泛研究。在太陽(yáng)能光熱轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,光譜選擇性吸收薄膜起著關(guān)鍵作用[6, 14],也是太陽(yáng)能集熱器中必不可少的器件。因此我對(duì)太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜進(jìn)行研究。
士研究生學(xué)位論文 第 ( , ) =∫ ( , ) 1 ( , )∞0∫ ( , )∞0 ( , ) =8 5exp( ) 11 ( ) = ∫ ( , )sin( 2 ) /20(λ)、R(θ,λ)、Lsun(λ)、θ、T、E(T, λ)和 εthermal(T)分別表示太陽(yáng)光選擇性吸率、AM1.5 標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)輻射光譜、入射角、溫度、黑體輻射光譜和半球熱光譜選擇性吸收薄膜要有較高的太陽(yáng)光譜吸收率 α 和較低的熱輻射率它有很強(qiáng)的吸收本領(lǐng),而較低的輻射率則主要是說(shuō)明該結(jié)構(gòu)在吸收完一起而不向外輻射的本領(lǐng)。圖 1.3 中黑色實(shí)線表示太陽(yáng)輻射光譜,紅時(shí)的黑體輻射光譜[6]。理想的選擇性吸收薄膜如圖 1.3 中藍(lán)色虛線所示外范圍內(nèi)的輻射完全吸收,即吸收率為 1,對(duì)太陽(yáng)的紅外輻射完全反
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Al2O3-Cr多層中高溫選擇吸收薄膜的研究[J]. 潘永強(qiáng),彌謙,杭凌俠. 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2013(03)
[2]Mo-SiO2太陽(yáng)選擇性吸收涂層的空氣高溫?zé)岱€(wěn)定性[J]. 魏其睿,王健,李德杰,殷志強(qiáng). 太陽(yáng)能學(xué)報(bào). 2011(08)
[3]真空鍍膜平板太陽(yáng)能集熱器的應(yīng)用前景[J]. 魏海波,張君薇,龔肖南,任慶國(guó),李冬青,于瑩瑩. 真空. 2010(04)
[4]淺談平板太陽(yáng)能集熱器選擇性吸收涂層的制備及發(fā)展前景[J]. 王蕊,張萬(wàn)鋼,魏海波. 科技致富向?qū)? 2010(20)
[5]中高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層[J]. 李時(shí)潤(rùn),徐熙平,李剛,孫龍,金玉奇. 太陽(yáng)能. 2010(03)
[6]中高溫金屬/陶瓷型光譜選擇吸收涂層的研究進(jìn)展[J]. 侯玉芝,蔣利軍,王樹(shù)茂,郝雷,劉曉鵬,李華玲. 稀有金屬. 2009(02)
[7]氮化鈦太陽(yáng)光譜選擇性吸收薄膜研究進(jìn)展[J]. 付淑英,鐘煒. 熱處理技術(shù)與裝備. 2009(01)
[8]直流磁控濺射Cr/Cr2O3金屬陶瓷選擇吸收薄膜的研究[J]. 潘永強(qiáng). 真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào). 2006(06)
[9]新型光學(xué)薄膜研究及發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 王學(xué)華,薛亦渝,趙利,張幼陵. 武漢理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2002(02)
[10]中高溫太陽(yáng)選擇性吸收表面[J]. 謝光明. 太陽(yáng)能. 2000(02)
博士論文
[1]耐候性太陽(yáng)選擇性吸收涂層的研究[D]. 黃群武.天津大學(xué) 2007
碩士論文
[1]中高溫太陽(yáng)能選擇性吸收涂層的制備與研究[D]. 馬濤.武漢理工大學(xué) 2011
[2]太陽(yáng)光譜選擇性吸收復(fù)合涂層的制備與性能研究[D]. 萬(wàn)倩.武漢理工大學(xué) 2011
[3]太陽(yáng)能用薄膜的制備與分析[D]. 丁迪.大連理工大學(xué) 2010
本文編號(hào):3459873
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